- •1. Основы микросхемотехники ИС
- •1.1. Основные термины и определения
- •1.2. Этапы и направления развития ИС
- •1.3. Классификация ИС
- •1.3.4. Классификация по степени интеграции
- •1.4. Последовательность разработки ИС
- •2. Основы цифровой техники
- •2.3. Основные логические операции
- •2.4. Формы представления логической функции
- •2.5. Структурное проектирование цифровых схем комбинационного типа
- •3. Основные параметры и характеристики ЦИС
- •3.1. Основные параметры ЦИС
- •3.2. Характеристики ЦИС
- •3.3. Определение измеряемых параметров по характеристикам
- •4.1. Формирование биполярных транзисторов
- •4.3. Эквивалентная модель интегрального n–p–n биполярного транзистора
- •4.4. Режимы работы биполярного транзистора
- •4.6. Статические ВАХ транзистора
- •5. Диоды в интегральных схемах
- •5.1. Модель идеального диода
- •5.2. Эквивалентная схема интегрального диода
- •5.3. Аппроксимации ВАХ диода
- •5.4. Варианты реализации интегральных диодов
- •6. Пассивные элементы ИС
- •6.1. Основные параметры резисторов
- •6.2. Реализация интегральных резисторов
- •6.4. Реализация интегральных конденсаторов
- •7. Элементная база статических ЦИС на биполярных транзисторах
- •7.1. Резисторно-транзисторная логика (РТЛ)
- •7.1.1. Характеристики РТЛ
- •7.2. Эмиттерно-связанная логика (ЭСЛ)
- •7.2.1. Принцип работы
- •7.2.2. Входная характеристика
- •7.2.3. Передаточная характеристика
- •7.2.4. Выходная характеристика
- •7.2.6. Многоярусные ЭСЛ (МяЭСЛ)
- •7.3. Диодно-транзисторная логика
- •7.3.1. Расчет передаточной и входной характеристик
- •7.3.2. Выходная характеристика
- •7.3.3. Влияние нагрузки на логические уровни
- •7.4. Транзисторно-транзисторная логика
- •7.4.1. ТТЛ-элемент с простым инвертором
- •7.4.2. Передаточная характеристика
- •7.4.3. Входная характеристика
- •7.4.4. Выходная характеристика
- •7.4.6. Основные параметры
- •7.4.7. Многоэмиттерный транзистор
- •7.4.8. ТТЛ-элемент со сложным выходным каскадом
- •7.4.9. Модификация логического элемента
- •7.5. Интегральная инжекционная логика
- •7.5.2. Реализация логических функций
- •8. Полевые транзисторы
- •8.1. Типы полевых транзисторов
- •8.2. Определение физических параметров
- •8.3. модель полевого транзистора
- •8.4. Режимы работы и уравнения ВАХ полевого транзистора
- •9. Элементная база на полевых транзисторах
- •9.2. Передаточная характеристика и параметры инвертора с линейной нагрузкой
- •9.3. Передаточная характеристика и параметры инвертора с нелинейной нагрузкой
- •9.4. Передаточная характеристика и параметры инвертора с квазилинейной нагрузкой
- •9.5. Передаточная характеристика и параметры инвертора с токостабилизирующей нагрузкой
- •9.6. Передаточная характеристика и параметры комплементарного инвертора
- •9.8. Логические элементы на МОП-транзисторах
- •9.9. Определение эквивалентной крутизны группы переключающих транзисторов
- •9.11. Влияние параметров транзисторов на характеристики логического элемента
- •9.12. Сопряжение ТТЛ- и КМОП-схем
IЭ1, IЭ2, IR5
IR5
IЭТ1
IЭТ2
−UОП |
UВХ |
Рис.7.16. ВАХ переключателя тока
При UВХ < UОП |
|
|
|
||||
I R0 |
5 |
= |
|
UОП −UБЭНТ 2 |
−UИП |
, |
|
R5 |
|
|
|||||
при UВХ > UОП |
|
|
|
||||
I1R5 |
= |
UВХ − UБЭНТ1 |
− UИП |
. |
|||
|
|
||||||
|
|
|
|
R5 |
|
|
|
7.2.2. Входная характеристика
Входной ток ЭСЛ-элемента является базовым током входного транзистора Т1. Поэтому из эквивалентной схемы рис.7.15 запишем:
IВХ = IБТ1 = (1 − αN )IЭТ1 .
Рассмотрим режимы работы транзисторов на различных участках входной характеристики (рис.7.17).
