- •Электронные и квантовые приборы свч
- •Глава 1 Общие сведения по электронным и квантовым приборам свч и оптического дипазонов
- •Особенности свч и оптического диапазонов
- •1.2. Общие сведения об электронных и квантовых приборах свч и оптического диапазонов и их основных параметрах
- •1.3. Классификация электронных и квантовых приборов свч и оптического диапазонов
- •Глава 2 триоды и тетроды свч
- •2.1. Полный ток в промежутке между электродами и во внешней цепи электровакуумных приборов
- •2.2. Работа триода на свч
- •2.3. Применение триодов и тетродов свч
- •Глава 3 клистроны
- •3.1. Пролетный двухрезонаторный клистрон
- •3.2. Двухрезонаторные клистронные генераторы
- •3.3. Многорезонаторные клистроны
- •3.4. Применение многорезонаторных клистронов
- •3.5. Отражательный клистрон
- •Глава 4 лампы бегущей волны типа о (лбво)
- •4.1 Принцип работы лампы бегущей волны
- •4.2. Замедляющие системы
- •4.3. Элементы линейной теории лбв
- •4.4. Параметры и характеристики лбв
- •4.5. Особенности устройства и применения лбв
- •4.6. Гибридные приборы типа о
- •4.7. Лампа обратной волны
- •Глава 5 приборы типа м
- •5.1. Движение электронов в скрещенных статических электрическом и магнитном полях
- •5.2. Взаимодействие электронов и свч поля
- •5.3. Лампа бегущей волны типа м (лбвм)
- •5.4. Лампа обратной волны типа м (ловм)
- •5.5. Многорезонаторный магнетрон
- •5.6. Митрон
- •5.7. Платинотрон
- •5.8. Приборы с циклотронным резонансом
- •Глава 6 полупроводниковые диоды и транзисторы свч
- •6.1. Полупроводниковые диоды свч
- •Глава 7 лавинно-пролетные диоды (лпд)
- •Глава 8
- •Глава 9 физические основы квантовых приборов
- •9.1. Энергетические уровни
- •9.2. Квантовые переходы
- •9.3. Ширина спектральной линии
- •9.4. Возможность усиления и генерации в квантовых системах
- •9.5. Взаимодействие бегущих электромагнитных волн с активной средой
- •Глава 10 квантовые приборы свч
- •10.1. Квантовые парамагнитные свч усилители
- •10.2. Квантовые стандарты частоты (ксч)
- •Глава 11 лазеры
- •11.1. Оптические резонаторы
- •11.2. Условия самовозбуждения и мощность излучения лазера
- •11.3. Характеристики излучения в оптическом диапазоне
- •11.4. Газовые лазеры
- •11.5. Лазеры на твердом теле
- •11.6. Жидкостные и химические лазеры
- •11.7. Полупроводниковые лазеры
- •11.8. Методы модуляции излучения лазера
- •11.9. Применение лазеров в технике связи
- •Заключение
- •Основные обозначения
- •Список литературы
- •Предметный указатель
- •Оглавление
- •Глава 6. Полупроводниковые диоды и транзисторы свч………………………….………
Глава 10 квантовые приборы свч
10.1. Квантовые парамагнитные свч усилители
Энергетические уровни парамагнитных веществ. В квантовом парамагнитном усилителе (КПУ) активной средой является примесь парамагнитных веществ в диамагнитных кристаллах. Для свободных парамагнитных атомов и ионов характерно наличие не скомпенсированного магнитного момента, создаваемого не спаренными электронами в незаполненных электронных оболочках. При отсутствии электрических и магнитных полей энергия свободного атома (или иона) не зависит от того, каким суммарным магнитным моментом обладает атом. Таким образом, свободный парамагнитный атом (ион) имеет вырожденные энергетические уровни с одним значением энергии.
В квантовых парамагнитных усилителях обычно используется рубин — соединение (корунд), в котором около диамагнитных атомов алюминия в кристаллической решетке замещена парамагнитными атомами хрома . В незаполненной электронной оболочке атома хрома имеются три не спаренных электрона.
Свободный ион хрома при отсутствии электрического и магнитного полей имеет четырехкратно вырожденный основной энергетический уровень (рис. 10.1а). Из-за наличия сильного внутрикристаллического электрического поля частично снимается вырождение основного уровня, и он оказывается расщепленным на и которым соответствует частота квантового перехода . Каждому уровню соответствуют два квантовых состояния иона с одинаковой энергией, но с противоположными знаками проекции магнитного момента на направление внутрикристаллического поля, т. е. каждый из уровней и дважды вырожден. При помещении кристалла рубина во внешнее магнитное поле с напряженностью это вырождение снимается, каждый уровень расщепляется на два, причем расстояние между уровнями зависит от значения (рис. 10.1 б).
