- •Навчальний посібник Частина друга
- •1. Домішкова фотопровідність
- •1.1. Особливості домішкової фотопровідності
- •1.2. Домішкова фотопровідність при наявності
- •1.3. Індукована домішкова фотопровідність
- •1.4. Кінетика індукованої домішкової фотопровідності
- •1.5. Оптична перезарядка домішкових центрів
- •2. Термостимульована релаксація електропровідності
- •2.1. Термостимульована провідність
- •2.2. Визначення параметрів рівнів прилипання
- •2.3. Термостимульоване розрядження конденсатора
- •2.4. Визначення параметрів центрів захоплення
- •2.5. Результати експериментальних досліджень
- •3. Рекомбінація нерівноважних носіїв заряду
- •3.1. Основні типи рекомбінаційних центрів
- •3.2. Міжзонна випромінювальна рекомбінація
- •3.3. Міжзонна ударна рекомбінація
- •3.4. Рекомбінація через прості локальні центри
- •3.5. Залежність часу життя носіїв заряду від
- •3.6. Залежність часу життя від інтенсивності
- •3.7. Поверхнева рекомбінація
- •3.8. Вплив поверхневої рекомбінації на
- •Список літератури
1.5. Оптична перезарядка домішкових центрів
Освітлення напівпровідника може призводити не лише до зміни концентрації носіїв заряду в дозволених енергетичних зонах, але й до зміни заповнення ними локальних домішкових рівнів у забороненій зоні. Це явище особливо чітко можна простежити при вивченні оптичної перезарядки багатозарядних домішкових центрів у напівпровідниках. Для ілюстрації цього розглянемо явища, які повинні відбуватися при оптичному збудженні напівпровідника, в якому є багатозарядні домішки.
Нехай, наприклад, у напівпровіднику є три домішкові рівні, які можуть захоплювати електрони (рис.1.13, а). Припустимо, що у стані рівноваги рівні 1 і 2 повністю заповнені електронами, а рівні 3 – незаповнені. При освітленні такого напівпровідника світлом з енергією фотонів h Е2 електрони з рівнів 2 будуть переходити у с-зону (перехід 1), і потім можуть захоплюватися рівнями 3 (перехід 2) або повторно захоплюватися рівнями 2. Але, оскільки на початку незаповнених електронами рівнів 3 більше, ніж рівнів 2, то головним чином відбуватиметься захоплення електронів рівнями 3.
Рис.1.13. Схема електронних переходів, яка ілюструє перезарядку домішкових центрів: а – рівноважний стан напівпровідника і пряма перезарядка домішкових рівнів; б – квазірівноважний стан;
в – зворотна перезарядка домішкових рівнів.
Отже, в результаті освітлення напівпровідника відбудеться переміщення електронів з рівнів 2 на рівні 3, що призведе до встановлення квазірівноважного стану (рис.1.13, б), який при низьких температурах, коли kT << Е3, може зберігатися дуже довго після припинення дії світла.
- 21 -
Процес переміщення електронів з одних домішкових рівнів на інші, які у рівноважних умовах не заповнені електронами, називають оптичною перезарядкою домішкових центрів.
Зазначимо, що перезарядка домішкових центрів може відбуватися і при освітленні напівпровідника світлом з енергією фотонів, що відповідає області власного поглинання (h Еg). У цьому випадку нерівноважні електрони захоплюватимуться рівнями 3, а дірки – рівнями 2, що рівнозначно переходам електронів з рівнів 2 на рівні 3.
Розглянутий процес перезарядки домішкових центрів при освітленні напівпровідника називають “прямою” перезарядкою. При цьому напівпровідник переходить у квазірівноважний стан, який при низьких температурах може зберігатися досить довго, оскільки відновлення рівноважного стану можливе лише через с-зону і, отже, потребує затрат енергії для подолання енергетичної щілини між рівнями 3 і с-зоною. При низьких температурах, коли kT << Е3, теплові переходи електронів з рівнів 3 у с-зону малоймовірні, а прямі переходи електронів з рівнів 3 на рівні 2 неможливі через великі віддалі між відповідними домішковими центрами.
“Зворотна” перезарядка домішкових рівнів може легко відбутися при освітленні світлом з енергією фотонів h Е3 (рис.1.13, в). Під дією світла електрони переходять з рівнів 3 у с-зону (перехід 1) з наступним захопленням їх рівнями 2 (перехід 2), що призводить до відновлення рівноважного стану.
Явище оптичної перезарядки домішкових центрів відіграє важливу роль у багатьох фоточутливих напівпровідниках і проявляється не лише в ефекті індукованої домішкової фотопровідності, але й у вирішальному впливі на характер кінетики фотоелектричних процесів. Зокрема, це явище використовують при дослідженні термостимульованих ефектів, які базуються на зворотній перезарядці домішкових центрів за допомогою нагрівання напівпровідника з деякою сталою швидкістю.
- 22 -
КОНТРОЛЬНІ ЗАПИТАННЯ
Поясність, чому домішкова фотопровідність спостерігається при менших енергіях фотонів, ніж власна.
Назвіть характерні особливості домішкової фотопровідності.
Запишіть диференційне рівняння, яке описує кінетику домішкової фотопровідності, і поясніть, за яких умов дане рівняння можна перетворити у лінійне.
Поясніть, чому криві збільшення домішкової фотопровідності при освітленні та зменшення її при затемненні асиметричні.
Які параметри домішкових центрів можна визначити з дослідження кривих релаксації домішкової фотопровідності.
Дайте визначення індукованої домішкової фотопровідності.
Намалюйте криву релаксації індукованої домішкової фотопровідності n(t) і поясніть її.
Поясніть процес переходу домішкового напівпровідника у квазірівноважний стан при освітленні його світлом з енергією фотонів h Еg при низьких температурах.
Що таке “оптична перезарядка домішкових центрів”?
Чому квазірівноважний стан напівпровідника, що виникає внаслідок прямої перезарядки домішкових центрів при низьких температурах, зберігається дуже довго?
- 23 -