- •А.А. Шерченков, ю.И. Штерн Материалы электронной техники
- •Оглавление
- •Лабораторная работа № 1 Определение удельного сопротивления полупроводников
- •Теоретические сведения
- •Бесконтактные методы
- •Контактные методы
- •Температурный коэффициент сопротивления кремния
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Собственный полупроводник
- •Примесный полупроводник
- •Вырожденный и невырожденный полупроводники
- •Концентрация электронов и дырок
- •Температурная зависимость концентрации носителей
- •Температурная зависимость подвижности носителей заряда
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Экспериментальные результаты
- •Контрольные вопросы
- •Теоретические сведения Эффект Холла
- •Температурная зависимость коэффициента Холла
- •Температурная зависимость удельного сопротивления
- •Расчет дрейфовой подвижности
- •Описание измерительной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
- •Вычисление коэффициента термоЭдс
- •Температурная зависимость коэффициента термоЭдс
- •Зависимость коэффициента термоЭдс от концентрации свободных носителей
- •Измерительная установка
- •Порядок выполнения работы
- •Требования и отчету
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 Исследование температурной зависимости подвижности электронов и дырок в полупроводниках
- •Теоретические сведения Определение подвижности
- •Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике
- •Порядок выполнения работы
- •Сущность методов икс
- •Техника выполнения анализа
- •Порядок выполнения работы
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Дифференциальный сканирующий калориметр dsc-50
- •Порядок проведения измерений
- •Порядок выполнения работы
- •Требования к отчету
- •Контрольные вопросы
А.А. Шерченков, ю.И. Штерн Материалы электронной техники
ЭТМО факультет
Дисциплина специализаций кафедр МФХ, МПТЭ
Учебно-методическая разработка для лабораторного практикума
Москва 2007
Оглавление
Лабораторная работа № 1. Определение удельного сопротивления полупроводников ………………………………………………………………. |
3 |
Лабораторная работа № 2. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников из измерений температурной зависимости электропроводности …………...………………………………………………. |
23 |
Лабораторная работа № 3. Определение электрофизических параметров полупроводников по температурным зависимостям постоянной Холла и удельного сопротивления ……………………………………………………... |
44 |
Лабораторная работа № 4. Изучение температурной зависимости термоЭДС полупроводников ………………………………………………….. |
56 |
Лабораторная работа № 5. Исследование температурной зависимости подвижности электронов и дырок в полупроводниках ….………………….. |
70 |
Лабораторная работа № 6. Определение по ИК спектрам пропускания состава материала и концентрации связей в тонких пленках сплавов на основе аморфного кремния …………………………………………………… |
83 |
Лабораторная работа № 7. Изучение морфологии поверхности полупроводниковых пленок методом атомной силовой микроскопии ……. |
96 |
Лабораторная работа № 8. Исследование структурно-релаксационных процессов в тонких пленках некристаллических полупроводников с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии ………………… |
104 |
Лабораторная работа № 1 Определение удельного сопротивления полупроводников
Цель работы: ознакомление с методами определения удельного сопротивления полупроводников.
Теоретические сведения
В настоящее время существует большое число методов измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов и структур. По взаимодействию измеряемых образцов и средств измерения эти методы подразделяются на бесконтактные и контактные.
Бесконтактные методы реализуются без механического контакта между измеряемым образцом и средством измерения. К ним относятся методы вихревых токов, плазменного резонанса, поглощения СВЧ-энергии.
Контактные методы реализуются подачей электрического сигнала и снятием ответной реакции с образца с помощью зондов, обеспечивающих контакт с исследуемым объектом. К ним относятся четырехзондовый, трехзондовый, двухзондовый методы, а также методы Ван дер Пау и сопротивления растекания.
Выбор метода измерения в каждом конкретном случае определяется спецификой контролируемого полупроводникового материала, геометрией образца, типом структуры, диапазоном удельного сопротивления.