![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Трусов Л.И. Островковые металлические пленки
.pdfВеличина ш1гвычисляется на основе положений ки нетической теории идеальных газов и, следовательно, вы ражение для нее справедливо, если концентрация атом ных групп на поверхности мала и можно пренебречь мно гочастичными столкновениями.
В работе [142] предпринята попытка получить точное решение системы уравнений, составленной подобно систе ме уравнений (103), описывающей процесс роста атом ных групп от одноатомной де /-атомной включительно. Такое решение возможно найти в двух случаях. Первый случай соответствует начальным стадиям кристаллиза ции (малым заполнениям монослоя). Предполагается, что концентрация одиночных атомов на поверхности оп ределяется только процессами адсорбции и реиспарения, но не процессами присоединения или отрыва от группы атомов. В рассматриваемой модели вероятность присое динения моноатома к группе пропорциональна перимет ру последней и, следовательно, на достаточно поздних стадиях роста, когда па поверхности образуются много атомные группы, эта вероятность может стать сравнима с вероятностью реиспарения. В этом случае число /-атом ных групп на поверхности равно:
Пі = Ni |
i |
- 2 ß " r |
V |
|
|
|
|
(104) |
|
|
|
k=2 |
|
|
|
|
|
|
|
где Ni — стационарная |
концентрация |
/-атомных |
групп, |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
г—і |
|
равная |
^ |
^ ■, а коэффициенты В ц = 1 |
^ ß k i , |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
k~2 |
|
Вы = Bkk 2 |
Vk + i |
’ |
|
|
|
||||
|
/=*+1 1- |
|
|
|
|||||
|
|
|
Vi + i |
|
|
|
|
||
где k, j — числа натурального ряда, |
b j l = (WhiN{)~x— |
||||||||
|
среднее |
время |
формирования ^-атомной груп |
||||||
|
пы. |
|
справедливое при |
больших |
засе |
||||
Другое |
решение, |
||||||||
ленностях |
поверхности, |
дает правильное значение для |
числа многоатомных групп.
Цинемайстер применил способ решения, который со стоит в следующем: /-е уравнение системы решается при
80
начальных условиях, которые соответствуют тому, что число (/—1)-атомных групп скачком меняется от нуля до Ni- 1 в момент времени ті- ь который определяется рекуррентно из того условия, что в этот момент формиро вание (/—1)-атомных групп - завершено на 90%. Это граничное условие имеет вид:
П і« 2 • . • « i - l = = 0 , T < T i - i
|
(=» |
1 |
ОО |
(105) |
|
m-х = N t - 1 , Т > ti—x = У |
- f - |
+ |
, |
||
|
а= 2 |
bk |
Ьі |
|
|
где 2 |
~г----- 'Суммарное время формирования атомных |
||||
k = 2 |
* |
|
(/—1 |
) |
включительно]. |
|
групп [от двух до |
В этом случае решение, определяющее число /-атом ных групп на поверхности в момент времени т имеет вид
nt = Ni 1 — exp |
(106) |
Таким образом, предложены два аналитических ре шения, которые дают функцию распределения атомных групп по размерам (по числам атомов в группе) и ко торые справедливы при малых и больших значениях /• Была предпринята попытка [142, 144] «сшить» эти ре шения, однако оценка показывает, что «сшивка» проис ходит в такой области, в которой ни одно из решений не справедливо. Эта область при типичных значениях па раметров соответствует приблизительно 20—30-атом ным группам. По-видимому, с этим связано то обстоя тельство, что полученное таким образом решение даже качественно не согласуется с экспериментальными ре зультатами [146, 147], согласно которым функция рас пределения атомных групп по размерам имеет макси мум. Из результатов, полученных Цинсмайстером, сле дует ожидать монотонного убывания числа групп с рос том их размера.
