- •Ю.Ф. Адамов, а.М. Грушевский, с.П. Тимошенков Современные проблемы проектирования и технологии микроэлектронных систем
- •Часть 1
- •Оглавление
- •Введение
- •1. Технология микроэлектроники и микроэлектронные полупроводниковые приборы
- •1.1. Типовые структуры и характеристики кремниевых биполярных транзисторов
- •1.2. Пределы миниатюризации кремниевых биполярных транзисторов
- •1.3. Типовые структуры и характеристики кремниевых
- •1.4. Тиристорный эффект в комплементарных моп - схемах
- •1.5. Ударная ионизация в канале и обусловленный ею ток подложки
- •1.6. Размерные эффекты в моп - транзисторах
- •1.7. Физические ограничения размеров моп - транзисторов
- •1.8. Прогноз предельных параметров моп-транзисторов
- •1.9. Прогноз развития элементной базы микроэлектроники
- •2. Единство интегральной технологии и схемотехники
- •2.1. Интегральная схемотехника – продукт развития технологии
- •2.2. Принципы интегральной схемотехники
- •2.3. Правила масштабирования моп - транзисторов
- •Закономерности масштабирования согласно трем различным методам
- •2.4. Топологическое проектирование масштабируемых микросхем
- •2.5. Влияние сложности логических схем на характеристики системы металлизации
- •2.6. Немасштабируемые элементы структуры
- •3. Проблемы развития интегральной схемотехники для нанометровых технологий
- •3.1. Кризис схемотехники нанометровых микросхем
- •3.2. Пути унификации схемотехнических решений
- •3.3. Характеризация библиотек транзисторов, логических элементов и простых функциональных блоков
- •4. Литография
- •4.1. Основные определения
- •4.2. Фотолитография – ключевой процесс планарной технологии
- •4.3. Электронно-лучевая литография
- •4.4. Резисты – полимеры, чувствительные к облучению
- •5. Эпитаксия полупроводниковых слоев
- •5.1. Основные определения
- •5.2. Эпитаксиальное выращивание слоев кремния из парогазовой фазы
- •5.3. Молекулярно - лучевая эпитаксия
- •5.4. Развитие эпитаксиальной технологии
- •Основные характеристики диэлектрических подложек, используемых при гетероэпитаксии кремния
- •6. Процессы нанесения диэлектрических покрытий
- •6.1. Назначение диэлектрических слоев и требования к ним
- •6.2. Методы получения диэлектрических покрытий
- •6.3. Термическое окисление кремния
- •6.4. Осаждение диэлектрических пленок
- •6.5. Перспективы развития методов осаждения диэлектрических пленок
- •7. Легирование полупроводников
- •7.1. Назначение процесса легирования
- •7.2. Модели диффузии в твердом теле
- •Предельная растворимость примесей в кремнии
- •7.3 Диффузионные процессы легирования
- •8. Ионная имплантация – основной метод легирования полупроводников
- •8.1. Преимущества процесса имплантации
- •8.2. Оборудование для ионного легирования
- •8.3. Распределение пробегов ионов при имплантации
- •Значения критического угла каналирования в кремнии
- •8.4. Дефекты структуры в полупроводниках при ионном легировании
- •8.5. Отжиг дефектов и активация примеси
- •9. Плазмохимическое травление полупроводников, диэлектриков и металлов
- •9.1. Классификация процессов плазмохимического травления
- •9.2. Особенности плазмохимического травления
- •9.3. Травление кремния и металлов
- •9.4. Травление двуокиси и нитрида кремния
- •9.5. Плазмохимическое травление органических материалов
- •9.6. Производительность и управляемость процессом плазмохимического травления
- •10. Металлизированные соединения и омические контакты
- •10.1. Требования к металлизации
- •10.2. Материалы для электрических соединений
- •10.3. Омические контакты
- •10.4. Оборудование для нанесения металлических пленок
- •10.5. Методы осаждения металлов
- •10.6. Интеграция процессов металлизации
- •Характеристики металлов, применяемых для создания ок к GaAs
- •11. Интеграция технологических процессов в производственный маршрут изготовления микросхем
- •11.1. Взаимосвязь технологических процессов
- •11.2. Интеграция приборов в структуре микросхемы
- •11.3. Спецификация производственного маршрута
- •11.4. Принципы построения маршрута
- •11.5. Иерархическое построение маршрута
- •11.6. Цикличность маршрута
- •11.7. Управляемость и воспроизводимость
- •11.8. Электровакуумная гигиена
- •12. Маршрут производства и физические структуры кмоп - микросхем.
