- •Раздел 1. Классификация твердых тел. Электронная теория Друде-Лоренца.
- •Раздел 2. Электронные состояния и движение электронов в идеальном кристалле.
- •Раздел 3. Электронные состояния в реальном кристалле
- •Раздел 4. Статистика равновесных носителей заряда
- •Раздел 5. Неравновесные электронные процессы в полупроводниках
- •Раздел 6. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда
- •Раздел 7. Контактные явления
- •Раздел 1. Классификация твердых тел. Электронная теория Друде-Лоренца.
- •Классификация по свойствам.
- •Полупроводники и диэлектрики.
- •Классификация неметаллических кристаллов по химической связи.
- •Классификация по зонной структуре (энергетическому спектру) и симметрии кристаллических решеток.
- •1.2. Электронная теория Друде-Лоренца. Основы классической теории электропроводности. Теория Друде – Лоренца.
- •Раздел 2. Электронные состояния и движение электронов в идеальном кристалле.
- •2.1 Одноэлектронное уравнение Шредингера для кристалла. Одноэлектронная волновая функция Блоха.
- •Зонные модели металлов, диэлектриков, полупроводников.
- •2.2 Методы расчета электронных энергетических состояний в твердых телах. Приближения свободных и сильносвязанных электронов. Энергетическая диаграмма металлов.
- •Энергетическая диаграмма диэлектриков и п/п.
- •Электропроводность в твердых телах. Носители заряда. Подвижность.
- •Дрейфовая подвижность μd.
- •Удельная электропроводность твердого тела. (σ) Биполярная проводимость.
- •Электропроводность чистых (собственных) и легированных (примесных) полупроводников.
- •Уравнение Шредингера для электронной подсистемы кристалла.
- •Одноэлектронное приближение. Метод самосогласованного поля.
- •Одноэлектронная волновая функция ψ(r)
- •Условие трансляции.
- •Приближение сильносвязанных электронов (псэ)
- •Блоховская волновая функция в псэ.
- •Решение уравнения Шредингера в псэ.
- •Закон дисперсии e(k) в методах псэ.
- •Интеграл перекрытия волновой функции.
- •Применение метода псэ для расчёта e(k) для конкретных решеток.
- •Плотность состояний в разрешенной зоне кристалла конечных размеров. Дискретность волнового вектора электрона в кристалле.
- •Квазиимпульс ( ) электрона в периодическом поле кристалла
- •2.3 Зонная структура твердых тел. Зоны Бриллюэна для кубических и генксагональных кристаллов. Зоны Бриллюэна
- •2.4 Эффективная масса электрона в кристалле, её связь со структурой энергетических зон. Понятие дырки. Динамика электрона в периодическом поле изитропных и анизотропных кристаллов.
- •Анизотропный и изотропный квадратичные законы дисперсии
- •Поверхности равной энергии
- •Ускорение электрона в кристалле
- •Физический смысл понятия эффективной массы
- •2.5 Зонная структура типичных металлов, полупроводников, полуметаллов, бесщелевых полупроводников и диэлектриков.
- •Вырождение валентной зоны
- •Сечение изоэнергитических поверхностей при вырождении зон
- •Кристаллы с центром инверсии
- •Кристаллы без центра инверсии
- •Зонная структура элементарных полупроводников ( )
- •Зонная структура п/п соединений: арсенида и фосфида галлия Арсенид галлия
- •Фосфид галлия
- •2.6 Размерное квантование энергии электронов и дырок в полупроводниках. Квантоворазмерные структуры с низкоразмерным электронным газом.
- •Общая схема зоны для гексагональных кристаллов
- •Раздел 3. Электронные состояния в реальном кристалле
- •3.1 Уравнение Шредингера реального кристалла. Метод эффективной массы. Локализованные состояния. Водородоподобные примеси и экситоны.
- •3.2 Глубокие примесные центры. Изоэлектронные примеси. Электрически неактивные примеси. Амфотерные примеси.
- •3.3 Примесные состояния в низкоразмерных структурах.. Поверхностные электронные состояния.
- •Метод эффективной массы
- •3.2 Глубокие примесные центры. Изоэлектронные примеси. Электрически неактивные примеси. Амфотерные примеси. Примесные состояния в твердых телах
- •Примесные зоны. Проводимость по примесным зонам
- •3.3 Примесные состояния в низкоразмерных структурах.. Поверхностные электронные состояния. Донорно-акцепторные пары
- •Глубокие примесные центры (гц)
- •Тройной акцептор в Ge
- •Изоэлектронные примеси
- •Азот в фосфите галлия
- •Электрически нейтральные примеси
- •Раздел 4. Статистика равновесных носителей заряда
- •Плотность состояний n(e)
- •Плотность состояний в зоне проводимости
- •Плотность состояний в зоне проводимости многодолинного (непрямозонного) полупроводника
- •Смысл введения mnd
- •4.2 Концентрация электронов и дырок в зонах для различных степеней вырождения электронного или дырочного газа. Эффективная масса дырок для плотности состояний - mpd
- •Концентрация электронов и дырок в условиях равновесия в темноте
- •Концентрация электронов проводимости в невырожденных полупроводниках
- •Концентрация дырок в полупроводнике p-типа
- •Смысл Nc и Nv в статистике
- •Уравнение электрической нейтральности для полупроводников и диэлектриков
- •Собственный полупроводник
- •Определение Fi
- •Собственная концентрация ni
- •Произведение np в невырожденном полупроводнике
- •Электронные процессы
- •Функции распределения электронов и дырок по примесным состояниям ft
- •Функция распределения дырок по уровням акцепторов
- •4.4 Плотность квантовых состояний в квантово-размерных структурах с квантовыми ямами, квантовыми нитями и квантовыми точками. Концентрация нейтральных и ионизированных доноров и акцепторов
- •Уровень Ферми и концентрация электронов в невырожденных некомпенсированных полупроводниках n-типа
- •Концентрация нейтральных и ионизированных доноров и акцепторов
- •Компенсационный полупроводник n-типа
- •Уровень Ферми
- •Температурная зависимость n(t) и f(t)
- •Вырожденные полупроводники
- •Раздел 5. Неравновесные электронные процессы в полупроводниках
- •Неравновесная статистика.Электронные и дырочные квазиуровни Ферми.
