Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ПИМС и МП. Лекции, задания / РукСамостРаботы_з_м.doc
Скачиваний:
49
Добавлен:
11.05.2015
Размер:
786.94 Кб
Скачать

Вопрос 8.5 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций толстоплёночных конденсаторов гимс:

1- толщину диэлектрика в конденсаторах можно назначать разной и тем изменять проектную площадь конденсатора;

2-технологической погрешности толстоплёночные конденсаторы не уступают тонкоплёночным конденсаторам;

3 - по добротности при прочих равных условиях конденсаторы сравнимы с тонкоплёночными конденсаторами;

4 - в отличие от тонкоплёночных конденсаторов обкладки толсто-плёночных конденсаторов следует исполнять квадратными.

Вопрос 8.6 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций резисторов с подгонкой номинала гимс:

1- подгонка применяется для уменьшения площади резистора при заданной точности исполнения сопротивления резистора;

2-подгонка применяется для достижения заданной точности исполнения сопротивления резистора;

3-точность подгонки сопротивления не ограничена;

4-точность подгонки сопротивления определяется дискретностью элементов подгонки;

5- при равных номиналах частотный потолок подгоняемых резисторов выше, чем у резисторов без подгонки.

Вопрос 8.7 Выделите корректные утверждения относительно пара-метров конструкций плёночных катушек индуктивности гимс:

1-для плоских катушек индуктивности отношение диаметров внутренних и внешних витков ограничения не имеет;

- порядок величины индуктивности плоских катушек ГИМС:

2-единицы мкГн;

3-сотни мкГн;

4-единицы мГн;

5-добротность катушек можно увеличить при ограниченных габаритах увеличением числа витков;

6-добротность плоских катушек повышается ферритовыми накладными фланцами;

7- проводящие поверхности в плоскости катушки снижают индуктивность;

8- проводящие поверхности в плоскости катушки повышают добротность.

Вопрос 8.8 Выделите корректные утверждения относительно конструкций пассивных компонент гимс;

1-компоненты пассивные применяются при технологическом несоответствии номинальных параметров, допусков параметров и размеров элементов;

2-конструкции компонент по виду монтажных выводов не отличаются;

3-форма, размеры, параметры, требования к монтажу, режимам и условиям применения компонент регламентируются согласованными в установленном порядке техническими условиями на изделия;

-применение пассивных компонент к конструкциях ГИМС повышает вес технологических операций и маршрутов индивидуального монтажа изделий, в связи с чем:

4- снижается процент бракованных изделий;

5- повышаются затраты труда по производству изделий.

Вопрос 8.9 Выделите корректные утверждения относительно конструкций и применяемости активных компонент гимс:

1- понятие «ГИМС» исключительно определяется наличием активных приборов в составе микросхем;

2- прочие отличия в конструкциях активных компонент в сравнении с пассивными менее существенны, чем сходство конструкций по элементам монтажа и электромонтажа;

3- активные приборы применяются в качестве компонент ГИМС из-за несовместимости технологии их изготовления с технологией формирования плёночных структур;

4-отнесение к категории компонент ГИМС не связано с функциональной сложностью и степенью интеграции изделия с «активными» функциями.

Вопрос 8.10 Выделите корректные утверждения относительно конструкций свч имс:

1- в конструкциях СВЧ микросхем длительность фронтов сигнала приближается к длительности задержки распространения, вследствие конечных размеров элементов и их соединений, в диапазоне СВЧ;

2- в соединениях микросхем с малыми потерями энергии для сигналов со сравнимыми длительностями фронтов и задержек распространения необходимо обеспечивать согласование нагрузки с размерами соединения;

3-понижение скорости распространения сигнала в теле элемента конструкции ИМС на фоне сохранения длительности его фронтов повышает влияние размеров конструкции на временные функциональные параметры элемента.

4- границы частот СВЧ диапазона выделены с учётом свойств отнесённых к распространению синусоидальных колебаний в вакууме.