Таким образом, в рубине, находящемся в постоянном магнитном поле, из двух нижних уровней образуются четыре, частоты квантовых переходов между которыми соответствуют СВЧ диапазону. Расстояния между уровнями зависят не только от магнитного поля, но и от угла между направлением магнитного поля и осью кристалла. Например, на рис. 10.2 показана схема энергетических уровней в рубине при угле ориентации . При этом угле расстояния между уровнями ии уровнямииравны .
Метод создания инверсии населенностей в парамагнитном веществе. Для создания инверсии населенностей используют воздействие вспомогательного СВЧ излучения.
На рис. 10.3 изображена система трех энергетических уровней; частоты квантовых переходов которой соответствуют СВЧ диапазону. В СВЧ диапазоне расстояние между энергетическими уровнями и с энергиями и много меньше , т. е.
. (10.1)
Распределение населенностей уровней в состоянии термодинамического равновесия подчиняется закону Больцмана (9.18). Перепишем его в следующем виде:
(10.2)
После разложения экспоненты в ряд с учетом (10.1)
(10.3)
Таким образом, при выполнении (10.1) зависимость населенности уровней от энергии может быть представлена отрезком прямой линии.
Предположим, что на вещество воздействует вспомогательное излучение (накачка), частота которого точно равна частоте квантового перехода :
.
Очевидно, что излучение должно вызывать вынужденные переходы только между уровнями и и приводить к изменению населенностей этих уровней. Внешнее поле из-за неравенства частот и непосредственно и а населенность уровня не влияет, так как оно не вызывает вынужденных переходов между уровнями или .
Найдем условие создания инверсии населенностей. Как уже отмечалось в § 9.2, в СВЧ диапазоне роль спонтанного излучения невелика. В то же время влияние безызлучательных переходов, связанных с тепловыми колебаниями, значительно из-за большой вероятности этих переходов при малом расстоянии между уровнями в СВЧ диапазоне. Поэтому можно пренебречь спонтанными переходами. Воспользуемся обозначениями: — вероятности вынужденных переходов , a и — вероятности безызлучательных переходов с уровня на уровень и обратно. Предположим далее, что интенсивность поля накачки настолько велика, что вероятность вынужденных переходов , пропорциональная этой интенсивности, значительно больше вероятностей любых безызлучательных переходов, т. е. . При этом допущении пару уровней и можно рассматривать приближенно как изолированную двухуровневую систему, на которую воздействует сильное внешнее поле с частотой, равной частоте перехода. Такое воздействие проанализировано в § 9.4. При достаточно большой плотности энергии поля произойдет выравнивание населенностей уровней и , т. е. насыщение квантового перехода. Это выравнивание показано на рис. 10.3. Населенность уровня уменьшилась , а уровня увеличилась . При насыщении перехода .
Населенность уровня на рис. 10.3 принята постоянной для большей наглядности объяснения способа получения инверсии населенностей. В этом случае сразу видно, что , т. е. имеется инверсия населенностей в верхней паре уровней. Происходящее в действительности изменение населенности уровня можно учесть следующим образом. В стационарном состоянии устанавливаются такие значения населенностей уровней , при которых обеспечивается динамическое равновесие: насколько в единицу времени, например, увеличивается населенность уровня вследствие переходов с других уровней, настолько она уменьшается из-за переходов с этого уровня на другие. При пренебрежении спонтанными переходами прирост населенности уровня вследствие безызлучательных переходов с уровня составит , а с уровня — . Аналогично убыль из-за безызлучательных переходов с уровня на уровни и составит и соответственно. Таким образом, в стационарном состоянии
. (10.4)
Считая, что в переходе наступило насыщение , из (10.4) получаем
. (10.5)
Напомним, что в СВЧ диапазоне вероятности безызлучательных переходов для каждого уровня связаны приближенными формулами (9.24), т. е. . Подставляя эти величины в (10.5), получаем
.
Это соотношение позволяет найти условие получения инверсии населенностей в переходе . Очевидно, что только при или
(10.6)
Условие получения инверсии населенностей (10.6) можно пояснить следующим образом.
