Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Фазовые равновесия в оксидных системах. Учебник

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
07.09.2026
Размер:
2 Мб
Скачать
☆
4.7. Основные типы диаграмм состояния трехкомпонентных систем
LD
Для других составов процесс осложняется химической реакцией
на перитектической кривой UG и в точке перитектики G.
На линии UG происходит химическая реакция: L + A = D. В рас­плаве L растворяется компонент A и кристаллизуется соединение D. В зависимости от исходного состава реакция может продолжаться при понижении температуры до точки G или при недостатке компонен­та A (для исходных составов, расположенных в контуре DGU), равно­весие станет дивариантным
и процесс продолжится при по­нижении температуры через поле кристаллизации D до линии двой­ной эвтектики E1Et или GEt и закончится в точке Et.
Перед началом реакции в точке двойного подъема G в моновари­антном равновесии имеются три фазы: жидкая LG и две кристалличе­ских A + D или C + D. В точке двойного подъема G с расплавом взаимо-
действует та из первично выделившихся кристаллических фаз, от поля кристаллизации которой уходит кривая с понижающейся от перитектиче­ской точки температурой. На приведенной диаграмме: LG + A ® D + C.
Инвариантный процесс закончится после того, как полностью израс­ходуется одна из реагирующих фаз.
Для всех составов из треугольника ACD кристаллизация закончит­ся в точке G исчезновением расплава LG.
Для составов из треугольника DCB, расположенных в пределах кон­тура DCG, инвариантный процесс в точке G будет продолжаться до пол- ного растворения в расплаве LG компонента A, после чего процесс про­должится кристаллизацией эвтектики C + D по пограничной кривой GEt и закончится в точке Et кристаллизацией тройной эвтектики D + C + B.
Инвариантный процесс в точке G может закончиться в условиях, когда на образование D и C по реакции LG + A ® D + C одновременно и полностью израсходуется компонент A и расплав LG и процесс за­кончится кристаллизацией всех составов, расположенных на соеди­нительной прямой CD. Например, состав M2 (см. рис. 41) на соедини­тельной прямой CD начинает кристаллизацию выделением C, состав жидкой фазы изменяется при этом по линии M2p, но в точке p кри­сталлизация закончиться не может, т. к. разрез CD не является квази­бинарным. Кристаллизация продолжится по линии E3G от p до точки G выделением двойной эвтектики C + A и в точке G расплав LG и ком- понент A
полностью израсходуются на образование смеси D + C.
Сложнее протекает кристаллизация составов, лежащих в контуре DUGC, который охватывает часть элементарного треугольника DBC. Сле-
131
4. Трехкомпонентные системы
довательно, конечными продуктами кристаллизации должны быть фазы D, B и С, а конечной точкой кристаллизации — Et. Так, состав М5, лежа- щий левее линии DB, начинает кристаллизоваться с выделения фазы А. Затем при изменении состава жидкой фазы по линии E3G кристаллизу­ется двойная эвтектика А + С. В точке G протекает четырехфазная пери- тектическая реакция, заканчивающаяся исчезновением кристаллов А, которых не должно быть в продуктах полной кристаллизации соста­ва М5. Они полностью израсходуются на образование двойного сое­динения D, жидкая же фаза останется в избытке. После исчезновения фазы А система моновариантна (р = 3), и оставшаяся жидкая фаза при понижении температуры продолжает кристаллизоваться. При измене­нии ее состава по ниспадающей эвтектической линии GЕt выделяется двойная эвтектика D + C. Кристаллизация заканчивается в точке Et вы­делением тройной эвтектики D + C + B. Сложный характер в данном случае имеет и кривая охлаждения расплава, показанная на рис. 41, б.