В работе [148] метод кинетических уравнений был применен для анализа процесса роста в случае, когда возможно образование дефектов типа двойников, из-за того, что сорбированные атомы могут занимать позиции, соответствующие некогеренвной достройке решетки.
81
Для этого поверхность подложки представляли в ви де набора потенциальных ям, расположенных с симмет
рией, соответствующей |
кристаллографической |
плоско |
|||||||||||
сти. Потенциальные ямы могут отвечать |
|
когерентному |
|||||||||||
росту пленки (R) |
(глубокие) |
или образованию дефектов |
|||||||||||
(D) |
(мелкие ямы). В случае, например, плоскости |
(100) |
|||||||||||
кубической |
решетки подложки |
можно |
рассматривать |
||||||||||
только один вид мелких |
|
ям, плотность которых равна |
|||||||||||
плотности глубоких ям. |
Для |
скорости |
образования і- |
||||||||||
атомных зародышей при |
г > 2 |
|
имеем: |
|
|
|
|
||||||
йл<*> |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(107) |
||
dx |
2 |
В Д - і - ° № |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
dn<°> |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(108) |
||
dx |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
где |
Vs, i_i (vi,i) — скорости присоединения |
(отрыва) ада |
|||||||||||
|
|
|
томов к (і—'l)-атомной |
группе |
(от і- |
||||||||
|
|
|
атомной |
группы); |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
s, / = 1 , 2 , 3 . . . |
|
|
|
|
||||||
Если вероятности попадания атомов из потока в глу |
|||||||||||||
бокие и мелкие ямы равны, |
то до тех пор, пока |
мала |
|||||||||||
концентрация многоатомных |
групп, справедливы |
соот |
|||||||||||
ношения: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
dn\V |
— vd -\- Vda; |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
dx |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
dn[°> |
+ Vd— Vd„, |
|
|
|
|
|
|
|
(109) |
||||
dx |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Vd— скорость диффузионного перехода адатома из |
|||||||||||||
где |
|||||||||||||
|
глубокой |
ямы |
в |
мелкую; |
|
|
|
|
|||||
Vd0— скорость |
обратного |
процесса. |
|
|
|
|
|||||||
Принимается, что вероятности перескока адатома из |
|||||||||||||
данной ямы в соседние мелкие и глубокие |
в |
единицу |
|||||||||||
времени соответственно равны. Тогда: |
|
|
|
|
|||||||||
vd = |
п,(;г) 0,5 Vexp |
I — |
диф |
|
|
ad n\R): |
|
|
|
|
|||
kT |
|
|
|
|
|
|
|||||||
Vd0= |
«!D) 0,5 Vexp |
- |
—-'j = |
bdn[D) , |
|
|
|
|
|||||
где |
Ддиф и £диф — энергии атома в глубокой и мел' |
||||||||||||
кой яме соответственно, ѵ = |
1013 секгх. |
|
|
|
|
82
Решая систему уравнений |
(109) при начальных ус |
||||||
ловиях |
|
|
|
|
|
|
|
п<й) I = |
|
I= |
О, |
|
|
|
|
т=о |
|
т=о |
|
|
|
|
|
получаем: |
|
иг |
|
|
|
|
|
л}«) (т) |
|
7* |
a |
d ~ |
b d |
X |
|
|
ad + b d |
V dT |
2 (ad - b d) |
Л |
|||
X — exp |
— (ad + bd) T | U |
, |
|
(110) |
|||
n[D) (т) |
|
|
f |
|
ad |
bd |
|
ad - f bä |
\ a dT ----------------- X |
||||||
|
I |
2 |
(ad - b d) |
X(1 — exp [— (ad+ b d) t])} .
