- •Электронные и квантовые приборы свч
- •Глава 1 Общие сведения по электронным и квантовым приборам свч и оптического дипазонов
- •Особенности свч и оптического диапазонов
- •1.2. Общие сведения об электронных и квантовых приборах свч и оптического диапазонов и их основных параметрах
- •1.3. Классификация электронных и квантовых приборов свч и оптического диапазонов
- •Глава 2 триоды и тетроды свч
- •2.1. Полный ток в промежутке между электродами и во внешней цепи электровакуумных приборов
- •2.2. Работа триода на свч
- •2.3. Применение триодов и тетродов свч
- •Глава 3 клистроны
- •3.1. Пролетный двухрезонаторный клистрон
- •3.2. Двухрезонаторные клистронные генераторы
- •3.3. Многорезонаторные клистроны
- •3.4. Применение многорезонаторных клистронов
- •3.5. Отражательный клистрон
- •Глава 4 лампы бегущей волны типа о (лбво)
- •4.1 Принцип работы лампы бегущей волны
- •4.2. Замедляющие системы
- •4.3. Элементы линейной теории лбв
- •4.4. Параметры и характеристики лбв
- •4.5. Особенности устройства и применения лбв
- •4.6. Гибридные приборы типа о
- •4.7. Лампа обратной волны
- •Глава 5 приборы типа м
- •5.1. Движение электронов в скрещенных статических электрическом и магнитном полях
- •5.2. Взаимодействие электронов и свч поля
- •5.3. Лампа бегущей волны типа м (лбвм)
- •5.4. Лампа обратной волны типа м (ловм)
- •5.5. Многорезонаторный магнетрон
- •5.6. Митрон
- •5.7. Платинотрон
- •5.8. Приборы с циклотронным резонансом
- •Глава 6 полупроводниковые диоды и транзисторы свч
- •6.1. Полупроводниковые диоды свч
- •Глава 7 лавинно-пролетные диоды (лпд)
- •Глава 8
- •Глава 9 физические основы квантовых приборов
- •9.1. Энергетические уровни
- •9.2. Квантовые переходы
- •9.3. Ширина спектральной линии
- •9.4. Возможность усиления и генерации в квантовых системах
- •9.5. Взаимодействие бегущих электромагнитных волн с активной средой
- •Глава 10 квантовые приборы свч
- •10.1. Квантовые парамагнитные свч усилители
- •10.2. Квантовые стандарты частоты (ксч)
- •Глава 11 лазеры
- •11.1. Оптические резонаторы
- •11.2. Условия самовозбуждения и мощность излучения лазера
- •11.3. Характеристики излучения в оптическом диапазоне
- •11.4. Газовые лазеры
- •11.5. Лазеры на твердом теле
- •11.6. Жидкостные и химические лазеры
- •11.7. Полупроводниковые лазеры
- •11.8. Методы модуляции излучения лазера
- •11.9. Применение лазеров в технике связи
- •Заключение
- •Основные обозначения
- •Список литературы
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 6. Полупроводниковые диоды и транзисторы свч………………………….………
1.2. Общие сведения об электронных и квантовых приборах свч и оптического диапазонов и их основных параметрах
Электронные сверхвысокочастотные и квантовые приборы предназначены для усиления, генерации и преобразования частоты электромагнитных колебаний СВЧ и оптического диапазонов.
В электронных приборах СВЧ используется энергия свободных электронов, которая обеспечивается внешним источником питания. В квантовых же приборах в энергию высокочастотного поля преобразуется внутренняя энергия атомов (ионов, молекул). Электроны, участвуя в этом процессе, остаются связанными со своими атомами.
Интенсивное исследование СВЧ диапазона началось накануне 40-х годов и в дальнейшем в значительной мере стимулировалось созданием и внедрением радиолокационных станций во время Второй мировой войны. Разработка приборов СВЧ шла вначале по пути усовершенствования обычных электронных ламп — триодов и тетродов, в которых используется электростатическое управление потоком электронов. Однако их возможности были ограничены специфическими трудностями, а именно: ухудшением параметров контуров с сосредоточенными постоянными при увеличении частоты и соизмеримостью времени пролета электронов между электродами с периодом усиливаемых или генерируемых колебаний. С увеличением частоты растут потери в элементах схемы лампы и уменьшаются индуктивности и емкости колебательных контуров, входящих в состав внешних цепей. Эти величины становятся соизмеримыми с индуктивностями вводов и междуэлектродными емкостями электронного прибора. Кроме этого, возникают паразитные обратные связи через общие индуктивности и емкости лампы. Следовательно, нужно уменьшать внутриламповые индуктивности и емкости. Для оценки влияния времени пролета на процессы в лампах удобно пользоваться параметром — угол пролета , который пропорционален отношению времени пролета электронак периоду Т переменного напряжения на электродах: . Угол пролета показывает, насколько изменится фаза переменного напряжения, приложенного к электродам, за время пролета электроном расстояния между электродами.
