Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

OFP-Tretyak-Lozovski

.pdf
Скачиваний:
64
Добавлен:
19.03.2015
Размер:
13.24 Mб
Скачать

291

Розділ 18. Молекулярні напівпровідникі

H H H H H H H H H

С

 

С

H

 

С

 

 

 

 

С

 

С

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С

 

 

 

С

H

 

С

 

С

 

 

 

 

С

 

С

 

С

 

С

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n

H

 

 

H

 

H

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H H H

 

H

 

 

H H H

 

 

 

 

H

 

n =1

 

 

 

 

 

 

n = 4

 

 

 

 

 

 

n = 16

 

n → ∞

LUMO

Eg

HOMO

Рис.18.12. Залежність енергетичної структури полімеру від кількості молекулярних одиниць, що повторюються

Розв'язок рівняння Шредингера із хвильовою функцією типу (18.7) показує, що залежність енергії від хвильового вектора матиме дві гілки

EV (k) = −2t coska,

(18.8)

EC (k) = 2t coska,

(18.9)

де t інтеграл перекривання p хвильових функцій між сусідніми атомами вуглецю, що характеризує ступінь делокалізації електронів. Оскільки кожен атом вуглецю віддає один π-електрон, то згідно із принципом Паулі на кожному енергетичному рівні знаходитимуться два (із протилежно направленими спінами) електрона. Відповідну схему зони провідності та щільність станів подано на рис. 18.13.

E

 

E

 

EF

зайняті стани

 

 

k

 

N

π/a kF 0 kF π/ a

 

 

а б

Рис. 18.13. Закон дисперсії (а) та щільність станів (б) полімерного ланцюжка

поліацетилену за припущення, що довжина одинарних і подвійних зв'язків однакова

Як видно, щільність станів має вигляд, типовий для одновимірного руху, коли її максимальні значення досягаються на краю зон

ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

292

N(E) =

1

 

t

 

 

ta E E0 .

(18.10)

 

 

 

 

 

Повне число станів у зоні дорівнює числу атомів у ланцюжку, що утворюють спряжені зв'язки. З огляду на те, що кожний стан характеризується визначеним спіном ↑ або ↓, число станів, що відповідають заданій енергії, збільшується вдвічі. А оскільки кожен атом постачає один електрон, то виявиться, що зона заповнена наполовину. Таким чином, розглянута система демонструватиме металічні властивості.

Але ж експеримент свідчить про те, що поліацетилен є напівпровідником. Це означає, що запропонована модель зонної структури є непридатною. Як бути? Прискіпливіший розгляд системи дає відповідь на поставлене питання. Виявляється, що довжини одинарного та подвійного зв'язків хоч і не набагато, але розрізняються. Подвійний зв'язок виявляється коротшим за одинарний на 0,030,04 Ǻ. Однак така невелика різниця в довжинах зв'язків спричиняє помітну зміну електронних властивостей поліацетилену. Тепер, у димеризованому ланцюжку поліацетилену, довжина елементарної комірки збільшується у два рази та становить 2 а (рис. 18.14). Для визначення електронних властивостей таких ланцюжків використовують гамільтоніан Си-Шриффера-Хеегера (SSH), що містить два доданки

 

 

а

 

 

С

С

С

С

С

С

С

С

 

С

С

С

С

С

С

2 а

Рис. 18.14. Перехід Паейрлса в поліацетилені

Угорі– ланцюжок з одинарними та подвійними зв'язками однакової довжини (нестійка структура). Унизу – утворення ланцюжка з димеризованих блоків

(червоним подано дві можливості зсуву атомів вуглецю в межах однієї комірки

– атоми зсуваються назустріч один одному; зеленими – атоми зсуваються у протилежні боки – стрілочками)

H = Helectr + Helast ,

(18.11)

де електронна частина гамільтоніану має вигляд

293

Розділ 18. Молекулярні напівпровідникі

Helectr

= −tn+1,n (Cn++1,sCn+,sCn+1,s ).

