
- •Предисловие
- •Условные обозначения
- •Список сокращений
- •Введение
- •Концептуальная диаграмма
- •Контрольныевопросыизадания
- •Глава 1структура и свойства твердых тел
- •Равновесное расположение частиц в кристалле
- •Идеальные кристаллы. Решетки Бравэ
- •Решетки Бравэ
- •Нормальные колебания решетки. Фононы
- •Структура реальных кристаллов
- •Структурозависимые свойства
- •Жидкие кристаллы
- •1.7. Аморфное состояние
- •Контрольныевопросыизадания
- •Глава 2физические основы квантовой механики
- •2.1. Волновые свойства микрочастиц
- •2.2. Уравнение Шредингера. Волновая функция
- •2.3. Свободный электрон. Фазовая и групповая скорости
- •2.4. Электрон в потенциальной яме
- •2.5. Туннелирование микрочастиц сквозь потенциальный барьер
- •Коэффициент прозрачности барьера
- •2.6. Квантовый гармонический осциллятор
- •2.7. Водородоподобный атом. Постулат Паули
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 3элементы статистической физики
- •3.1. Термодинамическое и статистическое описание коллектива. Функция распределения
- •3.2. Фермионы и бозоны. Вырожденные и невырожденные коллективы
- •Возможные варианты состояний
- •3.3. Функция распределения Максвелла-Больцмана Химический потенциал
- •3.4. Функция распределения Ферми-Дирака. Энергия Ферми
- •3.5. Функция распределения Бозе-Эйнштейна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 4элементы зонной теории твердых тел
- •4.1. Обобществление электронов в кристалле
- •4.2. Модель Кронига-Пенни
- •4.3. Зоны Бриллюэна
- •4.4. Эффективная масса электрона
- •4.5. Зонная структура изоляторов, полупроводников и проводников. Дырки
- •4.6. Примесные уровни
- •Донорные примеси
- •Акцепторные примеси
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 5электропроводность твердых тел
- •5.1. Проводимость и подвижность носителей
- •5.2. Механизмы рассеяния и подвижность носителей
- •5.3. Концентрация носителей и уровень Ферми в полупроводниках
- •5.4. Электропроводность полупроводников
- •5.5. Электропроводность металлов и сплавов
- •5.6. Сверхпроводимость
- •Температура сверхпроводящего перехода
- •5.7. Основы теории Бардина – Купера – Шриффера
- •5.8. Эффекты Джозефсона
- •Параметры слабосвязанных сверхпроводниковых структур, изготовленных методами интегральной технологии
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 6 равновесные и неравновесные носители заряда
- •6.1. Генерация и рекомбинация неравновесных носителей. Время жизни
- •6.2. Уравнения непрерывности
- •6.3. Фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •3 − Экситонное поглощение; 4 − решеточное поглощение;
- •5 − Поглощение свободными носителями
- •2 − Полупроводниковая пленка; 3 − контактные площадки; 4 − защитное покрытие
- •6.4. Полупроводники в сильном электрическом поле
- •6.5. Токовые неустойчивости в сильных электрических полях
- •6.6. Эффект Ганна
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 7 Контактные явления
- •7.1. Работа выхода электрона. Контакт металл – металл
- •7.2. Контакт металл – полупроводник
- •7.3. Электронно-дырочный переход
- •7.4. Выпрямляющее действие p-n-перехода. Пробой
- •7.5. Гетеропереходы
- •7.6. Эффект Зеебека
- •7.7. Эффект Пельтье
- •7.8. Фотоэффект в p-n – переходе. Фотодиоды
- •7.9. Излучательные процессы в p-n – переходе. Светодиоды
- •Инжекционные полупроводниковые лазеры
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 8поверхностные явления в полупроводниках
- •8.1. Поверхностные энергетические состояния
- •8.2. Зонная диаграмма и заряд в приповерхностном слое
- •8.3. Поверхностная проводимость
- •8.4. Эффект поля. Полевые транзисторы
- •8.5. Влияние состояния поверхности на работу полупроводниковых приборов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 9 Электронные процессы в тонких пленках и тонкопленочных структурах
- •9.1. Структура и свойства тонких пленок
- •Механизмы электропроводности в диэлектрических пленках
- •9.2. Контакт металл-диэлектрик. M-д-m – структура
- •Глубина обогащенного слоя [20]
- •Глубина области обеднения
- •9.3. Туннелирование сквозь тонкую диэлектрическую пленку
- •9.4. Токи надбарьерной инжекции электронов
- •9.5. Токи, ограниченные пространственным зарядом
- •9.6. Прохождение горячих электронов сквозь тонкие металлические пленки
- •9.7. Активные устройства на основе тонкопленочных структур
- •1. Диоды с резонансным туннелированием
- •2. Диэлектрические диоды
- •3. Тонкопленочный триод на основе топз
- •4. Транзисторы на горячих электронах
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 10 перспективы развития микроэлектроники
- •10.1. Ограничения интегральной электроники
- •10.2. Функциональная электроника
- •10.3. Системы пониженной размерности. Наноэлектроника
- •10.4. Квантовые одно- и двумерные структуры
- •10.5. Квантовые точки. Одноэлектроника
- •3 А) б) игла островок изолятор затвор исток
- •Контрольные вопросы и задания
- •Заключение
- •Приложения п.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы си Основные единицы
- •Некоторые производные механические единицы
- •Некоторые производные единицы электрических величин
- •Некоторые производные единицы магнитных величин
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •Алфавитно-Предметный указатель
- •Оглавление
- •424000 Йошкар-Ола, пл. Ленина, 3
- •424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова, 17
3.5. Функция распределения Бозе-Эйнштейна
Функция распределения для вырожденного газа бозонов называется функцией Бозе-Эйнштейна и имеет вид
.
