- •Предисловие
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Введение
- •Концептуальная диаграмма
- •Контрольныевопросыизадания
- •Глава 1структура и свойства твердых тел
- •Равновесное расположение частиц в кристалле
- •Идеальные кристаллы. Решетки Бравэ
- •Решетки Бравэ
- •Нормальные колебания решетки. Фононы
- •Структура реальных кристаллов
- •Структурозависимые свойства
- •Жидкие кристаллы
- •1.7. Аморфное состояние
- •Контрольныевопросыизадания
- •Глава 2физические основы квантовой механики
- •2.1. Волновые свойства микрочастиц
- •2.2. Уравнение Шредингера. Волновая функция
- •2.3. Свободный электрон. Фазовая и групповая скорости
- •2.4. Электрон в потенциальной яме
- •2.5. Туннелирование микрочастиц сквозь потенциальный барьер
- •Коэффициент прозрачности барьера
- •2.6. Квантовый гармонический осциллятор
- •2.7. Водородоподобный атом. Постулат Паули
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 3элементы статистической физики
- •3.1. Термодинамическое и статистическое описание коллектива. Функция распределения
- •3.2. Фермионы и бозоны. Вырожденные и невырожденные коллективы
- •Возможные варианты состояний
- •3.3. Функция распределения Максвелла-Больцмана Химический потенциал
- •3.4. Функция распределения Ферми-Дирака. Энергия Ферми
- •3.5. Функция распределения Бозе-Эйнштейна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 4элементы зонной теории твердых тел
- •4.1. Обобществление электронов в кристалле
- •4.2. Модель Кронига-Пенни
- •4.3. Зоны Бриллюэна
- •4.4. Эффективная масса электрона
- •4.5. Зонная структура изоляторов, полупроводников и проводников. Дырки
- •4.6. Примесные уровни
- •Донорные примеси
- •Акцепторные примеси
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 5электропроводность твердых тел
- •5.1. Проводимость и подвижность носителей
- •5.2. Механизмы рассеяния и подвижность носителей
- •5.3. Концентрация носителей и уровень Ферми в полупроводниках
- •5.4. Электропроводность полупроводников
- •5.5. Электропроводность металлов и сплавов
- •5.6. Сверхпроводимость
- •Температура сверхпроводящего перехода
- •5.7. Основы теории Бардина – Купера – Шриффера
- •5.8. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 6 равновесные и неравновесные носители заряда
- •6.1. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей. Время жизни
- •6.2. Уравнения непрерывности
- •6.3. Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •3 − Экситонное поглощение; 4 − решеточное поглощение;
- •5 − Поглощение свободными носителями
- •2 − Полупроводниковая пленка; 3 − контактные площадки; 4 − защитное покрытие
- •6.4. Полупроводники в сильном электрическом поле
- •6.5. Токовые неустойчивости в сильных электрических полях
- •6.6. Эффект Ганна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 7 Контактные явления
- •7.1. Работа выхода электрона. Контакт металл – металл
- •7.2. Контакт металл – полупроводник
- •7.3. Электронно-дырочный переход
- •7.4. Выпрямляющее действие p-n-перехода. Пробой
- •7.5. Гетеропереходы
- •7.6. Эффект Зеебека
- •7.7. Эффект Пельтье
- •7.8. Фотоэффект в p-n – переходе. Фотодиоды
- •7.9. Излучательные процессы в p-n – переходе. Светодиоды
- •Инжекционные полупроводниковые лазеры
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 8поверхностные явления в полупроводниках
- •8.1. Поверхностные энергетические состояния
- •8.2. Зонная диаграмма и заряд в приповерхностном слое
- •8.3. Поверхностная проводимость
- •8.4. Эффект поля. Полевые транзисторы
- •8.5. Влияние состояния поверхности на работу полупроводниковых приборов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 9 Электронные процессы в тонких пленках и тонкопленочных структурах
- •9.1. Структура и свойства тонких пленок
- •Механизмы электропроводности в диэлектрических пленках
- •9.2. Контакт металл-диэлектрик. M-д-m – структура
- •Глубина обогащенного слоя [20]
- •Глубина области обеднения
- •9.3. Туннелирование сквозь тонкую диэлектрическую пленку
- •9.4. Токи надбарьерной инжекции электронов
- •9.5. Токи, ограниченные пространственным зарядом
- •9.6. Прохождение горячих электронов сквозь тонкие металлические пленки
- •9.7. Активные устройства на основе тонкопленочных структур
- •1. Диоды с резонансным туннелированием
- •2. Диэлектрические диоды
- •3. Тонкопленочный триод на основе топз
- •4. Транзисторы на горячих электронах
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 10 перспективы развития микроэлектроники
- •10.1. Ограничения интегральной электроники
- •10.2. Функциональная электроника
- •10.3. Системы пониженной размерности. Наноэлектроника
- •10.4. Квантовые одно- и двумерные структуры
- •10.5. Квантовые точки. Одноэлектроника
- •3 А) б) игла островок изолятор затвор исток
- •Контрольные вопросы и задания
- •Заключение
- •Приложения п.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы си Основные единицы
- •Некоторые производные механические единицы
- •Некоторые производные единицы электрических величин
- •Некоторые производные единицы магнитных величин
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •Алфавитно-Предметный указатель
- •Оглавление
- •424000 Йошкар-Ола, пл. Ленина, 3
- •424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова, 17
Равновесное расположение частиц в кристалле
Известно, что все тела, включая твердые, состоят из атомов. Возникает вопрос: почему твердые тела являются твердыми, т.е. устойчивыми к внешним механическим воздействиям.
