- •Предисловие
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Введение
- •Концептуальная диаграмма
- •Контрольныевопросыизадания
- •Глава 1структура и свойства твердых тел
- •Равновесное расположение частиц в кристалле
- •Идеальные кристаллы. Решетки Бравэ
- •Решетки Бравэ
- •Нормальные колебания решетки. Фононы
- •Структура реальных кристаллов
- •Структурозависимые свойства
- •Жидкие кристаллы
- •1.7. Аморфное состояние
- •Контрольныевопросыизадания
- •Глава 2физические основы квантовой механики
- •2.1. Волновые свойства микрочастиц
- •2.2. Уравнение Шредингера. Волновая функция
- •2.3. Свободный электрон. Фазовая и групповая скорости
- •2.4. Электрон в потенциальной яме
- •2.5. Туннелирование микрочастиц сквозь потенциальный барьер
- •Коэффициент прозрачности барьера
- •2.6. Квантовый гармонический осциллятор
- •2.7. Водородоподобный атом. Постулат Паули
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 3элементы статистической физики
- •3.1. Термодинамическое и статистическое описание коллектива. Функция распределения
- •3.2. Фермионы и бозоны. Вырожденные и невырожденные коллективы
- •Возможные варианты состояний
- •3.3. Функция распределения Максвелла-Больцмана Химический потенциал
- •3.4. Функция распределения Ферми-Дирака. Энергия Ферми
- •3.5. Функция распределения Бозе-Эйнштейна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 4элементы зонной теории твердых тел
- •4.1. Обобществление электронов в кристалле
- •4.2. Модель Кронига-Пенни
- •4.3. Зоны Бриллюэна
- •4.4. Эффективная масса электрона
- •4.5. Зонная структура изоляторов, полупроводников и проводников. Дырки
- •4.6. Примесные уровни
- •Донорные примеси
- •Акцепторные примеси
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 5электропроводность твердых тел
- •5.1. Проводимость и подвижность носителей
- •5.2. Механизмы рассеяния и подвижность носителей
- •5.3. Концентрация носителей и уровень Ферми в полупроводниках
- •5.4. Электропроводность полупроводников
- •5.5. Электропроводность металлов и сплавов
- •5.6. Сверхпроводимость
- •Температура сверхпроводящего перехода
- •5.7. Основы теории Бардина – Купера – Шриффера
- •5.8. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 6 равновесные и неравновесные носители заряда
- •6.1. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей. Время жизни
- •6.2. Уравнения непрерывности
- •6.3. Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •3 − Экситонное поглощение; 4 − решеточное поглощение;
- •5 − Поглощение свободными носителями
- •2 − Полупроводниковая пленка; 3 − контактные площадки; 4 − защитное покрытие
- •6.4. Полупроводники в сильном электрическом поле
- •6.5. Токовые неустойчивости в сильных электрических полях
- •6.6. Эффект Ганна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 7 Контактные явления
- •7.1. Работа выхода электрона. Контакт металл – металл
- •7.2. Контакт металл – полупроводник
- •7.3. Электронно-дырочный переход
- •7.4. Выпрямляющее действие p-n-перехода. Пробой
- •7.5. Гетеропереходы
- •7.6. Эффект Зеебека
- •7.7. Эффект Пельтье
- •7.8. Фотоэффект в p-n – переходе. Фотодиоды
- •7.9. Излучательные процессы в p-n – переходе. Светодиоды
- •Инжекционные полупроводниковые лазеры
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 8поверхностные явления в полупроводниках
- •8.1. Поверхностные энергетические состояния
- •8.2. Зонная диаграмма и заряд в приповерхностном слое
- •8.3. Поверхностная проводимость
- •8.4. Эффект поля. Полевые транзисторы