Распределение мономера между потенциальными ямами двух типов можно считать стационарным и рав новесным, если
» |
bd—ad |
( 111) |
|
2 (ad — bd) ad |
|||
|
так как при этом условии уравнение (ПО) дает отноше-
ние |
|
(г) |
—щ ----- , не зависящее от времени. Из выраже- |
||
|
п і |
' (т) |
ния |
(111) |
следует также, что в случае, когда bd^>ad, ха |
рактеристическое время установления равновесия рав-
но |
1 |
----- , т. е. определяется частотой переходов ато- |
|
|
2ad |
мов из глубоких ям. Если энергии ям обоих типов близ ки, то равновесие устанавливается мгновенно, т. е. при bd - ad Tg—0. Условием кристаллизации является следу ющее:
Tg « |
( 112) |
где А^о — плотность атомов на единицу поверхности кри сталла.
Соотношение (112) означает, что характеристическое время установления равновесия должно быть сущест венно меньше времени образования монослоя. В про
83
тивном случае конденсация должна происходить с об разованием аморфного тела.
Система уравнений типа (107) обсуждалась в ряде работ [90, 142, 144, 145]. Принципиальный способ пост роения таких систем был известен относительно давно, однако их аналитическое решение было дано лишь в немногих специальных случаях. Наиболее интересные решения этой нелинейной системы зацепляющихся диф ференциальных уравнений были получены в посдедние годы с помощью численных методов интегрирования на ЭВМ.
Для случаев, когда рассматривались когерентные и дефектные островки, имеющие от двух до шестидесяти и от двух до ста атомов включительно, интегрирование проводили на ЭВЦМ Минск-22 при шаге 0,1 мксек (для
начальных |
стадий — 0,01мксек) и значениях |
потоков в |
||||
диапазоне от 1015 до ІО18 см~2 сек~1. |
|
|
|
|||
Расчетные функции распределения островков по раз |
||||||
мерам при |
различных |
значениях интенсивности |
пучка |
|||
и температуры |
поверхности приведены |
на рис. 16, 17. |
||||
|
|
|
Рас. 16. Функции распределения |
|||
|
|
|
островков |
по размерам при раз |
||
|
|
|
личной степени |
заполнения по |
||
|
|
|
верхности |
т) (по |
данным рабо |
|
|
|
|
ты [148]): |
|
|
|
|
|
|
1,2—Ш-"4; |
з, 4—іо 3; 5,6—ЗХ |
||
|
|
|
X 10 3 (/f =1017 |
см |
2сек 1 , |
|
|
|
|
£ диф/кГ= |
10> |
|
|
|
Ю |
20 30 |
40 і |
|
|
|
На этих рисунках нечетными цифрами |
пронумерованы |
|||||
функции |
распределения регулярных островков, |
четны |
ми — дефектных. Кривые 1 и 2 на рис. 16 получены че рез ІО-6 сек, кривые 3 и 4 — через Ю~5 сек, а кривые 5 и 6 — через 3 -10-5 сек после начала роста. Поскольку значение плотности адатомов, соответствующее величи
не равновесной шероховатости, достигается |
уже |
через |
||
~10~7 сек после начала роста, |
то предположение, что |
|||
при т = 0 поверхность |
атомно-гладкая, не |
существенно. |
||
Как видно на рис. |
16, при |
заполнении ~0,1% |
мо- |
84
йослоя Достигается предельная плотность одиночных адатомов (Зу-5-1011 смг2) . В дальнейшем плотность мо номера уменьшается, а максимум распределения смеща ется в сторону более крупных островков. Уменьшение плотности мономера связано с тем, что скорость поступ ления последнего на поверхность из газовой фазы в ре зультате распада отдельных групп атомов ниже скоро сти, с которой мономер расходуется на рост остоовков. Плотность мономера в каждый последующий момент
Рис. 17. Функции распределения островков по размерам при различной сте пени заполнения поверхности *]:
/ , 2 - Ю - 3 ; 3 , ■#— і о - 2 ; 5 , 6 - з - Ю - 2 ; 7 , 8 - 6 - І О - 2 ; 9 , 1 0 - 1 0 1 і (I с = 10>»
_2 |
_1 |
|
|
_2 |
CJH сек Л Экспериментальные результаты |
соответствуют ^ =6-10 (/), |
|||
= ю -1 |
(II) |
|
|
|
времени ниже, чем в предыдущий, |
поскольку |
вероят |
||
ность |
присоединения мономера |
к |
большим |
группам, |
пропорциональная их периметру, непрерывно возраста
ет. Дифференциальная |
плотность групп |
в области до |
|||||
максимума |
снижается |
с |
течением времени. Это соот |
||||
ветствует тому, |
что скорость |
распада |