- •12.1. Применение, достоинства и недостатки кмоп - микросхем
- •12.2. Требования к структуре кмоп - микросхем
- •Параметры кмоп - структур
- •12.3. Физическая структура и маршрут изготовления быстродействующих цифровых микросхем
- •12.4. Изоляция приборов
- •12.5. Области истока, стока и контакты к «карманам»
- •12.6. Подзатворный диэлектрик
- •12.7. Затворы субмикронных моп - транзисторов
- •12.8. Контакты к поликремниевым затворам, истокам и стокам
- •12.9. Металлизация
- •13. Физические структуры и технология биполярных микросхем
- •13.1. Области применения и особенности технологии биполярных микросхем
- •13.2. Высокочастотные биполярные транзисторы
- •13.3. Высоковольтные биполярные транзисторы
- •13.5. Биполярные транзисторы в кмоп - микросхемах
- •14. Структуры и процессы формирования пассивных элементов микросхем.
- •14.1. Требования к пассивным элементам микросхем и их состав.
- •14.2. Интегральные резисторы
- •14.3. Интегральные конденсаторы
- •14.4. Интегральные индукторы
- •14.5. Пассивные элементы на основе волноводов
- •14.6. Варакторы
- •14.7. Диоды Шоттки
- •Высота барьера Шоттки б
- •15. Физические структуры микросхем на основе гетеропереходов соединений a3b5 и кремний - германий
- •15.1. Свойства гетеропереходов
- •15.2. Технология гетероструктурных микросхем
- •15.3. Биполярные транзисторы на подложках арсенида галлия
- •15.4. Полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов
- •15.5. Гетероструктурные полевые транзисторы на основе широкозонных полупроводников
- •15.6. Микросхемы на основе гетероструктур кремний - германий
- •16. Функциональные приборы и устройства
- •16.1. Основные определения
- •16.2. Оптоэлектронные приборы
- •16.3. Акустоэлектронные приборы
- •Параметры основных пьезоэлектрических материалов
- •16.4. Микроэлектронные электромеханические устройства
- •Важнейшие свойства Si, SiC, AlN
- •Технология поверхностной микромеханики
- •Технология объемной микромеханики
- •Технология корпускулярно - лучевого формообразования
- •Химическое травление кремния при получении многослойных структур
- •Плазмохимическое травление кремниевых структур.
- •Сращивание подложек с использованием промежуточных слоев
- •Перспективы применения структур кремний – на - изоляторе в микро- , наноэлектронике и микросистемной технике
- •Методы производства кни - структур
- •Специфика технологии микроэлектромеханических устройств
- •Компоненты нано- и микросистемной техники Микроакселерометр на поверхностных акустических волнах
- •Принцип действия и основы проектирования микроакселерометра
- •Полевой датчик Холла на основе структур «кремний – на - изоляторе»
- •Микрозеркала в кремниевом кристалле
- •Биосенсоры и биомолекулярная электроника
- •16.5. Магниточувствительные устройства
- •17. Процессы сборки и герметизации микросхем
- •17.1. Разделение пластин на кристаллы
- •Скрайбирование
- •Резка диском с наружной алмазной режущей кромкой
- •Резка ультразвуком
- •Резка пластин термоударом
- •Резка лучом лазера
- •17.2. Корпуса для интегральных микросхем
- •Корпусная элементная база
- •Динамика развития основных исходных конструкторских параметров кристаллов по годам
- •17.3. Монтаж кристаллов в корпуса
- •17.4. Бескорпусная элементная база
- •Сравнительные характеристики корпусированных 64-выводных бис и их бескорпусных аналогов
- •Кристаллы с балочными выводами
- •17.5. Многокристальные модули в трехмерном исполнении
- •Анализ состояния возможностей 3d проектирования
- •Тенденции эволюции микропроцессоров
- •17.6. Герметизация микросхем
- •Защита от альфа-частиц
- •Многокристальные модули, бескорпусные и гибридные микросхемы
- •17.7. Тенденции и перспективы развития сборочной технологии
- •Глава 18. Многоуровневые коммутационные платы. Конструктивно-технологические ограничения при проектировании.
- •18.1. Общие сведения о печатных платах. Конструктивные исполнения.
