- •Раздел 1. Классификация твердых тел. Электронная теория Друде-Лоренца.
- •Раздел 2. Электронные состояния и движение электронов в идеальном кристалле.
- •Раздел 3. Электронные состояния в реальном кристалле
- •Раздел 4. Статистика равновесных носителей заряда
- •Раздел 5. Неравновесные электронные процессы в полупроводниках
- •Раздел 6. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда
- •Раздел 7. Контактные явления
- •Раздел 1. Классификация твердых тел. Электронная теория Друде-Лоренца.
- •Классификация по свойствам.
- •Полупроводники и диэлектрики.
- •Классификация неметаллических кристаллов по химической связи.
- •Классификация по зонной структуре (энергетическому спектру) и симметрии кристаллических решеток.
- •1.2. Электронная теория Друде-Лоренца. Основы классической теории электропроводности. Теория Друде – Лоренца.
- •Раздел 2. Электронные состояния и движение электронов в идеальном кристалле.
- •2.1 Одноэлектронное уравнение Шредингера для кристалла. Одноэлектронная волновая функция Блоха.
- •Зонные модели металлов, диэлектриков, полупроводников.
- •2.2 Методы расчета электронных энергетических состояний в твердых телах. Приближения свободных и сильносвязанных электронов. Энергетическая диаграмма металлов.
- •Энергетическая диаграмма диэлектриков и п/п.
- •Электропроводность в твердых телах. Носители заряда. Подвижность.
- •Дрейфовая подвижность μd.
- •Удельная электропроводность твердого тела. (σ) Биполярная проводимость.
- •Электропроводность чистых (собственных) и легированных (примесных) полупроводников.
- •Уравнение Шредингера для электронной подсистемы кристалла.
- •Одноэлектронное приближение. Метод самосогласованного поля.
- •Одноэлектронная волновая функция ψ(r)
- •Условие трансляции.
- •Приближение сильносвязанных электронов (псэ)
- •Блоховская волновая функция в псэ.
- •Решение уравнения Шредингера в псэ.
- •Закон дисперсии e(k) в методах псэ.
- •Интеграл перекрытия волновой функции.
- •Применение метода псэ для расчёта e(k) для конкретных решеток.
- •Плотность состояний в разрешенной зоне кристалла конечных размеров. Дискретность волнового вектора электрона в кристалле.
- •Квазиимпульс ( ) электрона в периодическом поле кристалла
- •2.3 Зонная структура твердых тел. Зоны Бриллюэна для кубических и генксагональных кристаллов. Зоны Бриллюэна
- •2.4 Эффективная масса электрона в кристалле, её связь со структурой энергетических зон. Понятие дырки. Динамика электрона в периодическом поле изитропных и анизотропных кристаллов.
- •Анизотропный и изотропный квадратичные законы дисперсии
- •Поверхности равной энергии
- •Ускорение электрона в кристалле
- •Физический смысл понятия эффективной массы
- •2.5 Зонная структура типичных металлов, полупроводников, полуметаллов, бесщелевых полупроводников и диэлектриков.
- •Вырождение валентной зоны
- •Сечение изоэнергитических поверхностей при вырождении зон
- •Кристаллы с центром инверсии
- •Кристаллы без центра инверсии
- •Зонная структура элементарных полупроводников ( )
- •Зонная структура п/п соединений: арсенида и фосфида галлия Арсенид галлия
- •Фосфид галлия
- •2.6 Размерное квантование энергии электронов и дырок в полупроводниках. Квантоворазмерные структуры с низкоразмерным электронным газом.
- •Общая схема зоны для гексагональных кристаллов
- •Раздел 3. Электронные состояния в реальном кристалле
- •3.1 Уравнение Шредингера реального кристалла. Метод эффективной массы. Локализованные состояния. Водородоподобные примеси и экситоны.
- •3.2 Глубокие примесные центры. Изоэлектронные примеси. Электрически неактивные примеси. Амфотерные примеси.
- •3.3 Примесные состояния в низкоразмерных структурах.. Поверхностные электронные состояния.