При и , определяемых положением уровней, увеличение означает, что растет число безызлучательных переходов с уровня на уровень , т. е. более интенсивно убывает населенность уровня . Это облегчает получение инверсии населенностей уровней и . Соответственно выполнению неравенства (10.6) способствует уменьшение . В этом случае уменьшается число безызлучательных переходов с уровня на уровень , что благоприятствует получению инверсии населенности в этой паре уровней. Другими словами, время жизни частиц верхнего уровня рассматриваемого перехода должно быть больше времени жизни нижнего уровня этого перехода.
Поясним влияние положения уровней ( см. рис. 10.3). Если поле накачки достаточно велико, то наблюдается насыщение перехода , т. е. . При смещении уровня вверх происходит в соответствии с законом Больцмана (10.2) уменьшение населенности уровня . При наличии поля накачки населенность уровня изменяется из-за безызлучательных переходов. Если предположить, что населенность этого уровня остается неизменной, то при его смещении вверх (увеличение и уменьшение ) разность возрастает. В частном случае, когда уровень находится точно в середине между верхним и нижним уровнями (), т.е. ни в одной паре уровней нет инверсии населенностей.
Если уровень оказывается ниже середины , то при насыщении перехода окажется больше и наступит состояние инверсии населенностей в переходе . Однако в этом случае для получения инверсии населенностей необходимо выполнить условие, отличающееся от (10.6) знаком неравенства:
(10-7)
Таким образом, инверсия населенностей в переходе наступает, если , а в переходе при и исчезает при . Следовательно, можно сделать общий вывод: для получения инверсии населенности необходимо, чтобы частота поля накачки более чем в раза превышала частоту перехода, в котором создается инверсия населенности (рабочий переход):
. (10.8)
Метод вспомогательного излучения для получения инверсии населенностей может быть использован и в четырехуровневой системе, при этом возможны различные варианты.
На рис. 10.4 показана четырехуровневая система, в которой накачка производится одновременно на частотах двух переходов с помощью двух генераторов с частотами и . Под действием поля с частотой увеличивается населенность уровня , а под действием поля с частотой уменьшается населенность уровня . Совместное действие полей увеличивает разность населенностей уровней и рабочего перехода. Таким образом, четырехуровневая система более эффективна, чем трехуровневая, где поле накачки изменяет лишь населенность одного уровня рабочего перехода.
На рис. 10.4б приведена четырехуровневая система, в которой частота первого генератора накачки равна частоте перехода , а второго — частоте перехода . Так как то населенность уровня уменьшается, а уровня увеличивается. Воздействие поля с частотой приводит к уменьшению населенности уровня , а следовательно, к уменьшению числа переходов с уровня на уровень . Последнее обеспечивает получение меньшей населенности нижнего уровня , чем в трехуровневой системе.
Необходимо отметить, что в частном случае, когда положение уровней таково, что ( см. рис. 10.4а) или (см. рис. 10.4б), и можно применять один СВЧ генератор для накачки.
Остановимся на важном вопросе о рабочей температуре парамагнитного вещества. При близком расположении энергетических уровней, характерном для СВЧ диапазона, различие в исходных населенностях уровней, определяемых из закона Больцмана (10.3), невелико и тем меньше, чем выше температура . Поэтому в КПУ вещество охлаждается до температуры жидкого гелия или жидкого азота. Так как вероятность безызлучательных переходов обратно пропорциональна населенности уровней (§ 9.2), то понижение температуры приводит к уменьшению отношения в (10.7), что облегчает получение инверсии населенностей. Кроме того, увеличение исходной разности населенностей позволяет получить больший показатель усиления (9.63) и меньший коэффициент шума.
Разновидности КПУ и их параметры. Подразделяются КПУ на резонаторные и с бегущей волной. В резонаторных КПУ парамагнитный кристалл помещен в объемный резонатор. На рис. 10.5 показано устройство отражательного резонаторного КПУ.
В отражательном КПУ сигнал с помощью циркулятора направляется в резонатор , где находится парамагнитный кристалл . К резонатору также подводится энергия от генератора накачки для получения инверсии населенностей. Мощность сигнала в резонаторе увеличивается в результате вынужденных переходов. Усиленная волна сигнала с помощью циркулятора направляется в приемник. Приходящую в резонатор волну сигнала можно считать падающей, и выходящую (усиленную) — отраженной от резонатора. Соотношение между амплитудами этих волн должно зависеть от степени инверсии парамагнитного вещества. Не отражающая нагрузка в плече циркулятора между приемником и источником сигнала необходима для поглощения волны сигнала, отраженной от приемника, если на его входе недостаточно хорошее согласование. Попадание сигнала из приемника в место присоединения источника сигнала может привести к самовозбуждению КПУ.
