- •Лекция 1
- •Закон полного тока и закон электромагнитной индукции в дифференциальной форме.
- •Полная система уравнений электромагнитного поля в дифференциальной форме.
- •Граничные условия
- •На поверхности раздела диэлектриков.
- •На поверхности раздела проводника и диэлектрика.
- •Теоремы Остроградского – Гаусса и Стокса.
- •Лекция 2 Электростатическое поле
- •Уравнения Пуассона и Лапласа.
- •Лекция 3
- •Применение функций комплексного переменного.
- •Метод заданного комплексного потенциала.
- •Лекция 4 Метод зеркальных изображений.
- •Метод конформных отображений.
- •Графический метод построения картины плоскопараллельного поля.
- •Электрическое поле в диэлектрике около проводников с постоянными токами.
- •Электрическое поле постоянных токов в проводящей среде.
- •Аналогия электрического поля постоянных токов и электростатического поля. Метод электростатической аналогии.
- •Расчёт сопротивления заземления
- •Моделирование электростатических полей полем постоянного тока в проводящей среде
- •Лекция 7
- •Плоскопараллельное магнитное поле.
- •Комплексный потенциал магнитного поля.
- •Магнитное поле двух нитей с прямым и обратным током.
- •Принцип соответствия плоскопараллельных электрических и магнитных полей.
- •Граничные условия в магнитном поле у поверхности ферромагнетиков.
- •Метод зеркальных изображений в магнитном поле.
- •Графический метод построения картины плоскопараллельного магнитного поля.
- •Приближенные методы расчёта и построения картины плоскопараллельного поля. Метод сеток.
- •Лекция 8 Векторный потенциал магнитного поля.
- •Случай линейных проводником с током.
- •Определение магнитного потока через векторный потенциал.
- •Расчёт индуктивностей.
- •Лекция 9 Индуктивность коаксиального кабеля.
- •Индуктивности тонких проводников с токами
- •Лекция 10 Метод участков.
- •Индуктивности систем параллельных проводов.
- •Взаимная индуктивность между двумя двухпроводными линиями.
- •Две двухпроводные линии, расположенные симметрично в параллельных плоскостях.
- •Линии расположены во взаимно перпендикулярных плоскостях.
- •Индуктивность трёхфазной линии.
- •Лекция 11 Переменное электромагнитное поле в диэлектрике
- •Вектор Умова-Пойнтинга.
- •Длина электромагнитной волны в диэлектрике.
- •Лекция 12 Переменное электромагнитное поле в проводящей среде.
- •Длина волны и затухание.
- •Понятие об электромагнитном экранировании.
- •Лекция 13
- •Активное сопротивление шины для переменного тока.
Метод конформных отображений.
Расчёт поля методом конформных отображений основан на том, что существует возможность отобразить с помощью некоторого математического преобразования заданную область в комплексной плоскости « z » (x + jy) на так называемую каноническую область в комплексной плоскости « ω » ( ξ+j).
В качестве канонической области обычно используется верхняя полуплоскость, а также круг либо полоса. Преобразование называется конформным, так как при переходе от одной области к другой либо обратно сохраняются углы в точках пересечения между любыми линиями в обеих областях z = ω (рис.4-3).
jy j
z ω
1 z 1 2
ω
2
zk ωk
x ξ
Рисунок 4–3
Для изучения полей это очень важно, так как мы знаем, что линии равного потенциала и линии напряжённости всегда пересекаются под прямым углом.
Существует общий подход к преобразованию произвольной многоугольной области, ограниченной ломаной линией на верхнюю полуплоскость и обратно с помощью интеграла Кристоффеля-Шварца.
Для многих часто встречающихся конфигураций областей получены соотношения, необходимые для преобразования, они приведены в справочной литературе. Рассмотрим некоторые простые примеры.