(18.12)

 

n,s

 

Цей доданок описує π-електрон у поліацетилені з інтегралом передачі tn+1,n , що визначається перекриванням хвильових функцій π-електро-

нів двох сусідніх атомів n + 1 та n. Оператори народження Cn+,s і знищення Cn,s описують появу або знищення π-електрона, що харак-

теризується спіном s = ±1/2 в околі n-го атому вуглецю. Такий вигляд

електронної частини гамільтоніану дозволяє описувати електронні стрибки між сусідніми вузлами (n та n + 1) ланцюжка. Пружна частина гамільтоніана, що має вигляд

Helast =

1

K(un+1 un )2,

(18.13)

 

2

n

 

описує σ-електрони, локалізовані на суміжних атомах вуглецю. Тут un є

зміщенням атому вуглецю, що перебуває у позиції n полімерного ланцюжка, K пружна константа. Пружний доданок не дає безпосереднього внеску до формування електронних властивостей полімеру, але непрямо він значно впливає на них. Наприклад, якщо два сусідніх атоми вуглецю зміщаються назустріч один одному та розташовуються ближче один до одного, то перекриття хвильових функцій π-електронів на сусідніх вузлах збільшується, що спричинить збільшення константи tn+1,n , і навпаки, якщо відстань між атомами вуглецю збільшується,

tn + 1,n

 

 

t = t0 − α (un+1 u) n

Походження цієї формули можна про-

 

ілюструвати графічно (рис. 18.15). Тут t0

t0 + t1

 

 

 

 

 

 

інтеграл передачі між двома однорідно

 

 

 

 

 

зміщеними атомами вуглецю, α кон-

t0

 

 

 

 

 

 

станта електрон-фононної 2

взаємодії.

 

 

 

 

 

 

Іншими словами, (18.14) можна розгля-

 

 

 

 

 

t0 t1

 

 

 

 

 

 

дати як розкладення в ряд Тейлора ін-

 

 

 

 

 

теграла передачі за малим відносним

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

зміщенням атомів u.

Тепер в

 

 

2Uс

0

2Uс

Un+1 Un

 

 

SSH-гамільтоніані можна покласти, що

 

 

 

Рис. 18.15. До визначення залежності

всі зміщення атомів вуглецю однакові

та припустити, що власні функції га-

 

 

інтегралу передачі

 

 

від зміщення атомів вуглецю

мільтоніану можна розкласти за атом-

ними орбіталями φ, тобто

 

2 Зауважимо, що термін "електрон-фононна взаємодія" в полімерах має дещо інший смисл, ніж у кристалах. А саме, у першу чергу мається на увазі вплив зміни величини зміщення м іж атомами вуглецю на константи, що визначають енергетичну структуру електронних станів полімеру.

ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

294

перекриття хвильових функцій становиться меншим, тим самим зменшується константа tn+1,n . У випадку невеликих зміщень залежність

інтегралу передачі від зміщень атомів вуглецю можна подати у вигляді

tn+1,n = t0 − α(un +1,n un ).

(18.14)

Φn = aK (n) φn .

(18.13)

n

 

Розв'язок рівняння Шредингера при цьому, має вигляд

E(k) = E0 − 2t coska.

(18.16)

Таким чином, ми прийшли до попереднього результату (формули (18.8–18.9)). Для того, щоб отримати правильну енергетичну структуру поліацетилену, треба взяти до уваги, що зміщення сусідніх атомів вуглецю у бік подвійного зв'язку є більшим, ніж у бік одинарного зв'язку. Тоді можна записати:

un = (−1)n u = ue±2inkFa ,

(18.17)

де kF = π2a має сенс хвильового вектора електронів на рівні Фермі,

тобто найбільшої енергії, що мають електрони в основному стані. Роз- в'язок рівняння Шредингера тепер матиме вигляд

 

 

 

 

E(k) = 4t02 cos2 ka + ∆2 sin2 ka,

(18.18)

де параметр енергетичної щілини ∆ = 4αu. Звідси видно, що на грані зони Брилюена (тобто при k = π2a ) відкривається зонна щілина. При

цьому виявляється, що валентна зона повністю заповнена, а зона провідності порожня (рис. 18.16). Іншими словами, ми бачимо, що за невеликої зміни кристалічної структури відбувається докорінна перебудова енергетичного спектру системи. Отже, у системі відбувається фазовий перехід. На такий структурний фазовий перехід уперше вказав Пайерлс. Він показав, що одновимірний метал є нестабільним щодо дисторсії ґратки, яка є причиною появи зонної щілини на рівні Фермі. Така дисторсія в поліацетилені пов'язана зі зміщенням атомів вуглецю, що належать подвійному зв'язку назустріч одне одному (див. рис. 18.14). Розрахунки показують, що ширина забороненої зони поліацетилену становить 1,5 еВ, що збігається з експериментально отр и- маними даними з поглинання світла за механізмом зоназона.

