- •Предисловие
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Введение
- •Концептуальная диаграмма
- •Контрольныевопросыизадания
- •Глава 1структура и свойства твердых тел
- •Равновесное расположение частиц в кристалле
- •Идеальные кристаллы. Решетки Бравэ
- •Решетки Бравэ
- •Нормальные колебания решетки. Фононы
- •Структура реальных кристаллов
- •Структурозависимые свойства
- •Жидкие кристаллы
- •1.7. Аморфное состояние
- •Контрольныевопросыизадания
- •Глава 2физические основы квантовой механики
- •2.1. Волновые свойства микрочастиц
- •2.2. Уравнение Шредингера. Волновая функция
- •2.3. Свободный электрон. Фазовая и групповая скорости
- •2.4. Электрон в потенциальной яме
- •2.5. Туннелирование микрочастиц сквозь потенциальный барьер
- •Коэффициент прозрачности барьера
- •2.6. Квантовый гармонический осциллятор
- •2.7. Водородоподобный атом. Постулат Паули
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 3элементы статистической физики
- •3.1. Термодинамическое и статистическое описание коллектива. Функция распределения
- •3.2. Фермионы и бозоны. Вырожденные и невырожденные коллективы
- •Возможные варианты состояний
- •3.3. Функция распределения Максвелла-Больцмана Химический потенциал
- •3.4. Функция распределения Ферми-Дирака. Энергия Ферми
- •3.5. Функция распределения Бозе-Эйнштейна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 4элементы зонной теории твердых тел
- •4.1. Обобществление электронов в кристалле
- •4.2. Модель Кронига-Пенни
- •4.3. Зоны Бриллюэна
- •4.4. Эффективная масса электрона
- •4.5. Зонная структура изоляторов, полупроводников и проводников. Дырки
- •4.6. Примесные уровни
- •Донорные примеси
- •Акцепторные примеси
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 5электропроводность твердых тел
- •5.1. Проводимость и подвижность носителей
- •5.2. Механизмы рассеяния и подвижность носителей
- •5.3. Концентрация носителей и уровень Ферми в полупроводниках
- •5.4. Электропроводность полупроводников
- •5.5. Электропроводность металлов и сплавов
- •5.6. Сверхпроводимость
- •Температура сверхпроводящего перехода
- •5.7. Основы теории Бардина – Купера – Шриффера
- •5.8. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 6 равновесные и неравновесные носители заряда
- •6.1. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей. Время жизни
- •6.2. Уравнения непрерывности
- •6.3. Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •3 − Экситонное поглощение; 4 − решеточное поглощение;
- •5 − Поглощение свободными носителями
- •2 − Полупроводниковая пленка; 3 − контактные площадки; 4 − защитное покрытие
- •6.4. Полупроводники в сильном электрическом поле
- •6.5. Токовые неустойчивости в сильных электрических полях
- •6.6. Эффект Ганна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 7 Контактные явления
- •7.1. Работа выхода электрона. Контакт металл – металл
- •7.2. Контакт металл – полупроводник
- •7.3. Электронно-дырочный переход
- •7.4. Выпрямляющее действие p-n-перехода. Пробой
- •7.5. Гетеропереходы
- •7.6. Эффект Зеебека
- •7.7. Эффект Пельтье
- •7.8. Фотоэффект в p-n – переходе. Фотодиоды
- •7.9. Излучательные процессы в p-n – переходе. Светодиоды
- •Инжекционные полупроводниковые лазеры
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 8поверхностные явления в полупроводниках
- •8.1. Поверхностные энергетические состояния
- •8.2. Зонная диаграмма и заряд в приповерхностном слое
- •8.3. Поверхностная проводимость
- •8.4. Эффект поля. Полевые транзисторы
- •8.5. Влияние состояния поверхности на работу полупроводниковых приборов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 9 Электронные процессы в тонких пленках и тонкопленочных структурах
- •9.1. Структура и свойства тонких пленок
- •Механизмы электропроводности в диэлектрических пленках
- •9.2. Контакт металл-диэлектрик. M-д-m – структура
- •Глубина обогащенного слоя [20]
- •Глубина области обеднения
- •9.3. Туннелирование сквозь тонкую диэлектрическую пленку
- •9.4. Токи надбарьерной инжекции электронов
- •9.5. Токи, ограниченные пространственным зарядом
- •9.6. Прохождение горячих электронов сквозь тонкие металлические пленки
- •9.7. Активные устройства на основе тонкопленочных структур
- •1. Диоды с резонансным туннелированием
- •2. Диэлектрические диоды
- •3. Тонкопленочный триод на основе топз
- •4. Транзисторы на горячих электронах
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 10 перспективы развития микроэлектроники
- •10.1. Ограничения интегральной электроники
- •10.2. Функциональная электроника
- •10.3. Системы пониженной размерности. Наноэлектроника
- •10.4. Квантовые одно- и двумерные структуры
- •10.5. Квантовые точки. Одноэлектроника
- •3 А) б) игла островок изолятор затвор исток
- •Контрольные вопросы и задания
- •Заключение
- •Приложения п.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы си Основные единицы
- •Некоторые производные механические единицы
- •Некоторые производные единицы электрических величин
- •Некоторые производные единицы магнитных величин
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •Алфавитно-Предметный указатель
- •Оглавление
- •424000 Йошкар-Ола, пл. Ленина, 3
- •424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова, 17
Идеальные кристаллы. Решетки Бравэ
Выше были описаны условия образования равновесной кристаллической решетки. Она представляет собой модель кристалла, описывающую расположение атомов (ионов, молекул) в пространстве. Различают решетки Бравэирешетки с базисом. В кристаллографии используют и другие системы классификации кристаллов [4].
