Kirichenko_Elektrichestvo_i_Magnetizm
.pdfНайдём магнитный момент, который приобретает сверхпроводник во внешнем магнитном поле В(е>. Пусть образец представляет собой длинный тонкий цилиндр, ориентированный вдоль силовых линий маг нитного поля (рис. 9.4.3). В рассматриваемой геометрии напряжённость
поля в цилиндре Hw =В(е). Поэтому |
|
I = -(1/4яг)Н(0 = -(1/4ж)В(е> => |
т = П = -(Г/4л)В (е). |
На рис. 9.4.4 и 9.4.5 показаны зависимости намагниченности об |
|
разца I и магнитного поля в его объеме |
при изменении внешнего |
магнитного поля Н. |
|
9.4.4. Эффект Мейсснера
Эффект М ейсснера состоит в том, что при температуре ниже кри тической магнитное поле полностью выталкивается из объема сверх проводника (рис. 9.4.6) независимо от момента перевода вещества в сверхпроводящее состояние: до или после наложения магнитного поля.
В В
Т > Т С
1’ис. 9.4.6. Эффект Мейсснера — выталкивание внешнего магнитного поля их инерхпроводника. Слева — проводник в нормальном состоянии, справа — сверхпроводник
Заметим, что полный эффект Мейсснера имеет место в случае сверхпроводников первого рода при Т <ТС. В случае же сверхпровод ников второго рода полное вытеснение магнитного поля из объёма ве щества происходит только при Т <Тс1, тогда как в интервале
Т(Л< Т < Тс2 выталкивание поля лишь частичное.
9.4.5. Граничные условия на поверхности сверхпроводника
Поскольку в объёме сверхпроводника В = 0 , то из граничного ус ловия ВХп = В2п следует, что на внешней поверхности сверхпроводника
Ип - 0. Это значит, что магнитное поле может иметь только касатель ную к поверхности компоненту.
181
9.4.6. Сверхпроводящий шар в магнитном поле
Пусть сверхпроводящий шар находится в однородном магнитном поле. Найдём магнитный момент, приобретаемый шаром, а также рас пределение токов по его поверхности (рис. 9.4.7 и 9.4.8).
ВРис. 9.4.7. Поверхностные токи на сверхпроводящем шаре, находящемся во внешнем магнитном поле В
Рис. 9.4.8. Индуцированный
Вмагнитный момент ш при наличии внешнего поля В
Поле вне шара складывается из внешнего поля В0 и поля индуци рованных поверхностных токов. Последнее равно полю точечного маг нитного диполя т . расположенного в центре шара:
|
В(г) =В0+-3(шг)г шг2 |
(9.4.1) |
Так как на поверхности шара (т.е. при г - Я ) будет |
Вп =ВТ=0, то |
|
гВ(г)|г=Л =0, или |
|
|
0 = гВ0+ |
2m |
|
=> .B0cos# +——cos# = 0. |
||
|
r=R |
|
Отсюда находим магнитный момент шара: |
m = —R3B0/2 . В векторном |
виде это соотношение записывается следующим образом: |
|
— Вп. |
(9.4.2) |
Этот же результат можно полуЧить из приведённых в разделе'4!2.6 формул, определяющих магнитное поле в веществе и намагниченность в зависимости от величины внешнего магнитного поля:
В■®— ^ В |
0, l =- L if J L Bo. |
/л-2 |
Аж ц +2 |
182
Сверхпроводящему состоянию отвечает отсутствие поля в объёме веще
ства, |
=0, или, что в данном случае эквивалентно, |
// —>0. Отсюда |
||
получаем: |
|
|
|
|
|
1 =- — В0, m =— R31 =~— В0. |
|
||
|
8л: |
3 |
2 0 |
|
|
Найдём теперь величину поверхностных токов. |
Эти токи текут |
вдоль параллелей в —const, а силовые линии магнитного поля на по верхности шара направлены по меридианам вверх. По теореме о цирку ляции Bt =4ш/с (поскольку поле в объёме сверхпроводника равно ну
лю). С другой стороны, проектируя В в (9.4.1) на меридиан, находим
В, = I Вп — |sin#=—Вп sin#. |
|
Отсюда сразу получаем |
|
i =— B0sm&. |
(9.4.3) |
‘ 8к |
|
Направление циркуляции тока показано на рис. 9.4.7.
Гл а в а 10 . УРАВНЕНИЯ МАКСВЕЛЛА
10.1.Ток смещения
10.1.1.Ток смещения и закон сохранения заряда
Теорема о циркуляции для постоянного магнитного поля
п |
г |
4ж . |
ф Ней =— J |
или rotH =— j |
|
L |
с |
с |
L |
С |
оказывается неверной в случае переменного электрического поля. Дей ствительно, применяя почленно операцию div ко второму уравнению и учитывая тождество div rot Н =0, получаем divj =0. С другой сторо
ны, если плотность заряда меняется со временем, dp/dt^ 0, то в силу уравнения непрерывности
— + div j = 0 dt
получаем divj Ф 0. Это противоречие показывает, что необходимо ви доизменить теорему о циркуляции. Для решения этой задачи Дж. Мак свелл ввёл т ок смещения jCMсоотношением
rotH = ——(j +jCM)
с
и потребовал, чтобы уравнение непрерывности выполнялось. Применяя почленно, как и выше, операцию div к записанному уравнению, получаем
div(j +jCM) = 0 => divjCM= -d ivj =^ .