В проходном КПУ (рис. 10.6) отсутствуют циркулятор и не отражающая нагрузка, так как используется волна, проходящая в приемник через резонатор . Для получения волны одного направления используются вентили . Элементы и — парамагнитное вещество и криостат.
Особенность резонатора КПУ состоит в том, что он должен возбуждаться на двух сильно отличающихся частотах — частоте сигнала , равной частоте рабочего квантового перехода ( см. рис. 10.3), и частоте накачки .
Расчет резонаторных КПУ основан на том, что процесс выделения электромагнитной энергии при вынужденных переходах можно описать введением отрицательного затухания, которое компенсирует собственные потери в резонаторе. Далее задача сводится к расчету электрических цепей.
Эквивалентная схема отражательного КПУ приведена на рис. 10.7. Усиливаемый и усиленный сигналы в волноводной линии распространяются в противоположных направлениях, так как усиленный сигнал можно рассматривать как волну, отраженную от резонатора. Коэффициент усиления по напряжению определяется модулем коэффициента отражения, а по мощности — квадратом модуля.
В КПУ вследствие использования активной среды наблюдается регенеративный эффект, при котором из-за роста коэффициента усиления должны уменьшаться активное сопротивление контура и ширина полосы и повышаться добротность. Частотная зависимость коэффициента усиления по мощности и полосы КПУ определяется зависимостью от частоты коэффициента отражения. Обычно . Полоса КПУ оказывается сравнительно узкой. Практически произведение полосы КПУ на коэффициент усиления остается постоянным. Произведение увеличивается при введении дополнительных резонаторов или корректирующих элементов.
Все рассуждения, приведенные для отражательных резонаторных КПУ, применимы и для проходного резонаторного КПУ. Расчеты показывают, что произведение коэффициента усиления на полосу в этом КПУ меньше.
Квантовый усилитель с бегущей волной (КУБВ) представляет собой усилитель распределенного типа, в котором взаимодействие электромагнитного поля с активной средой происходит в процессе распространения волны по волноводной линии или по замедляющей системе с распределенным вдоль ее активным веществом. Схема КУБВ с замедляющей системой показана на рис. 10.8. В результате воздействия поля накачки с частотой парамагнитное вещество становится активным, и это эквивалентно введению в систему отрицательного сопротивления. По мере распространения сигнала по замедляющей системе его амплитуда непрерывно увеличивается за счет энергии, выделяемой при вынужденных переходах. Ферритовый вентиль обеспечивает однонаправленное усиление и устраняет самовозбуждение прибора (— криостат).
Показатель усиления (9.58) зависит от разности населенностей энергетических уровней и групповой скорости волны . С уменьшением усиление растет. Применение периодических замедляющих систем позволяет уменьшить групповую скорость.
Ширина полосы КУБВ должна определяться частотной зависимостью величины в (9.58). Ширина полосы в КПУ с бегущей волной также зависит от коэффициента усиления, т. е. с ростом полоса уменьшается (регенеративный эффект). Однако зависимость полосы от коэффициента усиления в КУБВ слабее: при одинаковом коэффициенте усиления в КУБВ полоса может быть во много раз больше, чем в резонаторном КПУ. Это преимущество КУБВ практически исчезает в миллиметровом диапазоне. Расчеты показывают, что в этом случае полосы КУБВ и много резонаторных КПУ сравнимы.
Шумы квантовых парамагнитных усилителей. Шумы квантовой системы обусловлены спонтанными переходами. Спектральная плотность мощности спонтанного излучения при термодинамическом равновесии абсолютно черного тела, находящегося при температуре , для одного типа колебаний определяется квантово-механической формулой Найквиста
. (10.9)
При условии
(10.10)
справедливом для низких частот и не очень низких абсолютных температур, (10.9) можно привести к обычно используемой в диапазоне радиочастот формуле Найквиста
. (10.11)
Эта формула относится к полосе частот . В полосе мощность шума
(10.12)
Из (10.12) следует, что шум, создаваемый квантовой системой без инверсии населенностей, можно представить как тепловой шум некоторого резистора с положительным сопротивлением , находящимся при положительной температуре . Поэтому вводят эквивалентный генератор шумового напряжения , создающий шум, определяемый по (10.12), при этом
. (10.13)
Теоретически доказано, что (10.13) справедлива и для активной среды, у которой отрицательно, а равна температуре перехода , определяемой из (9.39). Температура при инверсии населенностей отрицательна. Произведение в (10.13) остается положительным и пропорциональным населенности , определяющей число спонтанных переходов. Поэтому считается, что для расчета шумовых характеристик активной квантовой среды можно использовать обычные формулы, но только вместо положительной температуры среды необходимо подставить отрицательную температуру квантового перехода, а вместо сопротивления — отрицательное сопротивление активной среды.