На примере состава М5 можно проследить за изменением суммарно­го состава твердых фаз, выделившихся с начала кристаллизации до лю­бой точки на ее пути. На участке кристаллизации М5 с выделяется толь­ко одна фаза А. На участке сG при кристаллизации двойной эвтектики А + С состав твердых фаз изменяется по линии АС от А к С. В соответ­ствии с правилом рычага состав твердых фаз в любой момент этого участка пути кристаллизации выразится точкой пересечения продол­жения линии, проведенной через точку состава жидкой фазы и точку состава М5, с линией АС. Так, в момент подхода пути кристаллизации к точке G, то есть к началу перитектической реакции, он выразится точ­кой l. Во время перитектической реакции состав жидкой фазы не изме- няется, поэтому состав твердых фаз может меняться только по линии lm и в момент окончания реакции, когда фаза А исчезает и в системе остаются твердые фазы D и С, он выразится точкой m на линии CD. При кристаллизации эвтектики D + C, когда будет изменяться только со­отношение между этими двумя фазами, состав твердых фаз будет ме­няться по линии CD и в момент подхода пути кристаллизации к точке
Et выразится точкой пересечения продолжении линии М5Et с линией СD (точка n). При кристаллизации тройной эвтектики состав твердых
фаз будет изменяться по линии nМ5 и в момент окончания кристалли­зации выразится точкой М
.
5
Пути кристаллизации составов М2 и М5 позволяют сделать следую­щие выводы в отношении процессов в перитектической точке.
132
4.7. Основные типы диаграмм состояния трехкомпонентных систем
В отличие от эвтектической точки, в которой расплавы тройного состава при охлаждении всегда заканчивают путь кристаллизации, в перитектической точке в зависимости от состава исходного распла­ва кристаллизация в результате реакции может закончиться или нет, а продолжиться далее по ниспадающей из этой точки пограничной кривой.
В перитектической точке исчезает полностью или частично та, ра­нее выделившаяся кристаллическая фаза, от поля первичной кристал­лизации которой уходит пограничная кривая с понижающейся от пе­ритектической точки температурой.
Иначе протекает кристаллизация составов, лежащих в контуре DUGC правее линии DG. Процесс их кристаллизации проходит по перитек­тической линии с переходом на поле D. Можно рассмотреть на при­мере состава точки M6 (см. рис. 41). Точка M6 расположена в поле пер­вичной кристаллизации компонента A, который выпадает первым при охлаждении расплава. При температурах ниже точки d протекает пе­ритектическая реакция A + L → D (растворение кристаллов A с образо- ванием соединения D), при которой состав жидкой фазы изменяется по разделительной кривой UG, а состав твердых фаз от А к D — по ли­нии AD. При заданном составе исходного расплава (М6) путь кристал­лизации по линии UG не доходит до точки G вследствие окончания реакции в тот момент, когда фаза А полностью израсходуется на об­разование двойного соединения D. Состав жидкой фазы для этого мо­мента в соответствии с правилом рычага определится как точка пере­сечения продолжения линии DM6 с линией UG — точкой d1. В точке
d1 система становится двухфазной. Но при двухфазном равновесии
при понижении температуры путь кристаллизации (изменение состава жидкой фазы) уже не может идти по разделительной кривой, он пой­дет только по полю первичной кристаллизации. Для нахождения точ­ки полного растворения кристаллов A на инконгруэнтной кривой UG необходимо соединить прямой линией точку D с M6 и продолжить ее до пересечения с линией UG в точке d1. В связи с этим в точке d1 путь кристаллизации сходит с линии UG и идет по полю D. В дальнейшем путь кристаллизации идет по продолжению прямой DM6d1 через поле кристаллизации соединения D до пересечения в точке d2 на погранич­ной кривой E
. На этом участке d1d2 выпадают только кристаллы D.
1Et
Последующий отрезок пути кристаллизации d2Et сопровождается выпадением фаз B и D. Состав M6 располагается в элементарном тре-
133
4. Трехкомпонентные системы
LА
LА
AK--
()
GK
()
LA
®
угольнике DCB, конечными фазами после полного охлаждения рас­плава являются D, C и B. Процесс кристаллизации закончится в точке
Et. Расположение перитектической точки вне элементарного треуголь-
ника кристаллизующихся в ней фаз тоже является признаком, кото­рый отличает перитектическую точку от эвтектической.