Согласно теореме Гаусса для электрического поля div D= Алр
имеем р ————div D. Подставляя это выражение для плотности заряда в
4ж
полученное выше выражение для div jCM, находим
184
')то равенство удовлетворяется тождественно, если положить
•-
JcM~~An dt '
Таким образом, теорема о циркуляции для магнитного поля, согла сующаяся с законом сохранения заряда, должна записываться в виде
с" с dt
Винтегральной форме теорема о циркуляции имеет вид
11олный ток смещения, пронизывающий контур L, равен
Таким образом, переменное электрическое поле приводит к воз никновению токов смещения, которые в свою очередь участвуют в соз дании магнитного поля.
10.1.2. Стенание заряда с шара во внешнюю среду
Пусть шар несёт заряд Q, который может стекать во внешнюю сре ду (рис. 10.1.1). Вследствие стекания заряда возникают токи, которые в общем случае могут индуцировать магнитное поле. Найдём магнитное поле в рассматриваемой задаче.
Рис. 10.1.1. Заряд, стекающий с шара во внешнюю среду, создаёт обычный ток j и ток смещения jCM
Выберем произвольную сферическую поверхность S, окружающую шряд Q (рис. 10.1.1). Прежде всего, поле не может быть направлено по рпдиусу (по нормали к поверхности), поскольку, допустив такое, полу
чим неравенство (pBJS Ф 0, противоречащее теореме Гаусса (j)Bc?S =0.
S
185
Поле В не может быть направлено и по касательной к поверхности, по скольку вследствие сферической симметрии тока нет выделенных на правлений, перпендикулярных радиусу, все направления эквивалентны. Следовательно, нужно положить В=Н =0. Согласно уравнению
4тс
rotH = — (j +jCM) получаем jCM=- j. Имея в виду, что ток проводимо
сти J =-dQ /dt (знак «—» связан с тем, что положительный ток возни кает при уменьшении заряда на шаре), получаем: J CM=dQ jdt. По зако
ну Кулона D =Q/г2, или Q =r 2D. Поэтому |
|
||
3D . |
J cu |
|
1 dD |
dt |
4/гг |
4я |
dt |
Мы пришли к тому же выражению для тока смещения, что и рапьше.
10.1.3. Ток смещения в конденсаторе
Пусть пластины конденсатора заряжены и замкнуты с помощью проводника — рис. 10.1.2. Тогда по этому проводнику потечёт ток J. Выберем условно направление тока в проводнике так, как если бы он увеличивал заряд нижней пластины конденсатора (рис. 10,1.2). Тогда j =dQjdt.,
|
|
|
Рис. 10.1.2. Заряженный конденсатор |
||
| f |
f |
f » |
с |
пластинами, |
замкнутыми |
с помощью проводника |
|
||||
+ Q — |
1 |
1 |
|
|
|
Магнитное поле однозначно определяете^ всюду величиной тока и не зависит от способа его вычисления.
Выберем некоторый контур L, охватывающий проводник. (рис. 10.1.3) и запишем теорему о циркуляции в следующем виде:
$Ш 1 =— (/пер +/ом) =— j(jnep +jCM) dS.
L C C S
Здесь j nep — ток, пересекающий поверхность S, опирающуюся на кон тур L. С формальной точки зрения интеграл, входящий в правую часть, Js (jnep +Jcm ) зависит от выбора поверхности S:
186
1) в случае поверхности S] (рис. 10.1.3 слева) следует положить J m p = J, поскольку ток/пересекает поверхность^;
2)в случае поверхности 5У(рис. 10.1.3 справа) следует положить /пер =0, поскольку поверхность S2 проходит между обкладками кон
денсатора, где ток проводимости отсутствует..
Рис. 10.1.3. Контур L, охватывающий проводник, и два варианта поверхности, опирающейся на этот контур: поверхность Sb пересекающая проводник; (слева), и поверхность S2, проходящая между пластинами конденсатора и не пересе кающая проводник (справа)
Чтобы интеграл не зависел от выбора поверхности, достаточно вы
брать ток смещения следующим образом: |
|
в случае поверхности Si (рис. 10.1.3 слева) /см =0, |
.. |
вслучае поверхности S2(рис. 10.1.3 справа) J CM= J.
Вобоих случаях имеем: ./пер + JCM=•/.