1.Т1 - РО (граничное условие UБЭТ1 = 0 );
Т2 - НАР (UБЭТ 2 = UБЭН );
IЭТ1 = IЭ 0 ≈ 0; IЭТ 2 = IR5;
103
I ВХ = I БТ 1 ≈ 0 .
Граничное условие для перехода на второй участок характеристики:
|
UВХI−II = UОП − UБЭТ 2 |
+ UБЭТ1 = UОП −UБЭН. |
|
2. Т1 |
- НАР (граничное условие: 0 < UБЭТ1 < UБЭГР ); |
||
Т2 |
- НАР (UБЭТ 2 = UБЭН ); |
= IЭ 0 |
≈ 0; |
|
IЭТ1 |
||
|
IЭТ 2 |
= IR5 |
; |
|
I ВХ = I БТ 1 |
≈ 0 . |
Граничное условие для перехода на третий участок характеристики:
|
UВХII−III |
= UОП − UБЭТ 2 + UБЭТ1 |
= UОП −UБЭН + UБЭГР . |
|||
3. Т1 |
- НАР (граничное условие: UБЭГР |
< UБЭТ1 |
< UБЭ Н ); |
|
||
Т2 |
- НАР (граничное условие: UБЭ Н > UБЭТ 2 |
> UБЭГР ); |
|
|||
|
|
IЭТ1 + IЭТ 2 = IR5; |
|
|
||
|
IВХ = IБТ1 |
= (1− αN )IЭТ1 = (1− αN ) |
|
IR5 |
. |
|
|
|
UОП −UВХ |
||||
|
|
|
1+ exp |
|
||
|
|
|
ϕТ |
|
||
|
|
|
|
|
|
Граничное условие для перехода на четвертый участок характеристики:
UВХIII−IV = UОП − UБЭТ 2 + UБЭТ1 = UОП − UБЭГР + UБЭН.
4.Т1 - НАР (UБЭТ1 = UБЭН ); Т2 - НАР (UБЭТ 2 < UБЭГР );
IЭТ1 = IR5;
IЭТ 2 = IЭ 0 ≈ 0;
IВХ = (1 − αN )UВХ − UБЭН − UИП .
R5
104
Граничное условие для перехода на пятый участок характеристики:
UБ КТ1 = 0 UВХIV−V =UВЫХ + UБЭТ3 .
5.Т1 - РН (граничное условие: UБЭТ1 = UБЭН , 0 <UБКТ1 <UБКН );
Т2 - НАР (UБЭТ 2 < UБЭГР );
IЭТ1 = IR5;
IЭТ 2 = IЭ 0 » 0;
IВХ = (1- aN )IЭ0 exp UБЭН + (1- aI )IК0 exp UБКН . |
|
jТ |
jТ |
Граничное условие для перехода на шестой участок характеристики:
UБКТ1 = UБКН |
UВХV−VI =UВЫХ + UБЭНТ3 -UБКНТ1. |
6.Т1 - РН (UБЭТ1 = UБЭН ,UБКТ1 =UБКН );
Т2 - НАР (UБЭТ 2 < UБЭГР );
|
|
|
IЭТ1 = IR5; |
|
|
||||
|
|
|
IЭТ 2 |
= IЭ 0 » 0; |
|
||||
IВХ = |
|
(1− αI αN ) |
|
|
×UВХ −UБКН + |
|
|||
|
|
|
|
|
|||||
|
|
1- aП - aI aN |
R1 |
|
|||||
æ |
|
|
aN aП |
ö |
|
|
|
||
ç |
|
|
|
|
÷UВХ -UБЭН -UИП |
|
|||
+ ç1 |
- |
|
|
|
÷ |
|
|
. |
|
|
|
|
|
R5 |
|||||
è |
|
1- aП - aI aN ø |
|
7.2.3. Передаточная характеристика
Для построения передаточной характеристики запишем уравне- ния для UВЫХi :
105
UКi = −αN IЭi Ri ;
UВЫХi = −UБЭН − αN IЭi Ri = |
|
|
|
|
|||||
= −U |
БЭН |
− α |
N |
UВХ − UБЭН − UИП |
R |
|
= f ( |
Ri |
) . |
|
i |
|
|||||||
|
|
R5 |
|
R5 |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
(7.3)
Обычно для совпадения логических уровней на выходах резисторы R1 и R2 выбираются из соотношения
R1 |
|
I 0 |
|
U |
ОП |
− U |
БЭН |
−U |
ИП |
|
|
|
= |
R5 |
= |
|
|
|
|
. |
|||
R2 |
|
I1R5 |
|
|
UВХ1 −UБЭН −UИП |
При построении передаточной характеристики (рис.7.18)
|
|
|
UВЫХ |
I |
II |
III IV V |
VI UВХ |
UВЫХ1 |
|
UОП |
UВЫХ' = − UБЭН |
|
|
P1 |
|
|
|
UВЫХ = UВХ − UБЭН |
|
UВЫХ2 |
P0 |
|
|
|
|
||
UВЫХ=UВХ |
UБКТ1= 0 |
UБКТ1= UБКН |
Рис.7.18. Передаточная характеристика ЭСЛ-элемента схема для расчета выходной характеристики
учитываются уравнение (7.3) и режимы работы транзисторов на различных участках (см. входную характеристику).