докритических |
||||
групп превышает скорость их образования. |
|||||||
Из сравнения |
функций |
распределения, полученных |
|||||
для одной |
и |
той |
же степени заполнения слоя, но для |
||||
разных интенсивностей |
пучка |
(например, кривая 1 на |
|||||
рис. 17 и кривая 3 |
на рис. |
16) |
видно, что максимум кри |
||||
вой для большей |
интенсивности пучка смещен в сторо |
85
ну меньших значений і. Эта тенденция соответствует хо рошо известному в термодинамической теории роста по ложению, согласно которому радиус критического заро дыша уменьшается с ростом пересыщения. Действи тельно, критическому зародышу соответствует группа, для которой средние частоты присоединения атомов ста новятся выше средних частот отрыва. Большие значения потока атомов соответствуют большим пересыщениям и при этом на поверхности зародыши меньшего размера имеют большую вероятность захватить мономер-
Преимущество молекулярной теории заключается в том, что она позволяет определять дифференциальную скорость роста, т. е. скорость роста групп любых разме ров, в том числе и критического зародыша.
Сравнение функций распределения, соответствующих различным плотностям потока, показывает, что энергия
активации поверхностной |
диффузии |
мономера |
£ диф |
Ддиф ) и температура |
являются |
значительно |
более |
критичными параметрами для морфологии поверхности, чем интенсивность потока.
Анализ функций распределения (рис. 16 и 17) по казывает, что их передний фронт, соответствующий об ласти многоатомных островков, в процессе роста сме щается в сторону более крупных зародышей пропорцио
нально величине у т, а положение максимума асимпто тически приближается к величине 7 -ІО7 см~2.
На рис. 17 сопоставлены расчетные [148] и экспери ментальные [146] функции распределения для пленок серебра на слюде.
Таким образом, метод кинетических уравнений по зволяет описать нестационарный рост пленки в услови ях сколь угодно сильно нарушенного равновесия. В рамках его можно оценить роль ряда процессов (напри мер, зарождение на локализованных примесях и точеч ных дефектах [149]). Если в уравнение включить слага емое, имеющее математическую структуру, предложен ную Смолуховским [150] для описания процессов коагу ляции в коллоидных растворах, то окажется возможным описание начальных стадий слияния островков [149] и появления у функции распределения второго максимума.
Вместе с тем рассматриваемый метод является полуэмпирическим, поскольку не существует какого-либо об
86
щего принципа построения уравнений, аналогичного принципу минимума свободной энергии в термодинами ке. Соответственно не известны критерии, руководству ясь которыми можно было бы правильно учитывать вклады различных процессов. Кроме того, метод не опи сывает коллективные взаимодействия (т. е. является существенно одночастичным), поскольку процессы упо рядочения атомов происходят в данном потенциальном поле, которое не зависит от структуры островков-
В заключение этого параграфа заметим, что в неко торых случаях у функций распределения островков по размерам наблюдался второй максимум [92^151]. Обыч но указывают три основные причины возникновения второго максимума. Первая из них связана с существо ванием двух типов центров для образования зароды шей (например, ступеней и плоских террас на сколах щелочно-галлоидных кристаллов). Каждый из максиму мов в этом случае связан с размером критического за
родыша, |
определяемого |
величиной энергетического |
|||
барьера для зарождения |
на центре данного типа. |
||||
Вторая |
причина сопряжена |
с' |
гипотезой о |
мигра |
|
ции островков. Действительно, |
если |
возникшие |
на на |
чальном этапе роста стабильные скопления атомов объ единяются в результате их миграции как единого цело го, то в случае, если зависимость скорости миграции островков от их размера немонотонна, часть площади подложки освобождается и при данном пересыщении возможно так называемое «вторичное зарождение».
