Список літератури

1. Сердюк В.В., Чемересюк Г.Г. Фотоэлектрические процессы в полупроводниках. – К.: Либідь, 1993. – 192 с.

2. Сердюк В.В., Чемересюк Г.Г., Терек М. Фотоэлектрические процессы в полупроводниках. – Киев-Одесса: Вища школа, 1982. – 151 с.

3. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физматгиз, 1963. – 494 с.

4. Шалимова К.В. Физика полупроводников. – М.: Энергия, 1985. –

5. Вертопрахов В.М., Сальман Е.Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. – Новосибирск: Наука, 1979. – 336 с.

6. Бурачек В.Р., Бейсюк П.П. Термостимульована релаксація як метод дослідження широкозонних напівпровідників: Навчальний посібник. – Чернівці: Рута, 1999. – 63 с.

7. Сердюк В.В. Физика солнечных элементов: Учебное пособие.- Одесса: Логос, 1994. – 333 с.

- 91 -

ЗМІСТ

Вступ.....................................................................................................3

1. Домішкова фотопровідність........................................................4

1. Особливості домішкової фотопровідності................................4

2. Домішкова фотопровідність при наявності

одного типу локальних рівнів.....................................................8

3. Індукована домішкова фотопровідність..................................14

4. Кінетика індукованої домішкової фотопровідності...............17

5. Оптична перезарядка домішкових центрів..............................21

Контрольні запитання.......................................................................23

2. Термостимульована релаксація електропровідності..............24

2.1. Термостимульована провідність...............................................24

2.2. Визначення параметрів рівнів прилипання.............................28

2.3. Термостимульоване розрядження конденсатора....................34

2.4. Визначення параметрів центрів захоплення з кривих ТРК....38

2.5. Результати експериментальних досліджень

локальних рівнів термостимульованими методами................42

Контрольні запитання.......................................................................45

3. Рекомбінація нерівноважних носіїв заряду.............................46

3.1. Основні типи рекомбінаційних центрів ..................................46

3.2. Міжзонна випромінювальна рекомбінація..............................47

3.3. Міжзонна ударна рекомбінація.................................................52

3.4. Рекомбінація через прості локальні центри.............................55

3.5. Залежність часу життя носіїв заряду від розташування

рівня Фермі та температури при рекомбінації

через локальні центри...............................................................60

3.6. Залежність часу життя від інтенсивності збудження

при рекомбінації через локальні центри..................................66

3.7. Поверхнева рекомбінація..........................................................68

- 92 -

3.8. Вплив поверхневої рекомбінації на об’ємні

властивості напівпровідників..................................................76

Контрольні запитання.......................................................................90

Задачі..................................................................................................90

Список літератури.............................................................................91

Зміст....................................................................................................92

- 93 -

Навчальне видання

Савицький Андрій Васильович

Бурачек Віктор Романович

Оптичні та фотоелектричні властивості напівпровідників

Навчальний посібник

Частина друга

Літературний редактор Абрамович Н.Л.

Комп’ютерний набір та корекція Бурачека В.Р.

1 У подальшому під поняттям “домішкові центри” будемо мати на увазі будь-які точкові дефекти структури, яким відповідають локальні енергетичні рівні у забороненій зоні напівпровідника.

- 4 -