- •Электронные и квантовые приборы свч
- •Глава 1 Общие сведения по электронным и квантовым приборам свч и оптического дипазонов
- •Особенности свч и оптического диапазонов
- •1.2. Общие сведения об электронных и квантовых приборах свч и оптического диапазонов и их основных параметрах
- •1.3. Классификация электронных и квантовых приборов свч и оптического диапазонов
- •Глава 2 триоды и тетроды свч
- •2.1. Полный ток в промежутке между электродами и во внешней цепи электровакуумных приборов
- •2.2. Работа триода на свч
- •2.3. Применение триодов и тетродов свч
- •Глава 3 клистроны
- •3.1. Пролетный двухрезонаторный клистрон
- •3.2. Двухрезонаторные клистронные генераторы
- •3.3. Многорезонаторные клистроны
- •3.4. Применение многорезонаторных клистронов
- •3.5. Отражательный клистрон
- •Глава 4 лампы бегущей волны типа о (лбво)
- •4.1 Принцип работы лампы бегущей волны
- •4.2. Замедляющие системы
- •4.3. Элементы линейной теории лбв
- •4.4. Параметры и характеристики лбв
- •4.5. Особенности устройства и применения лбв
- •4.6. Гибридные приборы типа о
- •4.7. Лампа обратной волны
- •Глава 5 приборы типа м
- •5.1. Движение электронов в скрещенных статических электрическом и магнитном полях
- •5.2. Взаимодействие электронов и свч поля
- •5.3. Лампа бегущей волны типа м (лбвм)
- •5.4. Лампа обратной волны типа м (ловм)
- •5.5. Многорезонаторный магнетрон
- •5.6. Митрон
- •5.7. Платинотрон
- •5.8. Приборы с циклотронным резонансом
- •Глава 6 полупроводниковые диоды и транзисторы свч
- •6.1. Полупроводниковые диоды свч
- •Глава 7 лавинно-пролетные диоды (лпд)
- •Глава 8
- •Глава 9 физические основы квантовых приборов
- •9.1. Энергетические уровни
- •9.2. Квантовые переходы
- •9.3. Ширина спектральной линии
- •9.4. Возможность усиления и генерации в квантовых системах
- •9.5. Взаимодействие бегущих электромагнитных волн с активной средой
- •Глава 10 квантовые приборы свч
- •10.1. Квантовые парамагнитные свч усилители
- •10.2. Квантовые стандарты частоты (ксч)
- •Глава 11 лазеры
- •11.1. Оптические резонаторы
- •11.2. Условия самовозбуждения и мощность излучения лазера
- •11.3. Характеристики излучения в оптическом диапазоне
- •11.4. Газовые лазеры
- •11.5. Лазеры на твердом теле
- •11.6. Жидкостные и химические лазеры
- •11.7. Полупроводниковые лазеры
- •11.8. Методы модуляции излучения лазера
- •11.9. Применение лазеров в технике связи
- •Заключение
- •Основные обозначения
- •Список литературы
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 6. Полупроводниковые диоды и транзисторы свч………………………….………
5.8. Приборы с циклотронным резонансом
Недостатком приборов типов О и М, использующих взаимодействие электронов с замедленными волнами, является сложность конструкции замедляющих систем. Размеры замедляющих систем и пространство взаимодействия ста- поиятся особенно малыми при переходе к миллиметровому и субмиллиметровом диапазонам волн. Последнее затрудняет не только изготовление этих си, но и рассеяние мощности, которое ограничивает выходную мощность приморий. Поэтому были предложены электронные приборы СВЧ, в которых электроны взаимодействуют с иезамедленньши (быстрыми) волнами. Приборы, использующие взаимодействие винтового электронного потока с незамедленной полной в волноводе или резонаторах, получили название мазеров на циклотронном резонансе (МЦР) или гиротронов. В разработку этих приборов большой вклад внесли советские ученые А. В. Талонов и другие. Для получения ионого электронного потока используется однородное магнитное поле.
Схема генератора с циклотронным резонансом показана на рис. 5.21. Катод нригнира имеет коническую форму, а его эмитирующая часть выполнена в виде мми.ца. Магнитное поле В направлено вдоль оси катода и прибора. Электроны, ІН.І метающие с поверхности кольца, двигаются по спиральным траекториям в результате совместного действия поля ускоряющего электрода 2 и продольногомагнитного поля В, проходят резонатор (линию передачи) 3 и попадают на коллоктор 4.
Для пояснения возможности длительного взаимодействия электронов и бегущей волны воспользуемся рис. 5.22, на котором показана картина электриче- сого поля волны типа H10 в сечении прямоугольного волновода и проекция интовой траектории электрона в продольном магнитном поле. Пусть ωц угловая частота вращения электрона (циклотронная частота), а v0 — продольная корость электрона в направлении оси винтовой траектории. Электрон, оказавшийся в точке А (рис. 5.22а), испытывает тормозящее воздействие СВЧ поля.
На рис. 5.22б показано положение В электрона через половину оборота, т. е. через время Тц/2. Если за это время направление напряженности электрического поля изменится на противоположное, как показано на рис. 5.22в, то электрон окажется снова в тормозящем СВЧ поле. Путь, проходимый электроном вдоль оси за время Тц/2, le=v0Та/2, а волной — le=vфТа/2, где vф — фазовая скорость волны, большая скорости света (vф>с). Очевидно, это условие появления электрона в точке В с максимальным значением тормозящего поля при одинаковом направлении движения волны и электрона можно представить в виде
(5.27)
где λв — длина волны в волноводе:
(5.28)
Подставляя (5.28) в (5.27) и используя значения, и и циклотронную частоту, получим
(5.29)
В случае, когда vo/vф<<1, длительное нахождение электрона в тормозящем поле волны, а следовательно, и передача энергии от электронов волне возможна из (5.29) при ω<<nωц. При п— 1 частота ω должна быть близка к циклотронной частоте. При данной частоте волны со рост номера п означает возможность выполнения (5.29) при меньшем значении циклотронной частоты vц, т. е. при меньшей индукции В продольного магнитного поля, так как из (5.4)
ωц = еВ/m. Длительный синхронизм электронов и волны может быть осуществлен и ,на волнах другого типа.
Приборы с циклотронным резонансом еще не нашли широкого применения, так как для их создания требуются большие магнитные поля, особенно в диапазоне миллиметровых и субмиллиметровых волн. В сантиметровом и миллиметровом диапазонах волн удается получать в непрерывном режиме мощность в несколько киловатт с КПД около 30%. Ожидается, что на частоте 100 ГГц удастся получить мощность 10 кВт и КПД не менее 30%.