В этом разделе мы будем рассматривать идеальные кристаллы– совершенные структуры, обладающие строгой периодичностью расположения атомов. Уже само название говорит о том, что таких кристаллов в природе нет, есть более или менее совершенные структуры, однако, понятие «идеальный кристалл» позволяет более наглядно представить структуры реальные.Решетки Бравэ, или трансляционные решетки, создаются с помощью операциипараллельного перемещения(трансляции) частиц (атомов, ионов). Вектор трансляции, гдеm,n,q– целые числа. В кристаллографии для аналитического описания кристалла используют трехмерную систему координат, которую выбирают в соответствии ссимметриейкристалла. Декартова система в этом случае неудобна, поскольку она прямоугольна и имеет равномасштабные оси координат. Такая система не позволяет достаточно полно и наглядно отразить основные свойства кристаллов, их симметрию и анизотропию. Оси кристаллографической системы координат, как правило, совпадают с векторами, на которых построенаэлементарная ячейка(рис. 1.2). Под элементарной ячейкой понимают минимальный объем кристалла, который еще сохраняет его структуру.
Рис. 1.2. Элементарная ячейка: ,α,β,γ – параметры ячейки кристалла
Все элементарные ячейки кристалла имеют одинаковую структуру и объем. Во всех вершинах ячеек располагаются атомы или группы атомов. Их называют узлами решетки. В зависимости от соотношения параметров ячейки различают семь типов симметрий, или сингоний Бравэ (табл. 1.1).
Таблица 1.1
Решетки Бравэ
Сингония |
Параметры ячейки |
Возможная структура ячейки | |
углы |
ребра | ||
триклинная |
α≠β≠с≠90º |
a≠b≠c |
ПР |
моноклинная |
α=γ=90º, β≠90º |
a≠b≠c |
ПР, БЦ |
ромбическая |
α=β=γ=90º |
a≠b≠c |
ПР, БЦ, ГЦ, ОЦ |
тетрагональная |
α=β=γ=90º |
a=b≠c |
ПР, ОЦ |
тригональная (ромбоэдрическая) |
α=β=γ≠90º |
a=b=c |
ПР |
гексагональная |
α=β=90º, γ=120º |
a=b≠c |
ПР |
кубическая |
α=β=γ=90º |
a=b=c |
ПР, ОЦ, ГЦ |
Различают четыре типа структуры элементарных ячеек. Примитивная ячейка(ПР)содержит частицы только в вершинах. С учетом соседних ячеек, на такую ячейку приходится один атом.
Базоцентрированная(БЦ)ячейка кроме частиц в узлах имеет частицы в центрах верхней и нижней граней.
Если добавить частицы в центры остальных граней, получим гранецентрированную(ГЦ)элементарную ячейку с четырьмя частицами.
Объемноцентрированная(ОЦ)ячейка отличается от примитивной тем, что содержит в центре еще одну частицу.
Очевидно, что существует 14 различных решеток Браве (четвертый столбец таблицы). Можно строго доказать, что это действительно так.
Однако существуют кристаллические решетки, структура которых не совпадает ни с одной из решеток Браве. Такую решетку можно представить в виде двух вставленных друг в друга решеток Бравэ, их расстояние друг относительно друга описывается дополнительным вектором а, называемымбазисным.
Такую решетку называют решеткой с базисом. Ее можно построить с помощью тех же трансляций, что и каждую из составляющих решеток Бравэ, но при этом нужно транслировать не один, а несколько узлов – базис. Например, решетку типа алмаза можно образовать двумя вставленными друг в друга ГЦК решетками, смещенными на ¼ диагонали ячейки.
Представим себе трехмерную кристаллическую структуру любой сингонии. Перемещаясь по тесной структуре в различных направлениях, мы на единицу длины встретим различное число частиц, т. е. «линейная плотность» кристалла зависит от направления. Очевидно, это одна из причин анизотропии свойств кристалла. Следовательно, в кристалл необходимо ввести некие правила ориентации. Такими «координатами» являются индексы Миллерадля узлов, направлений и плоскостей.
Индексы узлов. Положение любого узла кристаллической решетки относительно выбранного начала координат определяется заданием трех координат (рис. 1.3,а) –x,y,z, которые можно выразить так:
x=ma,y=nb,z=qc,
где a,b,c– параметры решетки,
m,n,q, целые числа.
Если за единицы измерения длины принять параметры решетки, то координатами узла будут числа m,n,q. Они называются индексами Миллера для узла и записываются в двойных квадратных скобках – [[mnq]].
Индексы направлений. Для описания направления в кристалле выбирается вектор, проходящий через начало координат и через первый на его пути узел [[mnq]]. Поэтому индексы этого узла определяют индексы направлений – [mnq] (рис. 1.3,б).
а)
б)
в)
а) б) в)
Рис. 1.3. Индексы Миллера: a– индексы узлов;б– индексы направлений;
в– индексы плоскостей
Индексы плоскостей. Для нахождения индексов плоскости можно определить отрезки, отсекаемые ее на осях координатM,N,Q. Затем находят обратные величины 1/m, 1/n, 1/qи полученные дроби приводят к общему знаменателюD,m=D/M,n=D/N,q=D/Q. Полученные целые числа и есть индексы плоскостей (m,n,q).
Можно найти индексы плоскостей и другим способом, учитывая, что плоскость и перпендикулярное ее направление имеют одинаковые индексы (рис. 1.3, б,в).