- •Конструкторско-технологические характеристики печатных плат
- •Наименьшие номинальные значения основных размеров элементов печатного монтажа для узкого места в зависимости от классов точности
- •Линейные размеры пп
- •Электрические характеристики печатных плат
- •Допустимые рабочие напряжения между элементами проводящего рисунка, расположенными в соседних слоях
- •Допустимые рабочие напряжения между элементами проводящего рисунка на наружных слоях пп
- •Допустимые значения воздействующего фактора по группам жесткости
- •Классификация конструкций пп
- •Тонкопленочные платы
- •Тонкопленочные платы на основе анодированного алюминия
- •Толстопленочные платы
- •18.2. Материалы печатных плат
- •18.3. Конструктивно-технологические ограничения при проектировании
- •Рекомендации по проектированию кп (на стеклотекстолите) в тпм
- •18.4. Изготовление фотошаблонов печатных плат
- •Предельные отклонения размеров элементов топологии фш
- •Значения несовмещений по контактным площадкам
- •18.5. Перспективы проектирования для техники поверхностного монтажа
- •Типовые конструкции многоуровневых коммутационных плат (мкп) и технология их реализации
- •Глава 19. Сборка электронных устройств на печатных платах
- •19.1. Методы выполнения электрических соединений
- •19.2. Технология создания микросварных соединений
- •Физико-химические особенности сварки
- •Особенности соединений
- •Термокомпрессионная сварка
- •Сварка с косвенным импульсным нагревом
- •Сварка сдвоенным (расщепленным) электродом
- •Сварка взрывом
- •Ультразвуковая сварка
- •19.3. Особенности микромонтажа бескорпусных микросхем
- •Оценка структуры
- •Оценка напряжений в сварных соединениях
- •Конструктивное исполнение сварных узлов
- •Технологические рекомендации по выполнению сварных узлов
- •19.4. Технология создания микроконтактов методами пайки
- •Подготовка поверхностей
- •Механическая очистка поверхностей
- •Химическая очистка поверхностей
- •Предварительное облуживание поверхностей
- •Проверка подготовленных поверхностей
- •Особенности и способы пайки. Флюсы для пайки
- •Марки флюсов, их состав и назначение
- •Технология пайки
- •Перспективы бессвинцовых технологий в производстве электронных средств
- •Основные типы бессвинцовых припоев
- •Совместимость покрытий
- •Маркировка
- •Возможные дефекты
- •Способы пайки
- •Пайка расплавлением дозированного припоя лазером
- •Достоинства и недостатки методов пайки
- •19.5. Конструктивные варианты монтажа на печатной плате
- •Заключение
- •Литература
17.6. Герметизация микросхем
Цель герметизации – это длительная защита кристалла от попадания влаги. Наличие влаги в корпусе приводит к коррозии алюминия на сварочных площадках и нарушению электрической связи кристалла с корпусом.
Органические герметики не подходят для герметизации корпусов. Влага проникает в пластмассовые корпуса за несколько дней. Разработаны специальные герметизирующие лаки для защиты кристаллов в пластмассовых корпусах, однако и они не создают полную защиту от коррозии. Защита может быть обеспечена только вакуумно-плотным корпусом из металла, стекла или керамики.
Влага и вредные реагенты могут попасть внутрь герметичного корпуса в ходе сборочных операций. Технологический маршрут предусматривает очистку и сушку микросхем перед герметизацией. Уровень влаги в помещении не должен превышать 0,6%. Чаще всего сам процесс герметизации проводится в атмосфере сухого аргона.
Крышка корпуса соединяется с основанием припоем, стеклом или эвтектикой. Важным элементом техпроцесса является контроль выделения вредных примесей из стекла или расплавленного припоя. При попадании в полость корпуса хлорсодержащие вещества могут служить катализаторами коррозии алюминия.
В ряде случаев герметизирующие органические покрытия наносят на поверхность кристалла даже в герметичных корпусах. Такое покрытие предотвращает конденсацию влаги на поверхности кристалла при низких температурах и служит дополнительной защитой от альфа-частиц.
Защита от альфа-частиц
Распад радиоактивных изотопов, входящих в состав материалов корпуса и кристалла микросхемы, сопровождается излучением альфа, бета и гамма частиц. Наибольшей ионизирующей способностью обладают альфа-частицы. Альфа-частицы способны вызвать сбои в работе микросхемы. Уровень излучения колеблется от 10-1 до 10-3 частиц/см2час. Наименьший уровень излучения в пластмассовых корпусах. Контроль и отбор материалов для герметичных корпусов, а также защита кристаллов органической пленкой позволяют снизить уровень излучения до 10-3 частиц/см2час. Распада изотопов в кристалле микросхемы избежать нельзя.
