4. На участке DE Т1 работает в ИР, а Т2 по-прежнему работает в РН. При этом
UВЫХ = UКЭН.
7.4.3. Входная характеристика
На рис.7.35 приведена входная характеристика ТТЛ-элемента.
IВХ |
UВХГР2 UВХГР3 |
|
|
||
I1 |
UВХГР1 |
Е UВХ |
|||
U0 |
D |
||||
|
1 |
= UИП |
|||
|
|
|
U |
||
С
I0
|
|
|
|
|
A |
|
В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Рис.7.35. Входная характеристика ТТЛ-элемента |
|
|
|
|||||||||||||||||
На первом участке при |
U |
ВХ |
≈ U 0 |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
Т1 работает в РН с IК = 0, по- |
|
||||||||||||||||||
этому |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UИП − UБЭН |
−UВХ |
|
|
|
|
|
||||
I |
ВХ |
= I |
ЭТ1 |
= I |
БТ1 |
= |
при 0 < U |
ВХ |
< U |
ВХГР1 |
. |
|||||||||
|
|
|||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R1 |
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
На последнем участке при UВХ ≈ U1 Т1 работает в ИР, поэтому |
|
|
||||||||||||||||||
IВХ = βI IБТ1 |
приUВХ > UВХГР3 ; |
|
|
|
|
|||||||||||||||
IБТ1 |
= |
UИП − UБЭН |
Т2 |
− UБКН |
Т1 |
. |
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
R1 |
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
127
7.4.4. Выходная характеристика
На рис.7.36 приведена выходная характеристика для ТТЛэлемента, которая является характеристикой инвертора на Т2, R2, поэтому подобна выходной характеристике РТЛ-элемента.
IВЫХ |
UВХ1 |
|
UИП |
UКЭН |
UВЫХ |
UВХ0
UИП/R2
Рис.7.36. Выходная характеристика ТТЛ-элемента
7.4.5. Влияние нагрузки на передаточную характеристику
Рассмотрим влияние нагрузочных элементов на логические уров-
ни ТТЛ (рис.7.37). При |
U |
ВЫХ |
= U1 |
U |
ВХ |
= U 0 ® T |
KT |
рабо- |
|||
|
|
|
|
11 |
1N |
||||||
тают в ИР |
|
UИП -UБЭН -UБКН |
|
|
|
|
|
||||
1 |
|
|
|
|
|
|
|||||
IН = bI |
|
|
|
|
|
, |
|
|
|
|
|
|
R1 |
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
UВЫХ1 |
= UИП - R2 × IН1 × N . |
|
|
|
|
|
|||||
При UВЫХ =U 0 UВХ =U1 ® T11 KT1N работают в РН (с IК = 0),
128
IН0 = |
U |
ИП |
−U |
БЭН |
−U 0 |
|
|
ВЫХ , |
|||
|
|
|
|
R1 |
|
U 0 |
= U |
КЭН |
+ r (I 0 |
N + |
UИП −UВЫХ0 |
). |
|
|
|
|
|||||||
ВЫХ |
|
К Н |
|
|
R2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UИП |
|
|
|
|
|
|
|
|
R1 |
R2 |
IН0 |
R11 |
R21 |
|||
|
|
|
|
UВЫХ |
T1 |
|
||
UВХ1 |
|
T1 |
|
|
|
1 |
T21 |
|
|
|
|
|
|
||||
|
T2 |
IН1 |
|
ЛЭ1 |
||||
UВХ2 |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
UИП |
|
|||
|
|
|
|
|
N |
|
||
|
|
|
|
|
|
R1N |
R2N |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
T1N
T2N
ЛЭN
Рис.7.37. Схема ТТЛ-элемента с нагрузкой
На передаточной характеристике (рис.7.38)
UВЫХ
UИП
UВХ1
A
UВХ0
UКЭН
UВХ
Рис.7.38. Изменение передаточной характеристики под влиянием нагрузочных элементов
129
наблюдаются изменения: |
U1 |
↓ U 0 |
−, |
кроме того, в точке |
ВЫХ |
ВЫХ |
|
А сдвиг характеристики, который связан с включением существенного тока нагрузки. Необходимо увеличение UВХ, чтобы компенсировать ток нагрузки, не вызывая изменения UВЫХ.
7.4.6.Основные параметры
1.U 1 =U ИП - N × IН1 × R2 .
|
U 0 =U |
КЭН |
+ r (I 0 |
N + |
UИП -U 0 |
) = |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||
2. |
|
|
|
|
|
К |
Н |
|
|
|
|
|
|
|
|
R2 |
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
=U |
|
|
+ r I |
0 |
N + |
|
rК |
U |
|
- |
|
rК |
U 0 ; |
||||||||||||||
|
|
|
|
R2 |
|
R2 |
||||||||||||||||||||||
|
|
КЭН |
|
|
К Н |
|
|
|
|
|
|
|
ИП |
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
U |
|
|
|
+ r (I 0 |
N + |
U ИП |
) |
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||
|
U 0 = |
|
КЭН |
|
|
|
К |
Н |
|
|
|
|
|
|
|
R2 |
. |
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
1 + |
rК |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
U П = U БЭН . |
|
R2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
3. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
IВХ0 |
= IН0 |
= |
U ИП -U БЭН - U 0 |
. |
|
|
|
||||||||||||||||||||
4. |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R1 |
|
UИП -UБЭН -UБКН |
|
|||||||||||||
|
I1 |
= I |
1 |
= b |
I |
I |
БТ1 |
= b |
I |
|
. |
|||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||
5. |
ВХ |
|
|
Н |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R1 |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
7.4.7. Многоэмиттерный транзистор |
|||||||||||||||||||||||
Рассмотрим более |
|
подробно |
|
многоэмиттерный транзистор |
||||||||||||||||||||||||
(рис.7.39). Пусть: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
∙ |
общее число входов (элементов) - n; |
||||||||||||||||||||||||
∙число входов с U ВХ0 , работающих в РН, - n0;
∙число входов с U 1ВХ , работающих в ИР, - n1.
130
Эквивалентная схема для этого случая приведена на рис.7.40.
Если имеется хотя бы один вход с UВХ = UВХ0 , n0 ¹ 0 , то IК = 0 . Если IК = 0 , то по закону Кирхгофа
|
|
|
|
|
n0 |
|
|
|
|
|
|
I КД = åa0Ni IЭД i + aП IКД ; |
|
||||||
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
ì |
|
0 |
1 |
- aП IКД |
|
|
|
|
|
ïI 0 |
= |
IБ |
+ n1IВХ |
, |
|
||
|
|
|
n |
|
|
||||
|
|
í |
ВХ |
|
|
|
|
|
|
|
|
ï |
1 |
1 |
0 |
|
|
|
|
|
|
IКД . |
|
|
|
||||
|
|
î IВХ = aI |
|
|
|
||||
|
|
Б |
|
|
|
|
|
|
|
Э1 |
|
К |
|
|
|
|
|
|
|
Э2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
A |
Э3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Э4 |
а |
A |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Э1 |
Э2 |
Б |
К |
|
|
|
|
|
|
|
|
p |
|
|
n
p
n+
б
Рис.7.39. Многоэмиттерный транзистор: а - условное обозначение; б - структура
131