1. Двугранный угол () – поле между двумя проводящими плоскостями, сходящимися под углом (рис. 4–4а).
jy j
z
U = 0 ω
C
B C
A U = 0 x B A ξ
0 а) 0 б)
Рисунок 4–4
Проводящие грани имеют одинаковый потенциал (U = 0), совместим ось (x) со следом одной из граней. Преобразование такой области на верхнюю полуплоскость (ω) осуществляется по формуле:
Положение любой точки на первой грани (точка А), координаты которой в исходной системе координат записываются в виде: , в области ω определяется координатой и располагаются на положительной части вещественной оси ξ. (рис. 4–3б). Изменяется лишь линейный масштаб. Положение любой точки на второй грани (точка B), координаты которой в исходной системе координат записываются в виде: , в области ω определяется координатой и располагаются на отрицательной части вещественной оси ξ. Положение любой точки на биссектрисе угла (точка С), координаты которой в исходной системе координат записываются в виде: , в области ω определяется координатой и располагаются на мнимой оси j (см. рис.4–4б).
2. Бесконечно глубокий проводящий паз, шириной (d) (рисунок 4–5а).
jy j
A F D z ω
E
E F
d
x ξ
B 0 C A B 0 C D
а) б)
Рисунок 4–5
Пометим начало координат посредине дна паза и направим ось (x) вдоль дна вправо. Преобразование такой области на верхнюю полуплоскость (ω) осуществляется по формуле:
.
Положение угловых точек (В и С), координаты которых в исходной системе координат записывается в виде: , в области ω также расположены на вещественной оси ξ и определяется координатами:
.
Положение точек (A и D), координаты которых в исходной системе координат записывается в виде: , в области ω расположены на вещественной оси ξ и определяется координатами:
.
Положение точки (E), координата которой в исходной системе записывается в виде: , в области ω расположена на мнимой оси j и определяется координатой:
. (см. рис.4–5б).
3. Плоскость с вертикальным выступом (стеной), высотой (h) (рисунок 4–6а).
jy j
B z ω
C B ω0
z0
h
x ξ
A 0 D A 0 C 0 D
а) б)
Рисунок 4–6
Начало координат поместим у основания выступа и направим ось (x) вдоль горизонтальной плоскости. Преобразование такой области на верхнюю полуплоскость (ω) осуществляется по формуле:
.
Положение точки (С), координата которой в исходной системе записывается в виде: , в области ω расположена в начале координат, так как определяется координатой:
. Положение точки (0), координата которой в исходной системе записывается в виде: , в области ω вследствие двузначности корня даёт два значения на вещественной оси ξ и определяется координатами: . Положение точек (A и D), координаты которых в исходной системе записывается в виде: , в области ω расположены на вещественной оси ξ и определяется координатами: Положение точки (B), координата которой в исходной системе записывается в виде: (y>h), в области ω расположена на мнимой оси j и определяется координатой: (см. рис.4–6б).
Получение выражения для комплексного потенциала в исходной области на плоскости (z) и определение зависимости плотности заряда () на поверхности проводников рассмотрим на примере плоскости с выступом.
Пусть в исходной системе заряженный провод с зарядом (+) находится в точке с координатой (z0 = x0 + jy0). После преобразования исходной области на каноническую область на основе используемой формулы преобразования найдём место расположения заряженного провода в области ω (рис.4-6): . Затем, используя метод зеркальных изображений, заменим проводящую среду диэлектриком с проницаемостью и с зеркально расположенным зарядом (–) . Его координата является сопряжённой с координатой исходного заряда: .
Запишем известное выражение для комплексного потенциала в системе двух заряженных осей (проводов).
,
здесь ω – координата произвольной точки поля. В области ω линии равного потенциала и линии напряжённости являются, как мы уже знаем, окружностями. Для перехода к исходной области выразим ω через z, тогда получим:
.
Величину напряжённости в любой точке определяем через производную от комплексного потенциала:
.
После упрощения получим:
.
Подставляя координаты поверхности проводников и умножая на , получим значения поверхностной плотности заряда на поверхности проводников: = D = E .