В резонаторном КПУ шумы определяются двумя компонентами: спонтанным излучением вещества и тепловыми шумами стенок резонатора. Расчеты показывают, что при условии, аналогичном (10.10), и пренебрежении малыми потерями в резонаторе при низкой температуре получается равенство значения шумовой температуры абсолютному значению температуры перехода
. (10.14)
При достаточно сильной инверсии, когда в (9.39) значительно больше температура перехода меньше температуры вещества, а следовательно, и шумовая температура может быть значительно меньше температуры вещества, например ниже температуры жидкого гелия. Но (10.14) справедлива при . В случае очень низких температур, когда , т. е. почти все частицы находятся на верхнем уровне, дополнительное рассмотрение приводит к формуле
. (10.15)
Это минимально возможное значение шумовой температуры КПУ.
Шумовую температуру проходного КПУ вычисляют аналогично. Однако из-за особенности схемы шумовая температура при максимальном коэффициенте усиления в раза выше, чем в однорезонаторном КПУ с тем же объемным резонатором. В КПУ с бегущей волной кроме спонтанного излучения вещества необходимо учитывать шумы, связанные с потерями в замедляющей системе.
Независимо от типа КПУ шумовая температура, связанная со спонтанным излучением, очень мала, — примерно равна рабочей температуре парамагнитного вещества (температуры жидкого гелия или азота). Низкий уровень этих шумов объясняется также тем, что вероятность спонтанных переходов, зависящая от третьей степени частоты, в радиодиапазоне по сравнению с оптическим диапазоном незначительна. В реальных условиях шумовая температура определяется тепловыми шумами элементов входного тракта (антенны). Общая шумовая температура в КПУ с бегущей волной составляет при температуре жидкого гелия. В резонаторных КПУ шумовая температура выше .
Особенности применения КПУ. При очень низком уровне шума КПУ используют в качестве высокочувствительных СВЧ усилителей в радиоастрономии, космической связи, радиолокации и в различных лабораторных исследованиях. Однако преимущество по чувствительности можно реализовать только при одновременном уменьшении уровня шумов в СВЧ тракте перед КПУ, например, применяя охлаждаемые циркуляторы и другие элементы. Для усиления большого сигнала КПУ непригодны из-за эффекта насыщения рабочего квантового перехода вещества. Насыщение, приводящее к уменьшению коэффициента усиления, наступает при малых уровнях сигнала, однако динамический диапазон входных сигналов остается чрезвычайно большим из-за малого уровня шумов, доходящего в некоторых КПУ с бегущей волной до.
Обычно полоса КПУ, определяемая шириной спектральной линии парамагнетика, составляет . Увеличение полосы достигается искусственным уширением спектральной линии вещества или коррекцией частотной характеристики СВЧ тракта. Наиболее эффективным оказался способ уширения линии путем создания неоднородного магнитного поля по длине или поперечному сечению вещества. В простейшем случае применяют два участка с различным полем. Например, достигнута полоса при коэффициенте усиления и ожидается получение полосы до . Очевидно, что в этом способе требуется применение генераторов накачки с разными частотами (по числу участков) или с частотной модуляцией (при непрерывном изменении магнитного поля).
Переход к другой частоте сигнала вне полосы КПУ требует изменения частоты квантового перехода, т. е. одновременного изменения магнитного поля и частоты генератора накачки. В КПУ с бегущей волной диапазон такой перестройки достигает .
В настоящее время КПУ работают в диапазоне частот до . Резонаторные КПУ на частотах , при использовании рубина имеют коэффициент усиления и полосу менее . Квантовые усилители с бегущей волной имеют коэффициент усиления , полосу (менее ), диапазон перестройки . Однако достигнуты полоса на частоте и диапазон при .