В соответствии со сказанным оказывается, что в конденсаторе
СМ dt
Цоскольку поверхностная плотность заряда на нижней пластине равна а - Q/S, то получаем индукцию:
D = 4ж<т = 4ж— => Q = ^ -S . S 4ж
Таким образом, приходим к следующему выражению для тока смеще ния в конденсаторе:
Г - Г - ± * > 4 |
,■ |
4ж dt |
’ Jat S Ля d t' |
Точно такое же выражение для тока смещения.было получено выше. В проводнике ток смещения равен нулю.
187
В обоих примерах выражение для тока смещения определяется ес тественными физическими требованиями непротиворечивости уравне ний, описывающих те или иные явления.
Как видно из теоремы о циркуляции, токи смещения замыкают обычные токи и создают магнитное пОле точно так же, как и обычные токи. Они, однако, не производят прямо теплового эффекта, к ним не применимы закон Ома и закон Джоуля-Ленца.
10.2. Система уравнений Максвелла
Сформулируем полную систему уравнений Максвелла, описываю щую возникновение и распространение электромагнитного поля.
10.2.1.У равнения М аксвелл а в и н т егр а л ьн ой ф орм е
1)Теорема Гаусса для электрического поля (утверждение, что си ловые линии электрического поля могут начинаться и кончаться только на зарядах):
ф DJS=4ttQ, Q= \pdV.
S ( V ) |
V |
2) Теорема о циркуляции для электрического поля (следствие зако на индукции Фарадея):
* |
= |
dS. |
Щ) |
с s dt |
3) Теорема Гаусса для магнитного поля (утверждение, что нет сво бодных магнитных зарядов):
ф Вй« =0.
S ( V )
4) Теорема о циркуляции для магнитного поля (следствие закона Био-Савара и представления о токах смещения):
ф Rdl =— (J + J cu) =— J + - l^ - d S . цб) 0 с с s at
10.2.2.У равн ен ия М аксвел л а в ди ф ф ер ен ц и а л ьн ой ф орм е
1)Теорема Гаусса для электрического поля:
divD =4кр.
2) Теорема о циркуляции для электрического поля:
1 5В
3) Теорема Гаусса для магнитного поля: divВ = 0.
4) Теорема о циркуляции для магнитного поля:
тт 4 * ,. . ч 4 * . 10D
ro tH = — |
(j + JCM) = — |
J + - T 7 - |
с |
с |
с at |
10.2.3. М ат ери ал ьн ы е у р а в н ен и я
Уравнения Максвелла должны быть дополнены соотношениями, связывающими векторы полей.
1) Определение вектора электрической индукции: D = E + 4?rP,
где Р — вектор поляризации. Если Р =аЕ, то
D=г-Е, s =1 +4яа.
Величина а — поляризуемость среды, а величина £— диэлектрическая проницаемость.
2)Определение вектора напряжённости магнитного поля:
Н=В - Ая\,
где I — вектор намагничивания. Если I =аН , то
В = /иН, // =1 + 4як.
Величина к — магнитная восприимчивость среды, а величина /л— маг нитная проницаемость.
3) В случае тока, вызываемого электрическим полем в проводящей среде, имеет место закон Ома:
\= Ж .
10.2.4.Г р а н и ч н ы е у сл о в и я
При наличии чётко выраженной границы раздела сред (1 и 2) должны выполняться следующие граничные условия:
D2 „ - Din= 4™r,
^21=Ец,
В2п =В1п>
4я
H2r- H l t =— iN.
с
Последнее условие в векторной форме имеет следующий вид:
189
Аж
nxH2 - nxHj =— i.
с
Три вектора (н, N, т), встречающиеся в записи последнего граничного условия, показаны на рис. 10.2.1.
Рис. 10.2.1. Тройка векторов, входящая в формулировку граничного условия для напряжённости магнитного поля
Строго говоря, вывод граничных условий для касательных компо нент векторов напряжённости электрического и-магнитного полей не много отличается от вывода, приведенного для случая стационарных полей. Покажем соответствующий вывод для случая электрического поля.
Применяя теорему о циркуляции к бесконечно малому контуру, проходящему над и под поверхностью раздела сред (рис. 10.2.2), полу чаем:
<6 Е(Л =- - f — dS => |
=- —Г |
S. |
|
J |
c Js dt |
с\ |
dt ) 0 |
US) |
|
|
|
В правую часть равенства входит величина (8Bn/8t)Q, представляющая
собой производную по времени от магнитного поля в некоторой внут ренней точке поверхности, ограниченной контуром L(S). Взята компо нента магнитного поля Вт нормальная к поверхности S, ограничивае
мой контуром ( |BJS =J BndS ).
S |
S |
|
Рис. 10.2.2. К выводу граничных |
||
л. |
) |
^ |
|||
у |
|
W |
условий для Е, |
и Ht. Площадь, |
|
▼ |
ограничиваемая |
контуром, равна |
|||
|
/'T't |
||||
<й2 |
|
|
S=hdl |
|
|
|
|
|
|
С учётом того, что S = hdl, получаем
1 |
дВ„ |
(.El -E 2)dl =- |
hdl. |
190