Для уменьшения угла пролета приходится уменьшать расстояние между электродами в лампах, что увеличивает междуэлектродную емкость. Поэтому для сохранения прежней междуэлектродной емкости нужно уменьшать площадь электродов, а это приводит к уменьшению тока и выходной мощности. Все это заставило искать новые пути создания приборов СВЧ, в которых время пролета не вызывает таких ограничений. Создание специальных приборов СВЧ стало возможным после того, как в 1932 г. советский ученый Д. А. Рожанский высказал идею метода динамического управления электронным потоком. Первая попытка создания прибора, основанного на этом методе (пролетного клистрона), принадлежит А. Арсеньевой и О. Хейль. Пионером в разработке пролетных клистронов был В. Я. Савельев.
Использование метода динамического управления электронным потоком привело к появлению принципиально новых приборов: пролетного клистрона (1939—1940 гг., Н. Д. Девятков в СССР и братья Вариан в США), отражательного клистрона (1940 г., Н. Д. Девятков, Е. Ж. Данильцев, И. В. Пискунов, В. Ф. Коваленко), многорезонаторного магнетрона (1938—1940гг., Н. Ф. Алексеев и Д. Е. Маляров), лампы бегущей волны (1944г., Р. Компфнер в США), лампы обратной волны (1952 г.) и их модификаций. Эти приборы в настоящее время составляют основу электровакуумной электроники СВЧ.
С момента изобретения в 1948 г. транзистора полупроводниковые приборы долгое время представлялись пригодными для работы лишь в области низких частот и малых мощностей. Однако уже к 60-м годам выходные мощности приборов были значительно увеличены и параллельно началось освоение СВЧ диапазона.
Наряду с улучшением параметров транзисторов и диодов были разработаны новые типы полупроводниковых СВЧ приборов - туннельный диод (Л. Е. Саки, 1958),лавинно-пролетной диод (А. С. Тагер с сотрудниками, 1959 г.), диод Ганна (Дж. Ганн, 1963 г.) и некоторые другие. Лавинно-пролетный диод был впервые создан в СССР на основе нового эффекта, зарегистрированного как открытие, — эффекта генерации когерентных колебаний СВЧ при лавинном пробое полупроводниковых диодов. Работы А.С. Тагера и других отмечены Ленинской премией 1979г.
Квантовая электроника возникла около 25 лет назад на базе фундаментальных экспериментальных и теоретических исследований, проведенных в радиоспектроско-пии. В квантовой электронике используется вынужденное излучение, заключающееся в согласованном по частоте и направлению испускании электромагнитных волн огромного количества атомов или молекул под действием внешнего электро-магнитного поля. Понятие вынужденного излучения было сформулировано еще в 1917 г. А. Эйнштейном. В 1940—1941гг. советский физик В. А. Фабрикант, анализируя спектр газового разряда, впервые высказал идею усиления электромагнитных волн с помощью неравновесных квантовых систем с вынужденным излучением.
В 1954 г. советские ученые Н. Г. Басов и А. М. Прохоров разработали конкретные проекты квантовых усилителя и генератора на молекулярном пучке. Первый действующий генератор на пучке молекул аммиака построили в 1954 г. американские ученые Ч. Таунс, Дж. Гордон и Г Цайгер. В 1956 г., по предложению Н. Бломбергена, был создан квантовый усилитель на твердом парамагнитном веществе — рубине. Квантовые приборы СВЧ называют также мазерами (maser) в соответствии с первыми буквами английской фразы: microwave amplification by stimulated emission of radiation, что означает: усиление микроволн (волн диапазона СВЧ) с помощью вынужденного излучения.
Работы по воплощению принципов квантового усиления и генерации электромагнитных волн в оптическом диапазоне привели в 1960 г. к созданию первого оптического квантового генератора (ОКГ) на кристалле рубина (Т. Мейман). Через год в качестве активного вещества ОКГ были использованы газы и полупроводники. Квантовые приборы оптического диапазона называют лазерами (laser) в соответствии с английской фразой: light amplification by stimulated emission of radiation, что означает: усиление света с помощью вынужденного излучения.
За цикл фундаментальных работ, приведших к созданию квантовых приборов, Н. Г. Басов и А. М. Прохоров в 1959 г. удостоены Ленинской премии, а в 1964 г. совместно с Ч. Таунсом — Нобелевской премии.
В настоящее время к разработке и использованию квантовых приборов во всем мире проявляется повышенный интерес, что объясняется их уникальными свойствами. Атомные и молекулярные квантовые генераторы СВЧ характеризуются чрезвычайно высокой стабильностью частоты излучаемых ими электромагнитных волн. Это свойство используется для создания эталонов частоты и времени. Основным достоинством квантовых парамагнитных усилителей СВЧ является крайне низкий уровень собственных шумов и, как следствие, чрезвычайно высокая чувствительность.
