
- •Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
- •2 Материалы самостоятельной работы
- •2.1 Состав понятий, определений, отношений дисциплины
- •2.2 Контрольные работы по дисциплине
- •Вариант 5
- •Вариант 13
- •Вариант 14
- •Вариант 15
- •Вариант 16
- •2.2.2 Работа №1б. Резисторы полупроводниковых ис
- •2.2.3 Контрольная № 2 Параметры и проектирование топологии бпт
- •Вариант 1
- •Вариант 2
- •Вариант 3
- •Вариант 4
- •Вариант 5
- •Вариант 13
- •Вариант 14
- •Вариант 15
- •Вариант 16.
- •Вариант 21
- •Вариант 22
- •Вариант 23
- •Вариант 24
- •Вариант 25
- •Вариант 26
- •Вариант 34
- •Вариант 35
- •Вариант 36
- •Вариант 37
- •Вариант 42
- •Вариант 50
- •Вариант 51
- •Вариант 52
- •Вариант 53
- •3 Методический материал к контрольным работам
- •3.1 Расчётные соотношения и константы работы №1а
- •Напряжение лавинного пробоя Uпроб, в:
- •Nпов – поверхностная концентрация примесей;
- •3.2 Расчётные соотношения и формы к работе №1б
- •3.3 Расчётные формы и соотношения к работе №2
- •4 Контроль знаний
- •Вопрос 2.7 Комбинированной изоляции элементов кристаллов соответствует:
- •Вопрос 3.2 Условия легирования технологических слоёв при формировании бпт структуры эпсб:
- •Вопрос 3.3 Условия легирования технологических слоёв при формировании бпт структуры эпск:
- •Вопрос 3.4 Условия легирования технологических слоёв при формировании бпт структуры эпск со скрытым слоем в коллекторе:
- •Вопрос 3.5 Условия легирования технологических слоёв при формировании бпт структуры квд с дополнительным скрытым легированным слоем в коллекторе:
- •Вопрос 3.6 Какому из перечисленных способов проектной оценки поверхностного сопротивления легированных полупроводниковых слоёв необходимы первичные сведения:
- •Вопрос 4.10 Для удовлетворения требований ко времени переключе-ния бпт выбором топологических форм и размеров необходимо:
- •Тема 5 Диоды имс, модификации бпт, элементы на бпт
- •Вопрос 5.1 Укажите структурные соединения слоёв n-p-n-бпт структуры эпсб для гальванически максимально «изолированных» от подложки диодов:
- •Вопрос 5.5 Укажите среди приведенных требования, которым должны соответствовать конструкции мэт для применения в качестве входных элементов схем ттл:
- •Вопрос 5.6 Укажите актуальные требования, которым должны соот-ветствовать конструкции многоколлекторных транзисторов (мкт) для применения в качестве элементов интегральных цифровых схем:
- •Вопрос 5.7 Укажите соответствие приведенных свойств конструкциям транзисторов и барьером Шоттки (тш) для применения в качестве элементов цифровых схем:
- •Вопрос 6.5 Структуры конденсаторов полупроводниковых микросхем представлены:
- •Вопрос 7.9 Укажите положительные качества совмещённых бпт и полевых приборов с управляемым p-n-переходом каналом для применения в конструкциях имс.
- •Вопрос 7.10 Время хранения состояния структуры пзс как регистра сдвига и памяти с последовательным доступом определяется:
- •Вопрос 7.11 Выделите корректные утверждения по конструкциям, свойствам и управлению зарядовыми приборами на транзисторах с зарядовой связью (тзс):
- •Вопрос 7.12 Выделите корректные утверждения для приборов c зарядовой связью на пожарных цепочках:
- •Тема 8 Гибридные микросхемы
- •Вопрос 8.1 Выделите корректные утверждения относительно конструкций плат гимс:
- •Вопрос 8.2 Выделите корректные утверждения относительно конструкций тонкоплёночных резисторов гимс:
- •Вопрос 8.3 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций толстоплёночных резисторов гимс:
- •Вопрос 8.4 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций тонкоплёночных конденсаторов гимс:
- •Вопрос 8.5 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций толстоплёночных конденсаторов гимс:
- •Вопрос 8.6 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций резисторов с подгонкой номинала гимс:
- •Вопрос 8.7 Выделите корректные утверждения относительно пара-метров конструкций плёночных катушек индуктивности гимс:
- •Вопрос 8.8 Выделите корректные утверждения относительно конструкций пассивных компонент гимс;
- •Вопрос 8.9 Выделите корректные утверждения относительно конструкций и применяемости активных компонент гимс:
- •Вопрос 8.10 Выделите корректные утверждения относительно конструкций свч имс:
- •Тема 9 Большие ис, планирование кристаллов
- •Вопрос 9.1 Степень интеграции имс это число, округлённое до целого в верхнюю сторону, равное:
- •Вопрос 9.2 Отнесение к категории больших интегральных микросхем (бис):
- •Вопрос 9.3 в производстве и проектировании бис имеют место:
- •Вопрос 9.4 Отличие перечня этапов проектирования кристаллов бис от состава этапов проектирования кристаллов более низких степеней интеграции:
- •Вопрос 9.5 Элементной базой кристаллов полузаказных цифровых бис являются:
- •Вопрос 9.6. Библиотеки и каталоги топологий элементов, топологических ячеек с наборами не соединённых радиоэлементов, логических вентилей, функциональных групп, структурных единиц устройств позволяют:
- •Вопрос 10.5. Каналы доступа агрессивных химических веществ к элементам конструкции микросхем, определяющим устойчивость и стабильность функциональных параметров микросхем:
- •Вопрос 10.6 Повышение устойчивости микросхем к действию агрессивных сред достигается:
- •Билет № 11
- •Билет № 13
- •Билет № 14
- •Билет №19
Вопрос 8.5 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций толстоплёночных конденсаторов гимс:
1- толщину диэлектрика в конденсаторах можно назначать разной и тем изменять проектную площадь конденсатора;
2-технологической погрешности толстоплёночные конденсаторы не уступают тонкоплёночным конденсаторам;
3 - по добротности при прочих равных условиях конденсаторы сравнимы с тонкоплёночными конденсаторами;
4 - в отличие от тонкоплёночных конденсаторов обкладки толсто-плёночных конденсаторов следует исполнять квадратными.
Вопрос 8.6 Выделите корректные утверждения относительно параметров конструкций резисторов с подгонкой номинала гимс:
1- подгонка применяется для уменьшения площади резистора при заданной точности исполнения сопротивления резистора;
2-подгонка применяется для достижения заданной точности исполнения сопротивления резистора;
3-точность подгонки сопротивления не ограничена;
4-точность подгонки сопротивления определяется дискретностью элементов подгонки;
5- при равных номиналах частотный потолок подгоняемых резисторов выше, чем у резисторов без подгонки.
Вопрос 8.7 Выделите корректные утверждения относительно пара-метров конструкций плёночных катушек индуктивности гимс:
1-для плоских катушек индуктивности отношение диаметров внутренних и внешних витков ограничения не имеет;
- порядок величины индуктивности плоских катушек ГИМС:
2-единицы мкГн;
3-сотни мкГн;
4-единицы мГн;
5-добротность катушек можно увеличить при ограниченных габаритах увеличением числа витков;
6-добротность плоских катушек повышается ферритовыми накладными фланцами;
7- проводящие поверхности в плоскости катушки снижают индуктивность;
8- проводящие поверхности в плоскости катушки повышают добротность.
Вопрос 8.8 Выделите корректные утверждения относительно конструкций пассивных компонент гимс;
1-компоненты пассивные применяются при технологическом несоответствии номинальных параметров, допусков параметров и размеров элементов;
2-конструкции компонент по виду монтажных выводов не отличаются;
3-форма, размеры, параметры, требования к монтажу, режимам и условиям применения компонент регламентируются согласованными в установленном порядке техническими условиями на изделия;
-применение пассивных компонент к конструкциях ГИМС повышает вес технологических операций и маршрутов индивидуального монтажа изделий, в связи с чем:
4- снижается процент бракованных изделий;
5- повышаются затраты труда по производству изделий.
Вопрос 8.9 Выделите корректные утверждения относительно конструкций и применяемости активных компонент гимс:
1- понятие «ГИМС» исключительно определяется наличием активных приборов в составе микросхем;
2- прочие отличия в конструкциях активных компонент в сравнении с пассивными менее существенны, чем сходство конструкций по элементам монтажа и электромонтажа;
3- активные приборы применяются в качестве компонент ГИМС из-за несовместимости технологии их изготовления с технологией формирования плёночных структур;
4-отнесение к категории компонент ГИМС не связано с функциональной сложностью и степенью интеграции изделия с «активными» функциями.
Вопрос 8.10 Выделите корректные утверждения относительно конструкций свч имс:
1- в конструкциях СВЧ микросхем длительность фронтов сигнала приближается к длительности задержки распространения, вследствие конечных размеров элементов и их соединений, в диапазоне СВЧ;
2- в соединениях микросхем с малыми потерями энергии для сигналов со сравнимыми длительностями фронтов и задержек распространения необходимо обеспечивать согласование нагрузки с размерами соединения;
3-понижение скорости распространения сигнала в теле элемента конструкции ИМС на фоне сохранения длительности его фронтов повышает влияние размеров конструкции на временные функциональные параметры элемента.
4- границы частот СВЧ диапазона выделены с учётом свойств отнесённых к распространению синусоидальных колебаний в вакууме.