Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Электродинамика и распространение радиоволн. Учебное пособие

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
08.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
☆
ски. Перейдем к реальным частям комплексных величин. Напря-

L
женность электрического поля запишется в следующем виде:

EEEe tkz

Re cos .
kz
0
(5.23)
На рис. 5.5 кривая 1 соответствует сомножителю cos( )tkz
 ,
кривая 2 — сомножителю, характеризующему затухание, кривая 3 — результирующая.
E
E
3
0
o
1

kz
e
z
2
E
0
Рис. 5.5. К вопросу затухания электромагнитных волн
в поглощающих средах
Затухание на расстоянии, равном длине волны, легко опреде-
лить. Разделим модуль напряженности поля в точке А на его значе­ние в точке В. Расстояние между этими точками равно .

E
А
 (5.23а)
Е
ee e
В
jt jkz kz
ee e
jt jkz k z
  

() ()

k
e
.
Если рассматривать не мгновенное значение напряженности поля, а его среднее значение, то вместо длины волны можно зада­вать любую длину l.
Затухание L в неперах определяется по формуле
Е
ср
Е
ср
А
В

Нп
ln .
kl
121
Чаще затухание дается в децибелах:
L

Е
ср
Е
ср
А
В

Lkl
дБ
20lg 20 ;
8, 69 .
дБ Нп
L
5.4.2 Волновое число в поглощающих средах
Выразим вающие электромагнитные свойства среды. Как уже говорилось, в поглощающих средах это комплексные величины. Будем рас­сматривать немагнитные среды, т.е. 0
где
тельные части получившегося комплексного уравнения. Приравня­ем также квадраты модулей комплексных чисел. Получим два уравнения:

Возведем равенство (5.24) в квадрат и приравняем действи-
, tg
k


и

k
через макроскопические параметры, описы-
    
.
222

() ( ) ;kk
0
(1 tg ) ,kj   
0
 
и

0
 . В этом случае
0
;kj
(5.24)
(5.25)
222
Отсюда
Эти выражения описывают электромагнитные волны в любой среде.

() ( ) 1tg .kk


k
  (5.27)

k
  (5.28)
0
2

0
2
122
0
1tg 1;
1tg 1.
2
2
(5.26)
5.4.3 Электромагнитные волны в диэлектрике
Рассмотрим типичный диэлектрик, для которого
tg1.
 (5.29)
Учитывая, что при условии (5.29) можно воспользоваться раз-
ложением в ряд Тейлора
2
tg
1 tg 1 ...,
2

2
получим из (5.27):

k
   
0
21.
22
tg tg
22 8
Для идеального диэлектрика
k

 
0

(5.30)

. Сравнивая с выраже-
0
нием (5.30), видим, что постоянная распространения электромаг­нитных волн в реальном диэлектрике при выполнении условия (5.29) практически не отличается от постоянной распространения в идеальном диэлектрике. То есть можно считать, что
2
k    или
0
Из соотношения (5.28) определим
 

k
 
00
tg .
222

kk
k
:


.
0
(5.31)
Из анализа формулы (5.31) следует, что затухание электромаг­нитной волны в хорошем диэлектрике невелико, так как проводи­мость в такой среде очень мала.
123
5.4.4 Электромагнитные волны
в проводящих средах
В случае проводящих сред tg 1
 .
Из выражений (5.27), (5.28) получаем
tg
   


kk
000
22 2

(5.32)
.
Анализируя соотношение (5.32), можно сделать следующие
выводы:
– затухание электромагнитных волн в проводящей среде зави­сит от частоты, а так как проводимость велика, то велико и затуха­ние;
– проводящая среда является дисперсионной, так как в ней фа­зовая скорость зависит от частоты:
2
 
ф
k
.
0
Как видно, реальные проводники и диэлектрики резко разли­чаются по характеру распространения электромагнитных волн.
5.4.5 Поверхностный эффект
Согласно формуле (5.32) пространственное распределение поля волны, распространяющейся в проводнике, оказывается резко апе­риодическим. Рассмотрим проникновение электромагнитного поля вглубь проводника. Затухание определяется после подстановки (5.32) в (5.23а):