295

Розділ 18. Молекулярні напівпровідникі

 

 

E

E

 

 

 

Eg

 

 

 

зайняті стани

π/2a

 

k

N

0

π/2a

 

 

 

а

б

 

Рис.18.16. Енергія (а) та щільність (б) електронних станів

 

 

у димеризованому поліацетилені

Якщо побудувати графік залежності абсолютної енергії, що припадає на один атом вуглецю в полімерному ланцюжку від зміщення, то отримаємо криву (рис. 18.17). Видно, що при u = 0 енергія системи має локальний максимум, що підтверджує нестабільність системи відносно переходу Пайерлса. Два локальних мінімуми відповідають двом можливостям утворення нової комірки полімеру А або В. При цьому отримуються ті самі димеризовані полімери. Це означає, що основний стан поліацетилену є виродженим. Дефект, що виникає на межі розподілу двох фаз А та В, називається солітоном.

E(u)

A

АB

B

u0

+u0

U

A + B

 

 

 

E0

Рис.18.17. Енергія, що припадає на один атом вуглецю в поліацетилені (а); дві можливості (А та В) утворення димеризованого поліацетилена; виникнення солітона (А + В)

Припускаючи, що полімерний ланцюжок поліацетилену є нескінченним (тобто нехтуємо ефектами, що пов'язані з наявністю кінців полімерного ланцюга), за аналогією з магнетизмом солітон можна розглядати як доменну стінку між фазами А та В полімеру (рис. 18.18). Тоді хвильову функцію такого утворення можна записати у вигляді:

na

,

(18.19)

φn = U0th

ξ

 

 

 

 

 

ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

296

де ξ підгоночний параметр, що визначає довжину "доменної стінки", тобто розмір солітону. Розрахунки показали, що у статичному наближенні енергія солітону виражається формулою

 

(n n0 ) a

(18.20)

Un = U0th

ξ

cos(nπ/2)

 

 

 

з n0 позицією, що займає центр солітону, і нульовою енергією зв'язаного стану для електрону, що описується хвилевою функцією

φ

(n) =

a sech (n n

0

) a/ξ cos(nπ/2).

(18.21)

n

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ξ

 

 

 

 

 

 

+

 

+

-

 

+

+

-

-

 

 

 

 

-

 

а

б

Рис. 18.18. Схематичне представлення нейтрального солітона (а) та антисолітона (б)

Мінімізація цих формул дає розмір солітону та найнижчій енергетичний рівень. Зокрема, можна знайти, що

ξ =

aW

≈ 7a.

(18.22)

 

 

 

У цій формулі W ширина зони π-електронів, а ∆ є параметром щілини, за якої енергія солітонного стану набуває значення 2∆/π. Таким чином отримуємо, що солітон є стабільнішим утворенням, ніж елект- рон-діркова пара в області ланцюжка, що містить 14 атомів вуглецю. Гамільтоніан системи характеризується симетрією зарядового спряження, тобто знак заряду трансформується зі зміною позиції атома вуглецю, на якому локалізований солітон, згідно із формулою

Cn → (−1)n Cn ,

(18.22)

тобто енергетичний спектр системи є симетричним відносно нуля. Для солітону повний заряд і спін визначаються таким чином:

Q = e(N+ + N−1),, s = (1 2)(N+ N).

(18.23)

При цьому, якщо на межі розподілу локалізований один неспарений електрон, то загальний заряд такого утворення буде нульовим і такий

297

Розділ 18. Молекулярні напівпровідникі

солітон називатиметься нейтральним. У цьому випадку Q = 0, s =12.

