Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
консп лекц эл стр.doc
Скачиваний:
66
Добавлен:
11.11.2019
Размер:
4.72 Mб
Скачать

Уравнение электрической нейтральности для полупроводников и диэлектриков

Для определения n, p необходимо знать положение уравнения Ферми. Его определяют из уравнения электронейтральности полупроводников (диэлектриков).

Смысл уравнения: в любом физически малом объеме полупроводника (диэлектрика) концентрация отрицательно свободных и связанных зарядов = концентрации свободных и связанных зарядов.

Свободные носители - и h+

Связанные: дырки на уровнях донора – концентрация Pd (D+) электроны – акцептора - na (A-).

Собственный полупроводник

Уровень Ферми. Собственная концентрация носителей заряда.

Электронные процессы:

G0 и R0 – скорости процессов.

В равновесии G0 =R0.

Этому состоянию соответствует равенство n = p = ni

ni – собственная концентрация носителей заряда.

G0 – термическая генерация и h+.

Энергия рекомбинирующих частиц( + h+) идет на нагрев кристалла (возбуждение определенных типов колебаний кристаллической решетки).

Определение Fi

Уравнение электронейтральности: n = p

Для невырожденных собственных полупроводников:

Откуда:

или

Fi линейно зависит от T.

Собственная концентрация ni

откуда

ni – зависит от Eg, плотности состояний в зонах и температурах:

линейно зависит от .

Угловой коэффициент ( )

Таким образом, по ni (T) можно определить Eg при T = 0 k.

Произведение np в невырожденном полупроводнике

- не зависит от положения уровня Ферми в полупроводнике.

Используется для определения концентрации неосновных носителей заряда по известной концентрации основных носителей заряда.

  • – Закон действующих масс для полупроводников n-типа.

  • или – Закон действующих масс для полупроводников p-типа.

4.3 Статистика примесных состояний. Функция распределения электронов и дырок по примесным состояниям. Плотность примесных состояний. Примесные зоны. Влияние температуры и концентрации примеси на концентрацию свободных электронов и дырок.

Статистика носителей заряда в легированных полупроводниках

Легирован мелкими донорами.

Концентрация доноров – Nd, энергия ионизации - Ed.

Электронные процессы

При T = 0 k доноры электрически нейтральны и концентрация электронов равна нулю.

При повышении T: доноры ионизуются и концентрация электронов будет равна концентрации ионизованных доноров.

При росте T – все доноры ионизуются и концентрация электронов:

– концентрация доноров

- наступает истощение примеси.

Рассмотренный интервал T – область примесной проводимости.

Дальнейший рост T: в некотором диапазоне T n не будет зависеть от T, пока не начнется процесс ионизации собственных атомов (смотри ).

Функции распределения электронов и дырок по примесным состояниям ft

Функция ft должна отличаться от функции fФ-Д (E, T) из-за спинового вырождения состояний в энергетической зоне,

что увеличивает вероятность перехода электрона из зоны проводимости на уровень Ed.

Это учитывает функция ft в виде: ,где

gi – коэффициент, учитывающий спиновое вырождение уровней.

Ei – основной уровень примесного центра.

Функция распределения электронов по уровням доноров:

- определяет вероятность нахождения доноров в нейтральном состоянии D0 (D+ e-)*

Для доноров g = 2

Ed – основной уровень

* или электрона на уровне Ed

При f = Ed fd = 2/3 (выше, чем в зоне проводимости)

Вероятность нахождения донора в ионизованном состоянии:

или дырки на уровне донора.