Рассмотрим основные параметры, которыми характеризуются приборы. Для усилителей нужно знать коэффициент усиления, выходную мощность, КПД, полосу пропускания, шумовые характеристики, для генераторов — выходную мощность, КПД, диапазон перестройки, характеристики стабильности.
Коэффициентом усиления называется отношение выходной мощности к входной. Обычно, эту величину определяют в децибелах:
Ширина полосы пропускания определяется добротностью резонаторов для резонансных усилителей и полосой пропускания замедляющей системы, согласованной с внешними линиями передачи, для нерезонансных усилителей. Обычно ширина полосы пропускания измеряется по уровню половинного значения выходной мощности (уровень 3 ДБ) от максимального значения в полосе пропускания. Она может быть указана также в процентах, т.е. , где— средняя частота полосы пропускания.
Коэффициент полезного действия
определяется как отношение выходной мощности к суммарной потребляемой мощности (включая мощность накала катода). Часто используется также понятие электронного КПД, равного отношению мощности, отдаваемой электронным пучком (или в общем случае зарядами) полю СВЧ, к мощности источников питания прибора.
Коэффициент шума показывает, во сколько раз отношение мощностей сигнала и шума на выходе усилителя меньше этого же отношения на его входе, т.е.
Для характеристики шумов используют также понятие шумовой температуры . Связь и выражается известными соотношениями: .
Диапазон перестройки генератора характеризуется коэффициентом перекрытия , где и-—максимальная и минимальная генерируемые частоты.
На выходе приборов СВЧ кроме полезного колебания могут появиться гармоники, колебания с комбинационными частотами и другие нежелательные колебания. Например, в лампах бегущей волны наблюдается нежелательное преобразование амплитудно-модулированных колебаний (AM) в фазово-модулированные (ФМ) или амплитудно-фазовая конверсия. Это явление характеризуется коэффициентом преобразования АМ/ФМ, имеющим размерность децибел на градус.
Для автогенераторов СВЧ важны характеристики стабильности частоты и амплитуды колебаний. Амплитуда и частота изменяются под влиянием внутренних и внешних дестабилизирующих факторов. Медленно действующие факторы (изменения температуры окружающей среды, дрейф напряжения источников питания, старение элементов) влияют на долговременную стабильность колебаний. Кратковременная нестабильность колебаний проявляется в виде быстрых изменений амплитуды и частоты относительно средних значений. Эти отклонения могут иметь случайный (флуктуации, или шумы) или периодический характер. Поэтому говорят о шумах генераторов, амплитудных и частотных.
Нестабильные колебания можно представить как колебания с изменяющимися амплитудой и частотой:
,
где и—относительная флуктуация амплитуды и флуктуация частоты, а и — средние значения амплитуды и частоты.
В качестве основных параметров, характеризующих шумовые свойства автогенераторов, принимают спектральную плотность флуктуации амплитуды Sa(F), Гц-1 (или дБ/Гц), и частоты Sv(F), Гц, определяемые приближенными выражениями:
где и - средние квадраты относительной флуктуации амплитуды и флуктуация частоты, измеренные в полосе частот; F — расстояние между боковой частотой модуляции и средней частотой.
Спектральная плотность флуктуации фазы связана с соотношением . Часто используют безразмерный параметр — отношение мощности боковых спектральных составляющих амплитудной и частотной модуляции в некоторой узкой полосе частот , отстоящей от средней частоты колебаний на величину F, к средней мощности колебаний. Обычно принимают равной 1 кГц или 1 Гц.
Важными параметрами приборов являются также масса и габариты, так как от них зависит масса и габариты радиоаппаратуры в целом. При этом определяющим параметром является отношение удельной массы на единицу мощности, кг/Вт. Лучшие электровакуумные приборы имеют параметр, равный 0,01 кг/Вт. Снижение питающих напряжений позволяет уменьшить массу аппаратуры благодаря уменьшению массы и размеров источников питания.
Долговечность работы приборов определяется сроком службы. Наземные системы связи, а также бортовые, где возможна периодическая замена приборов, допускают срок службы 500-1000ч. Разработка орбитальных космических аппаратов увеличила требования к сроку службы приборов. Например, ЛБВ фирмы Сименс (ФРГ) YH1181 для космической связи, работающая в диапазоне частот 4,4—5,0 ГГц с выходной мощностью 1кВт, имеет срок службы 20000ч. Основным критическим параметром радиотехнических систем является коэффициент готовности, определяемый СНДО/(СНДО + ), где СНДО - средняя наработка до отказа (в часах);—среднее время замены вышедшего из строя прибора. Коэффициент готовности наземных обзорных радиолокационных станций в США превышает 98%. Эти станции имеют СНДО1000ч.К коэффициенту готовности новых станций предъявляются более жесткие требования (до 99,9%).
В зависимости от условий эксплуатации к приборам предъявляются также требования по механической прочности и виброустойчивости, температурной и радиационной устойчивости, безопасности эксплуатации.