Наконец, третья причина связана с контактировани ем неподвижных разрастающихся островков. При таком объединении степень заполнения поверхности подложки не уменьшается и вторичное зарождение невозможно. Однако в этом случае образуются группы, содержащие большое число атомов (равное суммарному числу ато мов в сталкивающихся группах). Скорость образования ^-атомных групп равна [150]:
dnk |
= 2 |
0іі Пі nk ■ |
(113) |
dx |
|||
|
і. |
1 |
|
Поскольку на первичном распределении имеется мак симум (природа которого подробно обсуждалась выше), в результате столкновений многоатомных групп должен
87
возникнуть второй максимум, являющийся как бы свое образным «эхом» первого. Действительно, пусть t'max есть число атомов в группе, соответствующей первому максимуму. Тогда из выражения (113) следует, что с наибольшей вероятностью будут образовываться группы размером 2гШах:
d п 2 і шах |
on 2 |
> |
d tim |
(114) |
d X |
*тах |
|
d X |
|
Моррис и Хейнс [92] изучали |
процесс конденсации |
золота на слюде в условиях, когда следует ожидать, что справедлива теория Уолтона. Из анализа зависимо стей скорости зарождения от скорости потока и обрат ной температуры подложки получается, что размер кри тического зародыша 4 в двух различных температур ных интервалах равен 1 или 0 (ср. с гл. I, п.4). Функция распределения островков по размерам имела два макси мума.
Моррис и Хейнс предположили, что каждый из мак симумов связан с независимым зарождением на цент рах, характеризующихся своим размером критического зародыша. Скорость зарождения для групп, соответст вующих первому максимуму, изменялась линейно с из менением плотности потока (т. е. 4 = 0 ), тогда как ско рость зарождения для групп, соответствующих второму максимуму, эта зависимость была квадратичной (4 = 1 ).
Из анализа низкотемпературной |
ветви |
зависимости |
logIk — ~ было получено значение |
энергии |
активации |
для зарождения 2Еаяс—£дИф=1,6 эв. Используя мето дику обработки экспериментальных данных, изложен ную в гл. 1, п. 4, можно найти, что длина диффузионно-
О
го прыжка атома на поверхности а0= 5 ■ІО-5 А. Очевидно, что это неправдоподобно малая величина.
При высоких |
температурах 4 = 0, что свидетельству |
ет о зарождении |
на дефектах. Физические механизмы, в |
результате которых зарождение на обычной поверхно сти может предшествовать зарождению на дефектах, обсуждались в гл. I, п. 4 (стр. 35).
Наконец отметим, что второй максимум не может быть связан с контактированием различных островков, поскольку он наблюдается при степени заполнения по-
88
верхности 0,02, когда непосредственная коагуляция маловероятна.
Функции распределения островков по размерам и характер их изменения со временем для пленок сереб ра на графите при конденсации в ультравысоком ваку уме исследовали ,в работе [151]. На этих зависимостях функции распределения пѵ (d) четко наблюдался вто рой максимум (рис. 18). Было показано, что, несмотря
пѵ,си-J
Рис. 18. Функции распределения островков по размерам для пленок серебра
О
на графите по данным работы [151, с. 99] при скорости конденсации 1 А/сек через время т после начала осаждения, сек:
а —3; 0 — 5; в — 7; г — 10
на малую массовую толщину пленок, общая плотность островков со временем уменьшается. Авторы работы [151] считают, что это соответствует результатам ра боты Чопра [152], в которой подобный эффект объяснял
89