Многокристальные модули, бескорпусные и гибридные микросхемы
Бескорпусные микросхемы поставляются в шести модификациях:
1 – кристаллы с гибкими проволочными выводами;
2 – кристаллы на полиимидном носителе;
3 – кристаллы на жесткой рамке;
4 – неразрезанные пластины;
5 – пластина разрезана и наклеена на пленку;
6 – кристаллы в кассете.
В аэрокосмической и военной технике всегда явно проявлялась тенденция к уменьшению габаритов электронной аппаратуры за счет усложнения ее конструкции. Для этого используются многокристальные модули (МКМ) и гибридные микросхемы (ГИМС). Нет резкой границы между МКМ и ГИМС. Для их изготовления используются бескорпусные микросхемы, которые сами по себе не являются законченными продуктами. Конструкция МКМ и ГИМС включает достаточно большой металлостеклянный корпус типа 1 или типа 4, кварцевую, керамическую или полимерную плату с проводниками, дискретные компоненты (конденсаторы, индукторы), полупроводниковые кристаллы бескорпусных микросхем и соединения навесных компонентов с платой. В МКМ обычно применяются только полупроводниковые кристаллы в качестве навесных компонентов. В ГИМС используется разнообразный набор навесных компонентов и пленочных элементов. МКМ применяются для создания малогабаритной цифровой и аналоговой аппаратуры специального назначения. ГИМС – это часть сверхвысокочастотной (СВЧ) аппаратуры. Например, радиолокаторов или систем космической связи. В СВЧ радиотехнике используются волноводы, резонаторы, аттенюаторы, которые наиболее эффективно реализуются в виде пленочных элементов на диэлектрических платах. Корпуса микросхем в СВЧ устройствах вносят искажения в сигналы. Поэтому, ГИМС – это наиболее эффективная конструкция для блоков СВЧ устройств.
Для МКМ обычно используются многослойные металлокерамические платы, которые делаются по той же технологии, что и металлокерамические корпуса. Кристаллы микросхем монтируются на плату с использованием клея или припоя. Соединение бескорпусных микросхем с платой выполняется роботизированной автоматической сваркой с использованием проволоки или металлизированного полиимидного носителя. Часто используется перевернутый монтаж кристаллов на плату. Для этого на контактных площадках полупроводниковых кристаллов или на платах формируются шарики припоя. Робот-манипулятор точно фиксирует перевернутый кристалл так, чтобы шарики припоя совпали с контактными площадками. Затем следует кратковременный нагрев кристалла инфракрасным излучением. Шарики припоя служат одновременно электрическими соединениями и элементами несущей конструкции. Перевернутый монтаж не обеспечивает хороший теплоотвод от кристалла, оборудование для монтажа очень дорого. Прогрессивная технология МКМ использует многослойные полимерные соединители. В этой технологии керамическая плата используется только для крепления кристаллов и теплоотвода. Вся система соединений реализуется в многослойном соединителе на основе фольгированной полиимидной пленки. Технология полимерных соединителей значительно дешевле технологии металлокерамических плат.
Для ГИМС используются полированные с двух сторон кварцевые или керамические пластины. С обратной стороны пластины наносится сплошной металлический слой – заземление. На рабочей стороне пластины методами напыления через маски формируются волноводы, конденсаторы, резисторы, цепи питания и экранирующие заземленные области. Затем на плату монтируются навесные элементы: полупроводниковые кристаллы, диэлектрические резонаторы, ферриты или другие СВЧ компоненты. Соединения навесных компонентов с платой выполняются теми же приемами, что и в МКМ (сварка проволокой, полимерный соединитель, перевернутый монтаж на шарики припоя).
В ряде случаев технология многокристальных модулей использовалась для создания микросхем производственно-технического назначения. Первые процессоры в серии "Пентиум" собирались из нескольких кристаллов и имели кэш-память на отдельных кристаллах. В это же время появились и "Целероны", как кристаллы без внешней кэш-памяти. Сейчас технологическое направление МКМ развивается под лозунгом "система в корпусе" и рассматривается как промежуточный переходный этап к "системе на кристалле". Современное автоматическое оборудование позволяет снизить стоимость МКМ до уровня систем на печатных платах при значительных объемах выпуска ИЭТ. Технические характеристики МКМ (габариты, вес, материалоёмкость, надежность) значительно лучше, чем у аппаратуры на печатных платах.