7.2.4. Выходная характеристика
Для получения выходной характеристики рассмотрим эквивалентную схему (рис.7.19).
106
R2 |
|
T4 |
|
IКТ2 |
IЭ |
|
Т4 |
T2 |
UВЫХ2 |
UОП |
IВЫХ |
I0 |
|
R5 |
|
IR4 |
R4 |
−UИП
Рис.7.19. Эквивалентная схема для расчета выходной характеристики
Поскольку схема симметричная, то достаточно рассмотреть половину ее. При этом в зависимости от входного напряжения транзистор Т2 будет находиться в следующих режимах:
при |
U ВХ0 |
→ Т2 |
открыт, χ = 1, |
при |
U ВХ1 |
→ Т2 |
закрыт, χ = 0 . |
Система уравнений для выходной характеристики по эквивалентной схеме (см. рис.7.19) запишется:
I |
ВЫХ |
= I |
R4 |
− I |
ЭТ 4 |
= |
UВЫХ2 −UИП |
− I |
ЭТ 4 |
, |
|||||||
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
R4 |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
IЭТ 4 |
= IЭД |
= IЭ0 exp |
UKТ 2 |
−UВЫХ2 |
, |
|
|
||||||||||
|
ϕТ |
|
|
||||||||||||||
IБТ 4 = (1− αN )IЭТ 4 , |
|
|
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
I |
КТ 2 |
= α |
N |
I 0 |
χ , |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
R5 |
|
|
|
|
)R2 . |
|
|
|
|
|
|||
UКТ 2 = − (IБТ 4 + IКТ 2 |
|
|
|
|
|
Наконец, получим уравнение для ВАХ выходной характеристики
(рис.7.20)
107
|
|
|
|
|
|
|
|
IВЫХ |
UИП |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
UИП |
|
|
|
|
|||
|
|
U 0 |
|
|
|
|
|
R3 = |
R4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
ВХ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U ' |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ВХ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U0 |
|
|
U1 |
|
|
UВЫХ |
|
|
|
|
|
|
|
Рис.7.20. Выходные характеристики ЭСЛ-элемента |
|
||||||||||||||
|
|
= -[(1 - a |
|
)I |
|
|
|
I 0 |
]R 2 - j |
æ |
I |
ЭТ 4 |
|
ö |
|
U |
ВЫХ 2 |
N |
ЭТ 4 |
+ ca |
N |
çln |
|
|
+1÷ . |
||||||
|
|
||||||||||||||
|
|
|
|
R5 |
|
|
T ç |
IЭ 0 |
÷ |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
è |
ø |
7.2.5.Основные параметры ЭСЛ-элемента
Врезультате расчета статических характеристик элемента можно, наконец, определить основные параметры:
1)U1 = –UБЭН;
2)U0 = –UБЭН – DUЛ = –UБЭН – aN IR05R1;
3)UП = –UОП = (U1 + U0)/2;
4)средняя мощность, потребляемая переключателем тока и эмиттерными повторителями:
P = |
|
|
U |
ИП |
|
|
I |
ПТ |
= |
|
|
U |
ИП |
|
|
|
IПТ0 + IПТ1 |
= |
|
U |
ИП |
|
|
IR0 |
5 + I1R5 |
= |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||
ПТ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
= |
|
|
U |
ИП |
|
DUЛ æ |
1 |
|
+ |
1 |
ö |
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ç |
|
|
|
|
|
÷; |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
R1 |
R2 |
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
è |
|
|
ø |
|
|
|
|
|
|||||||||||
P = |
|
U |
ИП |
|
|
IR3 + IR4 |
; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
ЭП |
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
108