(3.30)
В условиях равновесия бозоны имеют
минимум свободной энергии. Поэтому их
химический потенциал
.
Наиболее важными представителями класса бозонов при решении задач данного курса являются фотоны и фононы. Их энергия зависит от частоты Е=hν, поэтому выражение (3.30) можно записать в виде
.
(3.31)
С учетом вышесказанного можно записать выражение для полной функции
.
(3.32)
Графики функции распределения (3.31), а также полной функции распределения (3.32) показаны на рис. 3.5.
а)б)
Рис. 3.5. Графики функций распределения Бозе-Эйнштейна: а– функция распределения;б– полная функция распределения
Как видно из графиков, с понижением температуры число бозонов с малыми энергиями уменьшается, уменьшается также общее число частиц.
Для функции Бозе-Эйнштейна также возможно снятие вырождения, если экспонента много больше единицы
.
(3.33)
Однако это справедливо не для любых бозонов. Как уже отмечалось, для фотонов и фононов μБ=0, следовательно, эти системы всегда являются вырожденными.
В заключение проведем сравнение трех рассмотренных статистик. Классические микрочастицы в принципе различимы, квантовые – нет. Отличие фермионов от бозонов заключается в том, что к ним применим принцип Паули.
На рис. 3.6 приведены графики всех трех функций распределения.
Рис. 3.6. Графики функций распределения Максвелла-Больцмана (fМ),
Ферми-Дирака (fФ) и Бозе-Эйнштейна (fБ)
На графиках видно, что значения функций распределения для малых энергий сильно отличаются, но при больших значениях энергии квантовые статистики переходят в классическую статистику Максвелла-Больцмана. Применение классической статистики оказывается допустимым, поскольку в каждом состоянии оказывается в среднем меньше одной частицы. Из сказанного можно сделать вывод о возможности замены в определенных условиях квантовых функций на классическую функцию распределения.
Контрольные вопросы и задания
Чем отличается термодинамический подход к описанию коллектива?
В чем смысл первого начала термодинамики?
Дайте понятие термодинамической системы.
Сформулируйте второе начало термодинамики.
Что такое энтропия?
Сформулируйте условия термодинамического равновесия гетерогенной (гомогенной) системы.
Определите понятие химического потенциала.
В чем сущность статистического способа описания?
Дайте определение полной функции распределения.
Дайте определение функции распределения
В чем различие классических и квантовых частиц?
Что называют фермионом?
Что называют бозоном?
Какие системы называют вырожденными?
Каков критерий вырожденности?
Определите плотность состояний для электронов проводника в интервале 3,2...3,5 эВ.
Запишите выражение функции Максвелла-Больцмана.
Определите вероятность нахождения α-частицы в интервале от 5,0 до 5,5 эВ при комнатной температуре если концентрация составляет 106см-3.
Какие параметры оказывают влияние на величину химического потенциала?
Нарисуйте и опишите графики функции распределения Максвелла-Больцмана.
Запишите выражение для N(υx).
Запишите выражение функции Ф-Д.
Приведите график функции Ф-Д для Т=0.
Как влияет температура на поведение фермионов?
Рассчитайте число электронов в чипе полупроводника V=1 мм3в диапазоне 1,0...1,2 эВ (Т=0).
Дайте понятие уровня Ферми.
Определите энергию Ферми для электронов, если Т=0,n=1022см-3.
Определите среднюю энергию электронов для предыдущей задачи.
Приведите условие снятия вырождения функции Ферми-Дирака.
В чем различие поведения невырожденного и вырожденного электронного газа?
Что представляет собой функция Бозе-Эйнштейна?
Приведите графики функции распределения.
Запишите функции распределения для фотонов.
Запишите функции распределения для фононов.