При видаленні (або додаванні) електрона в полімерний ланцюжок за допомогою легування утворюються заряджені солітони та нейтральні антісолітони, які за руху вздовж полімерного ланцюжка можуть анігілювати (рис. 18.19).

 

UA + B

 

 

UA + B

 

ξ

1

B

B

1

ξ

n

 

 

–1 ξ

 

ξ –1

n

A

 

 

A

 

 

 

 

а б

Рис. 18.19. Пара солітон–нейтральний антісолітон, що утворилась видаленням одного електрона із подвійного зв'язку (а).

Анігіляція зарядженого солітону та антисолітону, що рухаються назустріч один одному (б)

Заряджені солітони несуть на собі один позитивний або негативний заряд і, оскільки зв'язують або два електрона з протилежними спінами, або область, де електрон відсутній, нульовий спін. У забороненій зоні

полімера солітон створює один

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

енергетичний стан точно посере-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

дині зони (рис. 18.20). Солітони ха-

Eg

 

S+

 

 

S0

 

 

S

рактеризуються всіма

параметра-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∆ = Eg /2

 

 

 

 

 

ми квазічастинки, тобто їх можна

 

 

 

 

 

 

 

 

вважати вільними частинками, які

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

характеризуються

ефективною

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

масою ~ 6me , радіусом локалізації

Рис. 18.20. Енергетична діаграма

 

(наближено становить 14 сталих

і спіновий стан позитивного (S+),

 

ґратки) і дуже високою середньою

 

 

нейтрального (S0) та

 

6

 

 

негативного (S) солітону

 

швидкістю ~10 см/с.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

298

Якщо

в

полімері

наявні два

 

E(U)

 

стани, що відповідають структурам

 

 

 

 

 

А та В,

мають різну енергію (рис.

А

B

 

18.21), то полімери є невироджени-

 

 

 

 

ми. У невироджених полімерах та-

 

 

 

кож може існувати дефект у по-

UA

UB

 

рядку альтернування зв'язків,

U

 

 

тобто виникне границя між струк-

 

EA

 

турами типу А та В. Але такий де-

 

 

фект має іншу фізичну природу.

 

EB

 

Різниця

в

енергіях

E = EB EA

Рис. 18.21. Залежність енергії

основного стану структур типів А

від зміщення атома

 

та В, що припадає на кожен по-

у невиродженому полімері

вторюваний елемент полімерного ланцюжку, призводить до інших ефектів, ніж ті,

що спостерігаються у вироджених полімерах. Уявимо, що два напівнескінченних ланцюжка (ліворуч типу А, праворуч типу В) з'єднуються з утворенням дефекту типа солітона. За рахунок того, що енергія, яка розділяє стани двох ланцюжків, буде досить великою, стан солітона не буде стійким. Такий дефект не існуватиме. Якщо ланцюжки будуть короткі, то дефект рухатиметься до того боку ланцюжка, де розташовується високоенергетичний стан, тому в кінці високоенергетична структура зникне, і система перейде в стан із нижчою енергією. Таким чином, ми доходимо висновку, що існування дефекту типу солітону в невироджених полімерних структурах не є ефективним.

Для релаксації збуджень у невироджених полімерах реалізується інший, поляронний, механізм. Завдяки великій константі елект- рон-фононного зв'язку заряд, інжектований у полімерний ланцюжок, завжди самозахоплюється на вузлі та утворює полярон. У цьому випадку полярон є утворенням, аналогічним до полярону в твердому тілі, тобто являє собою електрон, зв'язаний із фононом завдяки тому, що електрон викликає локальну поляризацію ґратки й тим самим утворює потенціальну яму, до якої і потрапляє. При цьому утворення потенціа-

льної ями є швидкоплинним процесом із часом 10–13 с. Полярон локалізований у досить великій області полімерної ґратки (610 елементарних комірок), із розмірами ~ 2,5 4 нм. Енергія зв'язку полярону відносно краю зони становить величину 0,0120,03 еВ. Ефективна маса полярону дорівнює кільком масам електрона. Спін полярону дорівнює 1/2. Полярон є досить рухливою частинкою. Він може переміщуватись полімерним ланцюжком, доки не буде захоплений на дефекті.