- •Метод эффективной массы
- •3.2 Глубокие примесные центры. Изоэлектронные примеси. Электрически неактивные примеси. Амфотерные примеси. Примесные состояния в твердых телах
- •Примесные зоны. Проводимость по примесным зонам
- •3.3 Примесные состояния в низкоразмерных структурах.. Поверхностные электронные состояния. Донорно-акцепторные пары
- •Глубокие примесные центры (гц)
- •Тройной акцептор в Ge
- •Изоэлектронные примеси
- •Азот в фосфите галлия
- •Электрически нейтральные примеси
- •Раздел 4. Статистика равновесных носителей заряда
- •Плотность состояний n(e)
- •Плотность состояний в зоне проводимости
- •Плотность состояний в зоне проводимости многодолинного (непрямозонного) полупроводника
- •Смысл введения mnd
- •4.2 Концентрация электронов и дырок в зонах для различных степеней вырождения электронного или дырочного газа. Эффективная масса дырок для плотности состояний - mpd
- •Концентрация электронов и дырок в условиях равновесия в темноте
- •Концентрация электронов проводимости в невырожденных полупроводниках
- •Концентрация дырок в полупроводнике p-типа
- •Смысл Nc и Nv в статистике
- •Уравнение электрической нейтральности для полупроводников и диэлектриков
- •Собственный полупроводник
- •Определение Fi
- •Собственная концентрация ni
- •Произведение np в невырожденном полупроводнике
- •Электронные процессы
- •Функции распределения электронов и дырок по примесным состояниям ft
- •Функция распределения дырок по уровням акцепторов
- •4.4 Плотность квантовых состояний в квантово-размерных структурах с квантовыми ямами, квантовыми нитями и квантовыми точками. Концентрация нейтральных и ионизированных доноров и акцепторов
- •Уровень Ферми и концентрация электронов в невырожденных некомпенсированных полупроводниках n-типа
- •Концентрация нейтральных и ионизированных доноров и акцепторов
- •Компенсационный полупроводник n-типа
- •Уровень Ферми
- •Температурная зависимость n(t) и f(t)
- •Вырожденные полупроводники
- •Раздел 5. Неравновесные электронные процессы в полупроводниках
- •Неравновесная статистика.Электронные и дырочные квазиуровни Ферми.
- •Время жизни неосновных носителей
- •Сильный уровень инжекции
- •Раздел 6. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда
- •Уравнение непрерывности
- •Диффузионные токи в полупроводниках и диэлектриках
- •Распределение избыточной концентрации неосновных носителей во времени. Время жизни неосновных носителей
- •Импульсное освещение
- •Распределение избыточной концентрации неосновных носителей заряда в пространстве
- •Диэлектрическое время релаксации-τn
- •Дрейфовая длина неосновных носителей
- •Дрейфовая длина неравновесных дырок (lp) в полупроводнике n-типа
- •Распределение избыточной концентрации при поверхностной рекомбинации
- •Коэффициент инжекции
- •Раздел 7. Контактные явления
- •Основные понятия физики контактов
- •Токи термоэлектронной эмиссии
- •Контакт полупроводника с металлом
- •Вах выпрямляющего контакта м/п (n-типа)
- •Зонная модель контакта при прямом смещении
- •Зонная модель контакта при обратном смещении
- •Вах выпрямляющего контакта
- •Зонная модель p-n перехода в равновесие
- •Ёмкость p-n – перехода
- •Перенос заряда в p-n –переходе
- •Омический контакт
- •Гетеропереходы (гп)
- •Поверхностные электронные состояния, их влияние на контактные явления.
- •Поверхностный потенциал φS
Интеграл перекрытия волновой функции.
∫Ψ*(r)[U®-Ua(Pno)] Ψ*(Pno)dτ=-Ano
(Pno=r-ano)
Ano –определяет величину обменπ энергии при перекрытии волновой функции, отрицательное т.к. U(r)-Ua(Pno)<0
*)E(k)=Ea+[(∑n ei(k,an)*∫ Ψa*(r)[U(r)-Ua(Pno)] Ψa(Pn)dτ)/((∑n ei(k,an)*∫ Ψa*(r) Ψa*(Pn)dτ)]
И т.о. уравнение *) примет вид:
E(k)=Ea-c-∑noei(k,ano)*Ano
Ano – для S- состояния величина изотропная
Ano=A
и E(k)=Eo-c-A∑noei(k,ano)
Применение метода псэ для расчёта e(k) для конкретных решеток.