- •Время жизни неосновных носителей
- •Сильный уровень инжекции
- •Раздел 6. Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда
- •Уравнение непрерывности
- •Диффузионные токи в полупроводниках и диэлектриках
- •Распределение избыточной концентрации неосновных носителей во времени. Время жизни неосновных носителей
- •Импульсное освещение
- •Распределение избыточной концентрации неосновных носителей заряда в пространстве
- •Диэлектрическое время релаксации-τn
- •Дрейфовая длина неосновных носителей
- •Дрейфовая длина неравновесных дырок (lp) в полупроводнике n-типа
- •Распределение избыточной концентрации при поверхностной рекомбинации
- •Коэффициент инжекции
- •Раздел 7. Контактные явления
- •Основные понятия физики контактов
- •Токи термоэлектронной эмиссии
- •Контакт полупроводника с металлом
- •Вах выпрямляющего контакта м/п (n-типа)
- •Зонная модель контакта при прямом смещении
- •Зонная модель контакта при обратном смещении
- •Вах выпрямляющего контакта
- •Зонная модель p-n перехода в равновесие
- •Ёмкость p-n – перехода
- •Перенос заряда в p-n –переходе
- •Омический контакт
- •Гетеропереходы (гп)
- •Поверхностные электронные состояния, их влияние на контактные явления.
- •Поверхностный потенциал φS
Физический смысл понятия эффективной массы
Нарисуем графики: E( ); ;
При и наблюдается отклонение E( ) от квадратичной зависимости, вследствие того, что с ростом энергии увеличивается волновой вектор электрона, длина электрона
(*) уменьшается и становится сравнимой с межплоскостным расстоянием, что приводит к Брэгговскому отражению электронных волн от атомных плоскостей – с ростом возрастает доля отраженной волны, а затем торможение при
(**) скорость v:
в пределах от до электрон движется как свободный.
при - скорость достигает максимального значения, а затем в следствии торможения решеткой, падает до нуля.
Этому соответствует смена знака с плюса на минус.
Затем электрон отражается от точки к точки и снова движется в прежнем направлении, т.е. электрон совершает периодические движения во внешнем электрическом поле.
Вывод: эффективная масса в отличие от обычной массы не постоянна, она не является мерой инерции и не связана с силами тяготения.
2.5 Зонная структура типичных металлов, полупроводников, полуметаллов, бесщелевых полупроводников и диэлектриков.
Зонная структура некоторых п/п
Прямодонный п/п –абсолютный минимум в зоне проводимости и абсолютный максимум в центре ( )
Зона проводимости: эффективная масса - скалярная величина, закон дисперсии в близи зоны проводимости …
-квадратичный изотропный (где справедливо понятие тензора ):
Валентная зона: эффективная масса дырок -скаляр, закон дисперсии:
Отсчет энергии в зоне проводимости и валентной зоне
Зона проводимости и валентная зона- невырожденные, т.к. законы дисперсии описываются одной ветвью .
Ширина запрещенной зоны - (расстояние по вертикали) между E min ( ) в зоне проводимости E max ( ) в валентной зоне, лежащих в точке .
Непрямозонный п/п
-многодолинный п/п в котором абсолютный минимум в зоне проводимости лежит не в центре - в точке
Зона проводимости
Эффективная масса электрона - тензор (поперечная и продольная эффективные массы )
Зона проводимости- многодолинная- имеет несколько эквивалентных абсолютных минимумов, в эквивалентных направлениях точка в соответствии с симметрией кристалла (X или L-долины).
Закон дисперсии (анизотропный):
Поверхности равной энергии: эллипсоиды вращения- относительно главной оси тензора .
Для этого п/п- вводят понятие термической ( ) и оптической ( ) запрещенных зон.
-расстояние по оси E между абсолютным минимумом в зоне проводимости и абсолютным максимумом в валентной зоне.
-энергетический зазор, который определяет равновесную концентрацию электронов ( ) и дырок ( ), т.е. определяет электропроводность п/п.
-расстояние по шкале энергии E между минимумов в зоне проводимости в точке максимумом в валентной зоне- проявляет в оптическом поглощении, т.к. вероятность перехода электрона из валентной зоны при поглощении фотона больше чем на прямой с изменением в.в. ( ).
Электроны проводимости распространяются равномерно между L(x) долинами.
Вырождение валентной зоны
Простая валентная зона с одной ветвью не реализуется в п/п. Для п/п характерно вырождение (по энергии) валентной зоны вида:
В точке стыкуются две зоны (две ветви E( ))
-одной энергии соответствуют разные волновые функции , это приводит к искажению поверхностей равной энергии. они представляют гафрированные поверхности, отвечающие закону дисперсии:
-кубические кристаллы.
Значение компонент - зависит от направления.
При незначительных искажениях эллипсоидальных поверхностей путем усреднения значения энергии по разным направлениям, при данном - их замещают сферическими поверхностями с изотропными массами дырок -тяжелые дырки (ветвь , где энергия изменяется более медленно с ) и - легкие дырки (ветвь ).
-скаляры(определяются из опытов по циклотронному резонансу)
-тяжелые дырки; -легкие дырки