- •8.5. Влияние состояния поверхности на работу полупроводниковых приборов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 9 Электронные процессы в тонких пленках и тонкопленочных структурах
- •9.1. Структура и свойства тонких пленок
- •Механизмы электропроводности в диэлектрических пленках
- •9.2. Контакт металл-диэлектрик. M-д-m – структура
- •Глубина обогащенного слоя [20]
- •Глубина области обеднения
- •9.3. Туннелирование сквозь тонкую диэлектрическую пленку
- •9.4. Токи надбарьерной инжекции электронов
- •9.5. Токи, ограниченные пространственным зарядом
- •9.6. Прохождение горячих электронов сквозь тонкие металлические пленки
- •9.7. Активные устройства на основе тонкопленочных структур
- •1. Диоды с резонансным туннелированием
- •2. Диэлектрические диоды
- •3. Тонкопленочный триод на основе топз
- •4. Транзисторы на горячих электронах
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 10 перспективы развития микроэлектроники
- •10.1. Ограничения интегральной электроники
- •10.2. Функциональная электроника
- •10.3. Системы пониженной размерности. Наноэлектроника
- •10.4. Квантовые одно- и двумерные структуры
- •10.5. Квантовые точки. Одноэлектроника
- •3 А) б) игла островок изолятор затвор исток
- •Контрольные вопросы и задания
- •Заключение
- •Приложения п.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы си Основные единицы
- •Некоторые производные механические единицы
- •Некоторые производные единицы электрических величин
- •Некоторые производные единицы магнитных величин
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •Алфавитно-Предметный указатель
- •Оглавление
- •424000 Йошкар-Ола, пл. Ленина, 3
- •424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова, 17
П.3. Некоторые единицы системы си Основные единицы
Величина |
Символ |
Наименование |
Обозначение |
Размерность |
Длина |
L |
метр |
м |
L |
Масса |
m |
килограмм |
кг |
M |
Время |
t |
секунда |
с |
T |
Электрический ток |
I |
Ампер |
А |
I |
Температура |
T |
Кельвин |
К |
Θ |
Сила света |
Iv |
кандела |
кд |
J |
Некоторые производные механические единицы
Величина |
Символ |
Наименование |
Обозначение |
Размерность |
Плоский угол |
α, β, φ |
радиан |
рад |
– |
Телесный угол |
ω |
стерадиан |
ср |
– |
Площадь |
S |
квадратный метр |
м2 |
L2 |
Объем |
V |
кубический метр |
м3 |
L3 |
Частота |
f |
Герц |
Гц |
Т -1 |
Угловая частота |
ω |
радиан в секунду |
рад/с |
Т -1 |
Скорость |
υ |
метр в секунду |
м/с |
LТ -1 |
Ускорение |
а |
метр на секунду в квадрате |
м/с2 |
LТ -2 |
Угловая скорость |
ω |
радиан в секунду |
рад/с |
Т-1 |
Длина волны |
λ |
метр |
м |
L |
Плотность |
ρ |
килограмм на кубический метр |
кг/м3 |
ML-3 |
Работа |
W |
Джоуль |
Дж |
ML2T-2 |
Мощность |
Р |
Ватт |
Вт |
ML2T-3 |
Энергия |
Е |
Джоуль |
Дж |
ML2T-2 |
Некоторые производные единицы электрических величин
Величина |
Символ |
Наименование единиц |
Обозначение единиц |
Размерность |
Количество электричества |
Q |
Кулон |
Кл |
TI |
Напряженность эл. поля |
E |
Вольт на метр |
В/м |
LMT -3I-1 |
Электрический потенциал |
V |
Вольт |
В |
L2MT-3I-1 |
Емкость |
C |
Фарада |
Ф |
L-2M-1T4I2 |
Сопротивление |
R |
Ом |
Ом |
L2MT-3I-2 |
Удельное сопротивление |
ρ |
Ом∙метр |
Ом·м |
L3MT-3I-2 |
Проводимость |
G |
Сименс |
См |
L-2M-1T3I2 |
Удельная проводимость |
γ |
Сименс на метр |
См/м |
L-3M-1T3I2 |
Плотность тока |
j |
Ампер на квадратный метр |
А/м2 |
L -2I |
Электрическая мощность |
P |
Ватт |
Вт |
L2MT-3 |
Электрическая энергия |
W |
Джоуль |
Дж |
L2MT-2 |
Диэлектрическая проницаемость, относительная |
ε |
– |
– |
– |