Кристалл с простой кубической решеткой (ПКР).Направление оси x, y, z по ребрам куба.
Тогда ano=(±a, 0, 0), (0, ±a, 0), (0, 0, ±a)
a - постоянная ПКР
Для расчёта E(k) вычислим
∑noei(k,ano)= ei(kx,a)+ e-i(kx,a)+ ei(ky,a)+ e-i(ky,a)+ ei(kz,a)+ e-i(kz,a)
kx, ky, kz – компоненты волнового вектора k на направления x, y, z в кристалле
E(k)=Ea-c-2A(cos kxa+ cos kya+ cos kza)
Т.е. E(r) – периодическая функция компонент kx, ky, kz в k – пространстве.
Энергия E(k) принимает экстремальные значения при kx=ky=kz=0→Emin=-6A и Emax=+6A(при kx=π/2)
Т.о. имеет место образование разрешенной зоны шириной Emax-Emin=12A(A- модуль)
Образование зоны 12А в ПКР
(обычное пространство)
Можно положить Ea-c=0(начало отсчёта энергии)
E(k)=-2A(cos kxa+ cos kya+ cos kza)
в k – пространстве – пространство веществ.
Плотность состояний в разрешенной зоне кристалла конечных размеров. Дискретность волнового вектора электрона в кристалле.
Реальные кристаллы - имеют ограниченные размеры, т.е. имеют границы. На границах в следствии обрыва химических связей возникают поверхностные состояния.
Для подсчета числа состояний в объемной зоне кристалла используют циклические граничные условия.
Пусть реальный кристалл имеет форму параллепипеда и кубическую решетку.
Размеры ребер Lx, Ly, Lz
Постоянная решетки – a
Длина ребер Lx=Nxa
Ly=Nya
Lz=Nza
Nx, Ny, Nz –число атомов, которое укладывается на ребре.
Для исключения влияния границ на энергетический спектр электронов в объемной зоне используют циклические граничные условия, которые заменяют эквивалентность физических состояний при образовании из кристалла объемом LxLyLz кристалла бесконечных размеров, т.е. все пространство заполнено кристаллом LxLyLz.
Эквивалентность функции состояний в точках (x, x+Lx), (y+Ly), (z+Lz) означает, что волновые функции элементов в этих точках эквивалентны, т.е. они обладают периодичностью с периодом бесконечного кристалла (трансляция).
Докажем это:
(x+LX, y, z) = (x, y+Ly, z) = (x, y, z+Lz) - циклические граничные условия.
Плоская бегущая волна:
(x+LX, y, z) = U (x+LX, y, z)
где: (x+LX, y, z) -функция Блоха
U (x+LX, y, z) -амплитуда электронной волны
-фазовый множитель
U (x+LX, y, z) = U (x, y, z) -“автоматически” (функция периодичная)
exp → т.е.
(x+LX, y, z) = U (x, y, z) или
(x+LX, y, z) = U ( )
Чтобы функции совпали должна быть равна нулю.
Мнимая exp = 1, когда показатель равен 2П -целое число; т.е. = , где Ux -целое число, т.е. (x+LX, y, z) = U ( ) -функция периодическая
Где: U ( ) -функция Блоха
Из этого следует, что компоненты волнового вектора электроны:
Kx = nx аналогично Ky = ny, Kz = nz
Дискретность компонент Ux, Ky, Kz на направлениях x, y, z приводит к дискретности энергии электрона в зоне и энергия в зоне изменяется не непрерывно, а квазинепрерывно.
Для определения плотности состояний в зоне необходимо из набора nx, ny, nz выделить их значения отвечающие физически различным (неэквивалентным) состояниям в зоне.
Используя в.ф. метода ПСЭ одномерного случая: вычислим x для разных nx:
Если nx = 0, то в.ф. совпадает с.в.ф. для nx = Nx
Если nx = 1, то в.ф. совпадает с.в.ф. для nx = Nx+1
Т.е nx принимает для физ. Неэквивалентных состояний значения от ноля до Nx
Или 0 ‹ nx ‹ Nx ; ;
Комп. : или
: ;( ) или
: ;( )или
Т.о волновой вектор электрона в зоне огранич. кристалла принимает -значений
это есть число атомов в кристалле для примитивной решетки, для сложной решетки -число элементарных ячеек.