СБАР от напряжения. Таким образом, справедливо, что при пря-

мом смещении перехода СДИФ >> СБАР, а при обратном смещении

СБАР >> СДИФ.

Уравнения ВАХ для транзистора из схемы Эберса - Молла по закону Кирхгофа записываются следующим образом:

(4.4)

Для уменьшения паразитного влияния подложечный переход все-

гда включается в обратном смещении. Тогда IПД » 0 (пренебре-

гаем тепловым током, т.е. IПД = IПД 0 » 0 ). В табл.4.1 приведены параметры модели n–p–n-транзистора.

Таблица 4.1

Параметры биполярного n–p–n-транзистора

4.4. Режимы работы биполярного транзистора

Поскольку транзистор имеет два полезных p–n-перехода, то возможны четыре режима работы: режим отсечки (РО), нормальный активный режим (НАР), режим насыщения (РН) и инверсный режим (ИР) (табл.4.2).

60

Таблица 4.2

Режимы работы биполярного транзистора

Примечание: UБЭН, UБКН - напряжение насыщения соответствую-

щего перехода; UБЭГР , UБКГР - граничное напряжение на соответствующем переходе, при котором можно пренебречь током.

4.5.Эквивалентные схемы р–n–р-транзисторов

Винтегральном производстве р–n–р-транзисторы создаются в одном технологическом маршруте с n–р–n-транзисторами. Возможны две реализации транзисторов.

1. Вертикальный (паразитный) транзистор (рис.4.11). Из эквивалентной схемы можно записать уравнения для токов:

61

Рис.4.11. Биполярный вертикальный p–n–p-транзистор: а - условное обозначение; б - структура; в - эквивалентная схема 2. Горизонтальный (латеральный) транзистор (рис.4.12).

Рис.4.12. Биполярный горизонтальный p–n–p-транзистор: а - структура; б - эквивалентная схема

62

Из эквивалентной схемы можно записать уравнения для

токов:

Параметры горизонтального транзистора приведены в табл.4.3.

Таблица 4.3

Параметры биполярного горизонтального р–n–р- транзистора

4.6.Статические ВАХ транзистора

Всхемотехнике успешно используются три включения транзистора: включение n–р–n-транзистора с общей базой (ОБ) (рис.4.13).

Рис.4.13. Включение n–p–n-транзистора с ОБ: а - схема; б - входная ВАХ; в - выходная ВАХ

63

1)включение n–р–n-транзистора с общим эмиттером

(ОЭ) (рис.4.14).

Рис.4.14. Включение n–p–n-транзистора с ОЭ: а - схема; б - входная ВАХ; в - выходная ВАХ

Выходным током является коллекторный ток, который зависит от режима работы транзистора. В этом включении входной ток определяется базовым как

Наклон выходной характеристики в НАР объясняется не идеальностью транзистора, а именно эффектом модуляции ширины базы;

2)включение n–р–n-транзистора с общим коллектором

(ОК) (рис.4.15).

UИП

Uвх Uвых

Рис.4.15. Схема включения n–p–n-транзистора с ОК

64