299

Розділ 18. Молекулярні напівпровідникі

Однак полярони не є основними агентами електронного транспорту в полімерах. Електричні та магнітні вимірювання на легованих невироджених полімерах показали, що основними носіями заряду в таких структурах є безспінові збудження, що несуть заряд 2е. Найвірогіднішим кандидатом на такі утворення є або негативно заряджений солітон, або біполярон3 спарений полярон, енергія якого є суттєво меншою за енергію двох незв'язаних поляронів. Таким чином, енергетичний виграш від формування біполярна має бути достатнім, щоб подолати кулонівське відштовхування двох однакових зарядів. Розрахунки підтверджують цей висновок: енергія біполярона є нижчою на 0,4 еВ, ніж енергія двох поляронів. Рис. 18.22 ілюструє біполярони в поліфенілені та політіофені.

+

+

+ S

S +

S

S

S

S

Рис. 18.22. Біполярон у поліфенілені (зверху) та політіофені (знизу)

На відміну від поляронів, які формуються майже миттєво за інжекції у полімер заряду, біполярони формуються із уже утворених поляронів. Розрахунки енергетичних рівнів поляронів і біполяронів, що виникають у забороненій зоні, показали: структура цих рівнів є такою, що полярон створює три можливих смуги поглинання, а біполярон дві. Інтенсивність відповідних смуг залежить від перерізу захоплення фотона або від сили осцилятора. Цей параметр є малим для високоенергетичних переходів. Таким чином, експериментально можна спостерігати одну смугу поглинання з енергією, дещо меншою за половину забороненої зони (переходи за участю біполярна), та іншу смугу в і н- фрачервоній області переходи за участю полярона. На рис. 18.23 подано залежність коефіцієнта поглинання нелегованого та легованого в парах йоду поліацетилену від енергії світла, що поглинається. Зауважимо, що рівень легування для полімерів визначається величиною провідності, оскільки нелегований полімер є непровідним. Як видно, легування спричиняє різкі зміни у спектрах поглинання: додатково до основного піку із краєм 1,4 еВ

3 Питання створення електричного струму в полімерах за механізмом біполярна не є загальновизнаним на цей момент.

ОСНОВИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ

3

–1

2

 

см

3

 

5

 

 

α, × 10

1

2

1

0

1

2

3 ω, еВ

Рис. 18.23. Спектральна залежність

коефіцієнта поглинання полі ацетилену за різними рівнями легування:

1– нелегований полімер;

2σ = 20 Сим/см;

3 – σ = 50 Сим/см

300

і максимумом 1,9 еВ, що відп о-

відає прямим міжзонним переходам, у легованих полімерах додається смуга поглинання в області 0,8 еВ, що виникає внаслідок появи солітонних станів усередині забороненої зони. За високих рівнів легування міжзонний пік поглинання зменшується, а солітонна лінія стає інтенсивнішою. У спектрах поглинання невироджених полімерів спостерігаються дві або три смуги погл и- нання, які зростають зі збільшенням рівня легування та відповідають переходам за участю поляронів і біполяронів.

При легування також спостерігаються додаткові фононні моди в інфрачервоній області спектру, які зазвичай пов'язують з дисторсією одновимірної ґратки в результаті утворення солітону

18.6. Електронна провідність спряжених полімерів

Розглядаючи елементарні збудження в полімерних напівпровідниках, ми частково торкались проблеми електронного транспорту. Тепер детальніше обговоримо особливості електронного транспорту в спряжених полімерах. Провідні полімерні матеріали поділяються на дві великі групи полімери з іонною провідністю (тверді полімерні електроліти), і полімери з електронною провідністю. Оскільки останні в основному виявляють напівпровідникові властивості, розглядатимемо тільки такі полімерні матеріали. Полімери з електронною провідністю, у свою чергу, поділяються на провідні полімери (органічні метали) та REDOX-полімери, в яких перенесення електронної густини відбувається, головним чином, за рахунок окислювально-відтворювальних реакцій між сусідніми фрагментами полімерного ланцюжка. Почнемо із провідних полімерів.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]