- •Электронные и квантовые приборы свч
- •Глава 1 Общие сведения по электронным и квантовым приборам свч и оптического дипазонов
- •Особенности свч и оптического диапазонов
- •1.2. Общие сведения об электронных и квантовых приборах свч и оптического диапазонов и их основных параметрах
- •1.3. Классификация электронных и квантовых приборов свч и оптического диапазонов
- •Глава 2 триоды и тетроды свч
- •2.1. Полный ток в промежутке между электродами и во внешней цепи электровакуумных приборов
- •2.2. Работа триода на свч
- •2.3. Применение триодов и тетродов свч
- •Глава 3 клистроны
- •3.1. Пролетный двухрезонаторный клистрон
- •3.2. Двухрезонаторные клистронные генераторы
- •3.3. Многорезонаторные клистроны
- •3.4. Применение многорезонаторных клистронов
- •3.5. Отражательный клистрон
- •Глава 4 лампы бегущей волны типа о (лбво)
- •4.1 Принцип работы лампы бегущей волны
- •4.2. Замедляющие системы
- •4.3. Элементы линейной теории лбв
- •4.4. Параметры и характеристики лбв
- •4.5. Особенности устройства и применения лбв
- •4.6. Гибридные приборы типа о
- •4.7. Лампа обратной волны
- •Глава 5 приборы типа м
- •5.1. Движение электронов в скрещенных статических электрическом и магнитном полях
- •5.2. Взаимодействие электронов и свч поля
- •5.3. Лампа бегущей волны типа м (лбвм)
- •5.4. Лампа обратной волны типа м (ловм)
- •5.5. Многорезонаторный магнетрон
- •5.6. Митрон
- •5.7. Платинотрон
- •5.8. Приборы с циклотронным резонансом
- •Глава 6 полупроводниковые диоды и транзисторы свч
- •6.1. Полупроводниковые диоды свч
- •Глава 7 лавинно-пролетные диоды (лпд)
- •Глава 8
- •Глава 9 физические основы квантовых приборов
- •9.1. Энергетические уровни
- •9.2. Квантовые переходы
- •9.3. Ширина спектральной линии
- •9.4. Возможность усиления и генерации в квантовых системах
- •9.5. Взаимодействие бегущих электромагнитных волн с активной средой
- •Глава 10 квантовые приборы свч
- •10.1. Квантовые парамагнитные свч усилители
- •10.2. Квантовые стандарты частоты (ксч)
- •Глава 11 лазеры
- •11.1. Оптические резонаторы
- •11.2. Условия самовозбуждения и мощность излучения лазера
- •11.3. Характеристики излучения в оптическом диапазоне
- •11.4. Газовые лазеры
- •11.5. Лазеры на твердом теле
- •11.6. Жидкостные и химические лазеры
- •11.7. Полупроводниковые лазеры
- •11.8. Методы модуляции излучения лазера
- •11.9. Применение лазеров в технике связи
- •Заключение
- •Основные обозначения
- •Список литературы
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 6. Полупроводниковые диоды и транзисторы свч………………………….………
9.4. Возможность усиления и генерации в квантовых системах
Возможность усиления и генерации в квантовых приборах связана с наличием вынужденного излучения в среде, на которую воздействует электромагнитное поле. Однако при этом происходят вынужденные переходы с поглощением энергии и релаксационные переходы. Вынужденные переходы с излучением и поглощением энергии имеют резонансный характер, так как происходят при совпадении частоты поля с частотой квантового перехода, точнее, когда частота поля находится в пределах спектральной линии вещества.
Рассмотрим обмен энергии между полем и веществом. Будем предполагать, что вещество имеет два энергетических уровня и с населенностями и (рис. 9.6), а частота внешнего поля равна частоте квантового перехода . При объемной плотности энергии число вынужденных переходов в единицу времени в единице объема с выделением энергии с учетом (9.15)
, (9.33)
а выделяемая при этих переходах энергия в единице объема в единицу времени, т. е. мощность,
. (9.34)
Аналогично число вынужденных переходов с поглощением энергии и поглощаемая от внешнего поля мощность в единице объема соответственно равны:
(9.35)
. (9.36)
С учетом (9.34) и (9.36) изменение мощности электромагнитного поля
(9.37)
Назовем эту величину мощностью взаимодействия.
Если , т. е. выделяемая мощность превышает поглощаемую, то в системе происходит увеличение энергии поля, или усиление электромагнитного поля. При преобладает поглощение энергии и энергия внешнего поля убывает.
Таким образом, условием усиления () из (9.37) будет или
. (9.38)
В обычном состоянии термодинамического равновесия населенность верхнего уровня меньше, чем нижнегов соответствии с законом Больцмана (9.18). Поэтому вещество в этом состоянии поглощает энергию внешнего поля , так как число квантовых переходов снизу вверх с поглощением энергии больше числа квантовых переходов сверху вниз с выделением энергии.
