Высота барьера Шоттки б

Материал контакта	 для кремния n - типа проводимости, В	 для кремния p - типа проводимости, В
Al	0,72	0,58
Cr	0,61	0,50
Mo	0,68	0,42
Ni	0,61	0,51
Pt	0,90
Ti	0,50	0,61
W	0,67	0,45
CoSi	0,68
CoSi2	0,64
IrSi	0,93
Ni2Si	0,7 – 0,75
NiSi	0,66 – 0,75
NiSi2	0,7
PtSi	0,84
Pd2Si	0,72 – 0,75
TaSi2	0,59
TiSi2	0,60
WSi2	0,65

15. Физические структуры микросхем на основе гетеропереходов соединений a3b5 и кремний - германий

15.1. Свойства гетеропереходов

Гетеропереход – это граница двух кристаллов с разным химическим составом, полученная без нарушения структуры кристаллической решетки. Гетеропереходы могут быть получены только для кристаллов, у которых период решетки отличается меньше чем на несколько процентов. Механические напряжения в толстых слоях, вызванные разностью периодов решетки, приводят к росту дислокаций и снижению качества кристалла. Поэтому, гетеропереходные приборы реализуются в виде набора тонких слоев разного состава, в которых механические напряжения распределены в большем объеме. Выращенные тонкие слои упруго напряжены, но деформации не должны достигать критического предела текучести.

Самый распространенный метод получения гетеропереходов – молекулярная эпитаксия. В этом процессе можно изменить химический состав растущей пленки на толщине одного молекулярного слоя.

В микроэлектронике используются гетеропереходы полупроводников с разной шириной запрещенной зоны. При этом в области гетероперехода возникает электрическое поле, напряженность которого на два порядка больше, чем та, которую можно достичь легированием p–n - перехода. Поле в гетеропереходе возникает при ионизации основных атомов кристаллической решетки, а не легирующих примесей. Поле, встроенное в гетеропереход, позволяет отделить электроны от легирующей примеси и сконцентрировать их в тонком нелегированном слое с высокой подвижностью, а также обеспечить почти идеальный коэффициент инжекции из слаболегированного эмиттера в сильнолегированную базу. Микроэлектроникой осваиваются арсениды и нитриды металлов III группы таблицы Менделеева (AlAs, GaAs, InAs, AlN, GaN), а также соединения кремния и германия (SiGe).

Производство гетероструктурных полупроводниковых приборов с хорошими параметрами требует использования дорогостоящих процессов молекулярной эпитаксии, электронной литографии и других нетиповых операций. Кристалл гетероструктурной микросхемы почти в 100 раз дороже кремниевого кристалла той же площади.

Основные области применения – это аппаратура высокочастотной радиосвязи (мобильные телефоны), измерительная техника, радиолокация, космическая техника. На основе гетероструктурных приборов реализуются малошумящие усилители радиоприемных устройств и эффективные мощные усилители радиопередатчиков, приемники и передатчики волоконно-оптических систем связи.