Ответ прост: между ними существуют силы взаимодействия(притяженияFпр и отталкиванияFотт), причем они должны быть равными между собой (Fпр=Fотт).
Характер сил отталкивания можно определить, зная энергию связи атомов в твердом теле. Она составляет единицы электрон-вольт. Из известных взаимодействий (сильное ядерное, слабое, гравитационное и электромагнитное), учитывая расстояние между атомами и величину энергии взаимодействия, можно выбрать электрическоевзаимодействие. Таким образом, за отталкивание атомов отвечают знакомые нам кулоновские силы взаимодействия однополярных зарядов. Характер сил притяжения нам также знаком. Эти силы химической связи: ионная, ковалентная, металлическая, молекулярная.
Силы взаимодействия становятся существенными на достаточно малых расстояниях, близких к расстоянию между атомами в твердом теле.
Современная теория дает такую зависимость для силы притяжения:
(1.1)
где b,m– постоянные, зависящие от вида химической связи. Например, в ионных и металлических кристаллахm= 1.
Силы отталкивания приближенно могут быть описаны формулой
(1.2)
где cиn– постоянные, зависящие от природы атомов. Силы притяжения и отталкивания обуславливают потенциальную энергию взаимодействия атомов. Поскольку, составляющие потенциальной энергии взаимодействия атомов будут иметь вид:
(1.3)
(1.4)
где B=b/m;
C=c/n.
На рис. 1.1 показаны графики составляющих потенциальной энергии, а также полной энергии взаимодействия атомов.
U(r)
Рис. 1.1. Графики составляющих и полной потенциальной энергии
Как видно на рисунке, точка (r0,U0) соответствуетравновесному состоянию атомов, когдаFпр.=Fотт., а функцияU(r) имеет минимум. Состояние с минимальной энергией является равновесным, т.е.устойчивым, аr0=a– расстоянию между атомами в твердом теле. При малом отклонении от равновесия система возвращается в исходное состояние.
В реальных условиях картина оказывается более сложной, поскольку атом в кристаллической решетке испытывает влияние окружающих атомов и задача превращается в задачу многих тел. Однако, несмотря на это, качественная картина равновесного, устойчивого состояния атомов в кристаллической решетке остается той же.
В реальных кристаллических решетках атомы никогда не находятся в статическом положении устойчивого равновесия, но совершают колебательные движениявокруг него. Природа этих колебаний может быть различной, например, механической, однако всегда существуют тепловые колебания, амплитуда которых возрастает с повышением температуры. При повышении температуры возможен случай, когда энергия теплового колебательного движения превысит энергию связи частиц. В этом случае частица не возвратится в равновесное состояние и химическая связь будет разорвана. Возможно испарение частицы с поверхности или миграция ее внутри твердого тела. Многие элементы и химические соединения в силу сложной структуры электронных оболочек и кристаллической решетки могут иметь не один, а два или более минимумов энергии. Каждый минимум соответствует определенному виду кристаллической решетки. В этом случае элемент или соединение кристаллизуется в такой решетке, которая соответствует наиболее глубокому минимуму энергии для данных условий. При изменении условий (температура, давление) может произойти перестройка кристаллической структуры, сопровождающаяся переходом в другой минимум потенциальной энергии. Такое явление получило названиефазового перехода. Примером таких переходов могут служить уже рассмотренные переходы белое олово – серое олово, алмаз – графит, а также обратные переходы.