Соотношение является обратным (инверсным) по отношению к состоянию термодинамического равновесия, когда . Поэтому состояние, при котором , т. е. возможно усиление, называют состоянием с инверсией населенностей уровней.
Закон Больцмана (9.18), справедливый только для термодинамического равновесия, можно записать
(9.39)
Величину называют температурой перехода. В состоянии термодинамического равновесия , т.е. . Если формально воспользоваться (9.39) для состояния с инверсией населенностей (), то получится отрицательная температура перехода (). Только в состоянии термодинамического равновесия температура перехода совпадает с истинной температурой вещества . Условие усиления эквивалентно отрицательной температуре перехода (). Поэтому состояние с инверсией населенностей уровней иногда называют состоянием с отрицательной температурой, а неравенство — условием усиления в квантовых системах. Среда, в которой имеется состояние с инверсией населенностей, называется также активной средой, так как в ней возможно усиление электромагнитного поля.
В состоянии термодинамического равновесия , поэтому при воздействии электромагнитного поля число вынужденных переходов снизу вверх больше числа вынужденных переходов сверху вниз : населенность нижнего уровня убывает, а верхнего — растет. При достаточно большой объемной плотности, энергии поля может произойти выравнивание населенностей уровней когда числа вынужденных переходов и равны, т. е. наступает динамическое равновесие. Явление выравнивания населенностей уровней называют насыщением перехода. Таким образом, при воздействии электромагнитного поля на двухуровневую систему можно добиться насыщения перехода, но не инверсии населенностей.
Населенности уровней при любом значении объемной плотности энергии поля находятся из решения скоростных (кинетических) уравнений. Для двухуровневой системы скорости изменения населенностей уровней:
(9.40)
(9.41)
, (9.42)
где — полное число частиц.
Поясним процедуру составления (9.40) и (9.41). Населенность уровня в единицу времени убывает вследствие вынужденных переходов на , а из-за безызлучательных переходов на . Одновременно происходит рост населенности вследствие переходов на (вынужденные переходы), (спонтанные переходы) и (безызлучательные переходы). Аналогично в (9.41) первые два слагаемые учитывают увеличение в результате вынужденных и безызлучательных переходов , а остальные определяют убывание вследствие вынужденных и спонтанных и безызлучательных переходов . Очевидно, что для двухуровневой системы при сохранении полного числа частиц .
В стационарном состоянии , поэтому вместо (9.40) — (9.42) можно написать систему двух уравнений:
; (9.43)
(9.44)
Решая эту систему уравнений, можно найти стационарные величины и , а затем их разность или соотношение:
(9.45)
(9.46)
(9.47)
(9.48)
где
. (9.49)
На рис. 9.7а показаны зависимости и от объемной плотности энергии для случая, когда система до воздействия электромагнитного поля находилась в термодинамическом равновесии с населенностями и определяемыми законом Больцмана (9.18). Из (9.45) и (9.46) следует, что при малых значениях населенность нижнего уровня убывает, а верхнего растет по линейному закону. При очень больших значениях плотности энергии и стремятся к среднему значению , соответствующему насыщению переходов.
На рис. 9.76 показаны зависимости и от объемной плотности энергии при воздействии электромагнитного поля на систему с инверсией населенностей уровней. При отсутствии поля населенности уровней равны и , причем . С ростом убывает, а растет от значений и по линейному закону, но при больших асимптотически приближаются к среднему значению , соответствующему насыщению перехода.
Разность населенностей уровней (9.47) определяет мощность взаимодействия , введенную (9.37). Подставляя (9.47) в (9.37), получим
(9.150)
Эта формула позволяет найти зависимость мощности взаимодействия от объемной плотности энергии электромагнитного поля, взаимодействующего с веществом. Зависимость , представленная на рис. 9.8, определяется в (9.50) отношением . При увеличении мощность сначала, когда , линейно растет, а затем стремится к предельному значению , которое определяется путем раскрытия неопределенности в (9.50) при , т. е. в состоянии насыщения перехода:
. (9.51)
Таким образом, в состоянии насыщения при , когда мощность, выделяемая при вынужденных переходах , равна мощности, поглощаемой при вынужденных переходах , от электромагнитного поля отбирается мощность . Эта мощность необходима для поддержания равенства населенностей уровней, которое постоянно стремится нарушаться из-за наличия спонтанных и безызлучательных переходов с вероятностями . Число этих переходов непосредственно от плотности не зависит и определяется только населенностью уровней. Получаемая от электромагнитного поля энергия рассеивается в веществе, например в кристаллической решетке, в виде тепла.