- •Навчальний посібник Частина друга
- •1. Домішкова фотопровідність
- •1.1. Особливості домішкової фотопровідності
- •1.2. Домішкова фотопровідність при наявності
- •1.3. Індукована домішкова фотопровідність
- •1.4. Кінетика індукованої домішкової фотопровідності
- •1.5. Оптична перезарядка домішкових центрів
- •2. Термостимульована релаксація електропровідності
- •2.1. Термостимульована провідність
- •2.2. Визначення параметрів рівнів прилипання
- •2.3. Термостимульоване розрядження конденсатора
- •2.4. Визначення параметрів центрів захоплення
- •2.5. Результати експериментальних досліджень
- •3. Рекомбінація нерівноважних носіїв заряду
- •3.1. Основні типи рекомбінаційних центрів
- •3.2. Міжзонна випромінювальна рекомбінація
- •3.3. Міжзонна ударна рекомбінація
- •3.4. Рекомбінація через прості локальні центри
- •3.5. Залежність часу життя носіїв заряду від
- •3.6. Залежність часу життя від інтенсивності
- •3.7. Поверхнева рекомбінація
- •3.8. Вплив поверхневої рекомбінації на
- •Список літератури
Міністерство освіти та науки України
Чернівецький державний університет
ім. Юрія Федьковича
А.В. Савицький, В.Р. Бурачек
ОПТИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НАПІВПРОВІДНИКІВ
Навчальний посібник Частина друга
Чернівці
“Рута”
2000
ББК 22.379.2я73
С 133
УДК 621.315.592+537.311.322:535 (075.8)
Друкується за ухвалою редакційно-видавничої ради
Чернівецького державного університету
Науковий редактор: Паранчич Степан Юрійович, доктор фізико-математичних наук, професор фізичної електроніки ЧДУ
Рецензент: Горлей Петро Миколайович, доктор фізико-математичних наук, професор, завідувач кафедри фізичної електроніки ЧДУ
Савицький Андрій Васильович, Бурачек Віктор Романович
С133 Оптичні та фотоелектричні властивості напівпровідників. Частина друга: Навчальний посібник – Чернівці: Рута, 2000. – 93 с.
ISBN 966-568-261-Х
У посібнику коротко викладені основні закономірності домішкової фотопровідності та термостимульованої релаксації електропровідності. Розглянуті основні типи та механізми рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках.
Для студентів і аспірантів фізичних та інженерно-технічних спеціальностей вузів, а також спеціалістів у галузі фізики напівпровідників.
УДК 621.315.592+537.311.322:535 (075.8)
ББК 22.379.2я73
ISBN 966-568-261-Х А.В.Савицький, В.Р.Бурачек, 2000
Видавництво Чернівецького
державного університету “Рута”, 2000
ВСТУП
Взаємодія електромагнітного випромінювання з речовиною напівпровідника призводить до виникнення ряду ефектів, які мають важливе наукове і практичне значення. Особливо важливим є внутрішній фотоелектричний ефект, який полягає в іонізації атомів напівпровідника при поглинанні фотонів, внаслідок чого у напівпровіднику виникають додаткові (у порівнянні з термічною іонізацією) вільні носії заряду, які називають нерівноважними. Поряд зі збудженням нерівноважних електронів і дірок при освітленні напівпровідника у ньому неперервно відбувається взаємне знищення або рекомбінація нерівноважних носіїв заряду. Процес збудження нерівноважних носіїв визначається взаємодією іонізуючого випромінювання з речовиною напівпровідника і характеризується такими сталими параметрами, як коефіцієнт поглинання та квантовий вихід, тоді як процес рекомбінації залежить від взаємодії нерівноважних носіїв з речовиною і характеризується часом релаксації та часом життя носіїв.
Зауважимо, що характер процесів іонізації атомів напівпровідника залежить від типу іонізуючого випромінювання, але подальший рух і рекомбінація нерівноважних носіїв практично не залежать від того, яким саме випромінюванням вони збуджені. Це пояснюється сильною взаємодією носіїв заряду з кристалічною граткою речовини. Процеси рекомбінації в основному визначаються фізичними властивостями напів-провідника та основними параметрами локальних центрів.
Нерівноважні процеси, які протікають у напівпровідниках при опроміненні їх іонізуючим випромінюванням, можна розділити на три основні групи:
а) процеси ґенерування нерівноважних носіїв заряду;
б) процеси їх руху при наявності градієнта концентрації або при прикладенні зовнішніх полів (електричного, магнітного);
в) процеси рекомбінації нерівноважних носіїв заряду.
Процеси, віднесені до першої групи, та частина віднесених до другої групи розглянуті у першій частині даного посібника (А.В.Савицький, В.Р.Бурачек. Оптичні та фотоелектричні властивості напівпровідників: Навчальний посібник. Частина
- 3 -
перша. - Чернівці: Рута, 1999. - 99с.). У другій частині розглянуті такі питання: домішкова фотопровідність та її особливості (розділ 1); термостимульована релаксація електропровідності та визначення параметрів центрів прилипання та центрів рекомбінації (розділ 2); рекомбінація нерівноважних носіїв заряду (розділ 3). Значна увага приділяється питанням рекомбінації через домішкові центри в об’ємі напівпровідника та поверхневої рекомбінації. Розглянуті питання впливу поверхневої рекомбінації на об’ємні властивості напівпровідників, зокрема на розподіл неосновних носіїв заряду, ефективний час життя, спектральні залежності фоточутливості та фотопровідності.
У кінці кожного розділу подані контрольні запитання та задачі, які студенти можуть використати при самостійному вивченні матеріалу для контролю ступеня його засвоєння.
Навчальний посібник написаний на основі спеціального курсу “Взаємодія світла з речовиною напівпровідника”, який протягом ряду років читається як обов’язковий курс студентам кафедри фізичної електроніки Чернівецького державного університету, що спеціалізуються в галузі нетрадиційної енергетики та фізичної електроніки.