0
l
Е
Е
А
В
Определим расстояние

kl
ee
 (5.33)
0
, на котором поле затухает в е раз:
2
.
Е
Е
0
1
ee

124
0
k
(5.34)
.
Отсюда
f
Величина
00


0
называется глубиной проникновения электромаг-
1.k
12
(5.35)

k

0
нитного поля в проводник или толщиной скин-слоя.
Эффект проникновения поля на очень небольшую глубину в проводнике называется скин-эффектом или поверхностным эффек­том (рис. 5.6).
E
E
0
E
1
o
z
0
E
0
Рис. 5.6. К определению толщины скин-слоя
Чтобы оценить глубину проникновения поля, определим тол­щину скин-слоя меди на частоте 1
7
610  См/м:
06
 
2 10 4 10 6 10 6 10
977 9
    
211
ГГц. Проводимость меди
210 м.
2
Из приведенного примера видно, что глубина проникновения электромагнитного поля на высоких частотах очень мала и это важно с практической точки зрения.
125
Контрольные вопросы
j
1. По какому признаку электромагнитные волны делят на
плоские и сферические ?
2. Дайте определение фронта волны.
3. Объясните, почему выражение

EEe
m
волне, распространяющейся вдоль оси z.
4. Запишите выражение для комплексной амплитуды напря­женности электрического поля сферической волны в идеальном ди­электрике.
5. Дайте определение волнового сопротивления среды. Можно ли утверждать, что это сопротивление среды распространению вол­ны?
6. За какое время электрический вектор в волне с эллиптиче­ской поляризацией делает полный оборот?
kz
0
соответствует
7. Во сколько раз уменьшится амплитуда электрического век­тора в среде с 3k

дБ/м на расстоянии 2 м.
8. Получите формулу для волнового сопротивления в провод­никах. Какой физический смысл имеют его вещественная и мнимая части?
9. Сравните фазовые скорости, длины волн и коэффициенты затухания для волн, распространяющихся в вакууме и меди

    

610 , 4 10

Ответ: в вакууме
в меди
1Гн
67
Ом м м
0
3 10 , 300 м, 0;
vk
 
ф
м1

vk
408 , 4,08 10 м, 1,54 10 .
ф
см
м
8
на частоте 1 МГц.

с
44

10. В чем заключается скин-эффект и что является его причи­ной в проводниках?
126
6 Плоские электромагнитные волны
D
x
yyyy
в анизотропных средах
6.1 Анизотропные среды
До сих пор мы рассматривали электромагнитные поля в изо-
тропных средах. Для таких сред соотношения, связывающие векто-
B и H , D и E , имели вид
ры
Так как и
и
H , D и E в изотропных средах параллельны между собой.
являются скалярными величинами, то векторы B
BH
,
. (6.1)
E
Каждое из векторных равенств (6.1) можно заменить тремя
скалярными уравнениями:
BHDE
BHDE
BHDE

;;
xx x

;;
 
zzzz
;.
(6.2)
Отсюда видно, что в изотропных средах функционально связа­ны между собой только одноименные проекции векторов поля. Свойства таких сред одинаковы в любых направлениях.
Наряду с изотропными существуют среды, которые в разных направлениях обнаруживают различные электромагнитные свой­ства. Эти среды называются анизотропными.
Напомним некоторые сведения из первого раздела.
В анизотропных средах каждая проекция векторов
общем случае может зависеть от трех проекций векторов
B и D в
H или E
соответственно.
Поэтому для них равенства (6.2) должны быть заменены более сложными соотношениями:
127
x
BHHH
x
y
yy y
y
x
y
yy y
y
x
y
D
  
xx x xy y xz z
;
BHHH
  
yyxxyyyyzz
BHHH
  
zzxxzyyzzz
DEEE
  
xxxxxyyxzz
DEEE
  
yyxxyyyyzz
DEEE
  
zzxxzyyzzz
;
;
(6.3)
;
;
.
Совокупность величин, на которые согласно системе равенств (6.3) необходимо умножать проекции векторов ления проекций векторов
B и D, принято условно записывать в ви-
H и E для опреде-
де матриц:


xxyxz

ˆ
 

x



zx z

zz
;
z


xxyxz

ˆ
 

x



zx z

(6.4)
.
z
zz
Введенные по формулам (6.4) совокупности чисел носят наименование тензоров магнитной и диэлектрической проницаемо­сти. Числа , , и , ,
тами тензоров
  и т.д. называются компонен-
xxyxz xx x
ˆ
и ˆ. Компоненты могут быть как вещественными,
xz
так и комплексными величинами. В частных случаях некоторые из них обращаются в нуль.
В результате введения тензоров магнитной и диэлектрической проницаемости уравнения (6.1) для анизотропных сред приобрета­ют компактный вид
ˆ
,BH
ˆ
E
. (6.5)
В общем случае для определения поля в анизотропной среде необходимо решать уравнения Максвелла в предположении, что магнитная и диэлектрическая проницаемости являются тензорами типа (6.4). Эта задача отличается значительной сложностью. К сча­стью, в природе не известны вещества, у которых магнитная и ди­электрическая проницаемости одновременно имеют тензорный ха­рактер. Поэтому в дальнейшем среды, обладающие или магнитной,
128
или диэлектрической анизотропией, целесообразно рассматривать
D
j
раздельно. Первые из них характеризуются уравнениями
,.
EB H
 (6.6)
ˆ
У вторых сред тензором является только диэлектрическая про-
ницаемость. Для них имеем:
ˆ

,.DEB H
(6.7)
Следует отметить, что проводимость также может быть тен­зорной величиной. Для среды с тензорной проводимостью закон Ома в дифференциальной форме принимает вид
ˆ
.
E
ˆ
Определение тензора проводимости
аналогично (6.4).
Если тензор имеет только диагональные элементы и они равны друг другу, то он обращается в скаляр и, следовательно, описывает изотропную среду. Если эти диагональные элементы не равны, то описываемая среда анизотропная. Если присутствуют симметрич­ные отличающиеся друг от друга элементы, то тензор соответствует среде, называемой гиротропной. Гиротропная среда — среда, обладающая способностью вращать плоскость поляризации рас­пространяющихся в ней линейно поляризованных электромагнит­ных волн.
Типичными представителями анизотропных сред, наиболее ча­сто встречающихся в практике, являются кристаллы. Намагничен­ные постоянным магнитным полем феррит и ионизированный газ (плазма) являются гиротропными средами. Далее рассмотрим эти среды.
129
6.2 Электромагнитные волны в кристаллах
6.2.1 Классификация кристаллов по их электромагнитным свойствам
Когда речь идет о распространении электромагнитных волн в кристалле, говорят о его оптических свойствах. Именно в оптиче­ском диапазоне чаще всего используются кристаллы на практике.
Прохождение света через анизотропное вещество, оптические свойства которого в разных направлениях не одинаковы, сопро­вождается рядом своеобразных явлений. Эти явления имеют боль­шое принципиальное и практическое значение. Особенности элек­тромагнитных явлений в анизотропных средах связаны с тем, что индуцированный электромагнитной волной дипольный момент элемента объема среды не совпадает по направлению с электриче­ским полем воздействующей волны. То есть вектор напряженности электрического поля не параллелен вектору поляризации. Это про­исходит потому, что в анизотропном веществе под действием внешней силы элементарные заряды смещаются в одних направле­ниях легче, чем в других. Физическая природа анизотропии веще­ства связана с особенностями строения его молекул или с особен­ностями кристаллической решетки, в узлах которой находятся атомы или ионы. В таких условиях модель изотропного осциллято­ра для описания оптического электрона в атоме может оказаться непригодной, так как действующая на него возвращающая сила при смещении из положения равновесия обусловлена не только сфери­чески симметричным полем ионного остова, но и полем соседних атомов или ионов, которое имеет более низкую симметрию.
Изучать распространение света в анизотропных средах в этом подразделе будем не с учетом их атомной структуры, а с помощью феноменологической электромагнитной теории. В рамках такой теории анизотропия учитывается тем, что в материальном уравне­нии проницаемость или представляет собой тензор (а не ска-
ляр, как в изотропной среде).
Оптические свойства кристалла зависят в первую очередь от его структуры, определяющей симметрию диэлектрического тензо-
130
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]