Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Пособие исправ.doc
Скачиваний:
251
Добавлен:
13.11.2018
Размер:
29.44 Mб
Скачать

17.4. Бескорпусная элементная база

Наименьшая монтажная площадь, которую может занимать СБИС на коммутационной плате − посадочная площадь самого кристалла. Бескорпусная технология сборки СБИС практически реализует эту возможность, обеспечивая и решение вопроса по созданию СБИС КГА. При этом, в отличие от корпусов типа 2 (зарубежный аналог DIP) и поверхностно монтируемых корпусов типов 4 и 5 (зарубежные аналоги SO, SOIC, PLCC, QFP, CLCC, BGA и подобные по стандартам организаций JEDEK (США), EIAJ (Япония)), бескорпусные кристаллы (БК) СБИС, в сущности, могут быть смонтированы на платах из любых материалов, если позволяет точность изготовления знакоместа монтажной платы, поскольку для БК имеется широкий выбор материалов и разновидностей выводов, а также технологий микроконтактирования, упрощающих решение проблем согласования ТКЛР сопрягаемых материалов при монтаже БК СБИС. Вместе с тем, БК СБИС имеют наименьшие значения переходных сопротивлений, паразитных емкостей и индуктивностей, что способствует повышению скорости обработки сигналов МКМ (табл. 17.3).

Таблица 17.3

Сравнительные характеристики корпусированных 64-выводных бис и их бескорпусных аналогов

Характеристики

БИС в DIP-корпусе

Корпусированные БИС (микрокорпуса и кристаллодержатели с укороченными выводами и безвыводные)

Бескорпусные БИС

ТАВ-конструкция на полиимидном носителе

Кристалл со столбиковыми выводами

Площадь знакоместа на КП, мм2

1711,5

77,44 – 390,06

41,22

32,72

Длина вывода, мм

7,62

0,6 – 3,41

0,25

До 0,1

Сопротивление проводов, Ом

1,0

0,22

0,09

0,002

Индуктивность выводов, нГн

22,0

1,8 – 6,5

0,5 – 1,2

0,03

Межвыводная емкость, пФ

4,12

0,3 – 0,5

Не более 0,1

Не более 0,01

Задержка распространения сигнала, нс

Более 0,3

0,03 – 0,12

Менее 0,03

Менее 0,01

Масса компонента, г

23,3

1,6 – 2,86

0,16

0,09

Для стандартизации бескорпусной элементной базы существует отраслевой стандарт (ОСТ) ОСТ В11 079.067…

В соответствии с ОСТом БК ЭБ подразделяется на 5 модификаций:

  • модификация «1» – микросхемы с гибкими проволочными выводами;

  • модификация «2» – микросхемы с ленточными выводами на гибком полимерном носителе;

  • модификация «3» – микросхемы с жесткими (шариковыми или столбиковыми) выводами;

  • модификация «4» – микросхемы на общей пластине;

  • модификация «5» – микросхемы на общей пластине, разделенные без потери ориентации.

Надежность бескорпусных СБИС не уступает, а при определенных конструктивных исполнениях и выше, чем у корпусированных, по следующим причинам:

  • уменьшено количество микросварных и паянных соединений на одну контактную площадку;

  • исключено влияние корпуса на функционирование СБИС;

  • улучшены условия теплоотвода за счет непосредственного монтажа на теплоотводящие платы без дополнительных переходных элементов;

  • повышена устойчивость к механическим воздействиям, чему способствует прежде всего малая масса БК СБИС и конструктивов с их применением.

Таким образом, преимущества БК СБИС очевидны, особенно если учесть возможность формирования выводных контактных площадок по всей рабочей поверхности кристалла. В среднем, с учетом разных методов монтажа, максимальное число микроконтактных соединений (в том числе матричных) на 10 мм2 поверхности кристалла может составлять от 300 до 1600. Это немаловажно, так как стоимость многовыводных кристаллодержателей (более чем 300- выводных) сегодня составляет почти 80 % стоимости готовой корпусированной СБИС.

Современные методы сборки бескорпусных СБИС основываются на двух направлениях: проволочной сборке и сборке с организованными выводами.

ИМС с проволочными выводами. Современные методы сборки бескорпусных СБИС основываются на двух направлениях: проволочная сборка и сборка с организованными выводами. До недавнего времени наиболее распространенным методом являлась проволочная сборка с помощью алюминиевых или золотых проволочных выводов. Процессы присоединения таких выводов к контактным площадкам кристалла достаточно отработаны, аналогичны монтажу кристалла в корпус, и широко освещены в литературе [5, 31]: чаще всего применяются термокомпрессионная или ультразвуковая сварка.

Однако автоматизация процесса монтажа СБИС с проволочными выводами на плату крайне затруднена, так как связана с очень кропотливым процессом совмещения при выполнении каждого соединения. Кроме того, необходимость электрической проверки кристалла после сборки для получения СБИС КГА заставляет использовать при монтаже специальную промежуточную тару или промежуточные носители, к которым присоединяются выводы от устанавливаемых на них кристаллов и которые позволяют после этого производить измерение кристалла и его монтаж на коммутационную плату вместе с носителем.

Применение промежуточных носителей обеспечивает автоматизацию сборки и монтажа, однако приводит к увеличению посадочного места кристалла на плате и, как следствие, к уменьшению плотности монтажа.

Дальнейшая автоматизация процессов создания СБИС КГА и монтажа кристаллов на плату МКМ достигается применением так называемых организованных выводов (методы беспроволочного соединения). Наибольшее распространение получили методы:

  • присоединение с помощью балочных выводов;

  • присоединение перевернутым кристаллом с шариковыми (столбиковыми) выводами;

  • сборка с использованием гибких полимерных носителей.