Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лабник_МЭТ.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
12.11.2019
Размер:
5.06 Mб
Скачать

115

А.А. Шерченков, ю.И. Штерн Материалы электронной техники

ЭТМО факультет

Дисциплина специализаций кафедр МФХ, МПТЭ

Учебно-методическая разработка для лабораторного практикума

Москва 2007

Оглавление

Лабораторная работа № 1. Определение удельного сопротивления полупроводников ……………………………………………………………….

3

Лабораторная работа № 2. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников из измерений температурной зависимости электропроводности …………...……………………………………………….

23

Лабораторная работа № 3. Определение электрофизических параметров полупроводников по температурным зависимостям постоянной Холла и удельного сопротивления ……………………………………………………...

44

Лабораторная работа № 4. Изучение температурной зависимости термоЭДС полупроводников …………………………………………………..

56

Лабораторная работа № 5. Исследование температурной зависимости подвижности электронов и дырок в полупроводниках ….…………………..

70

Лабораторная работа № 6. Определение по ИК спектрам пропускания состава материала и концентрации связей в тонких пленках сплавов на основе аморфного кремния ……………………………………………………

83

Лабораторная работа № 7. Изучение морфологии поверхности полупроводниковых пленок методом атомной силовой микроскопии …….

96

Лабораторная работа № 8. Исследование структурно-релаксационных процессов в тонких пленках некристаллических полупроводников с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии …………………

104

Лабораторная работа № 1 Определение удельного сопротивления полупроводников

Цель работы: ознакомление с методами определения удельного сопротивления полупроводников.

Теоретические сведения

В настоящее время существует большое число методов измерения удельного сопротивления  полупроводниковых материалов и структур. По взаимодействию измеряемых образцов и средств измерения эти методы подразделяются на бесконтактные и контактные.

Бесконтактные методы реализуются без механического контакта между измеряемым образцом и средством измерения. К ним относятся методы вихревых токов, плазменного резонанса, поглощения СВЧ-энергии.

Контактные методы реализуются подачей электрического сигнала и снятием ответной реакции с образца с помощью зондов, обеспечивающих контакт с исследуемым объектом. К ним относятся четырехзондовый, трехзондовый, двухзондовый методы, а также методы Ван дер Пау и сопротивления растекания.

Выбор метода измерения в каждом конкретном случае определяется спецификой контролируемого полупроводникового материала, геометрией образца, типом структуры, диапазоном удельного сопротивления.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.