Пример 1. Описать путь кристаллизации составов, соответствующих
положению точек: M3, M5 (см. рис. 41).
1. Точка M3 расположена в поле первичной кристаллизации ком­понента A, и первой при охлаждении расплава начнет кристаллизо­ваться A.
Состав M3 — в элементарном треугольнике ACD, следовательно, ко­нечные продукты кристаллизации фазы — A, C и D, кристаллизация закончится в точке G. Изменение температуры и состава фаз по пути кристаллизации расплава M3 приведено в табл. форме:
Температура Состав фаз Вариантность системы
выше точки M
(M
3
0
)
3
L
M
3
3
M
3
M
3
b
b–G
G
– b
LАD
LАDC
®
M
3
®
Mb3-
LАD
+®
b
+®
bG
+®+
следы
следы
2
2
1
1
M
-
3
0
2. Точка M5 расположена в поле кристаллизации компонента A, сле­довательно, первым при понижении температуры будет кристаллизо­ваться вещество A.
Состав M5 — в элементарном треугольнике DCB, следовательно, ко-
нечные фазы — D, C и B, конечная точка пути кристаллизации — Et.
Изменение температуры и состава фаз при охлаждении расплава
M5 приведено в табл. форме:
Температура Состав фаз Вариантность системы
выше точки M
M
5
(M
5
0
)
5
L
M
5
M
5
3
2
134
4.7. Основные типы диаграмм состояния трехкомпонентных систем
LA
®
®+
--
®+()
Gm
+®+
()
mn
--
®+()
En
®++
()
5
Температура Состав фаз Вариантность системы
–с
M
5
с
с–G
G
G–E
E
t
Mс5-
LAC
с
LAC
сG A
LACD
LCD
GE
t
t
LCDB
t
следы
-
M
-
2
1
1
0
1
0
Кривые охлаждения составов M3 и M5 показаны на рис. 41, б.
4.7.6. Диаграммы состояния систем
с пограничной кривой, переходящей
из эвтектической в перитектическую или обратно
В некоторых системах на пограничной кривой эвтектическое рав­новесие сменяется перитектическим. Возможны случаи и обратной смены равновесий.
На рисунке 42 изображена диаграмма состояния системы с погра­ничной кривой E1G, которая от точки E1 начинается как эвтектиче­ская, но заканчивается в перитектической точке G как перитектиче­ская. Кривая является переходной. Характер кривой на том или ином ее участке, как и точка перехода из одного вида в другой, могут быть определены с помощью правила касательной.
Пусть точки D и D1 (рис. 43) выражают составы двух соединений. Линия EP представляет собой часть пограничной кривой, разделяю­щей поля первичной кристаллизации D и D1, а отрезок DD1 является соединительной прямой точек состава этих фаз.
Допустим, что состав жидкой фазы в некоторый момент кристал­лизации выражается точкой a на пограничной кривой. Состав кри­сталлизующихся в этот момент фаз определяется точкой b — пересе­чением касательной с пограничной кривой в точке a с соединительной прямой (линией состава кристаллизующихся фаз). Точка b, распола­гающаяся между точками состава кристаллизующихся фаз, выражает суммарный состав D + D1. Такое выражение твердых фаз имеет место
135
4. Трехкомпонентные системы
a б
при кристаллизации эвтектики (L ® D + D1) и, следовательно, погра­ничная кривая в точке a является эвтектической.
а б
0
M
1
M
1
b
M
M
4
M
3
b
M
1
2
a
Рис. 42. Диаграмма состояния системы с пограничной кривой,
переходящей из эвтектической в перитектическую (а)
и кривая охлаждения расплава M (б)
P
a
3
a
D
a
2
a
1
D
1
b
3
D
b1b
E
D
1
Рис. 43. Определение характера фазового равновесия
на пограничной кривой по правилу касательной
При охлаждении системы до температуры точки a1 положение в принципе не меняется, но точка b1 суммарного состава кристалли­зующихся фаз приблизится к точке D. При составе жидкой фазы, от­вечающем точке a2, касательная к пограничной кривой проходит через
136
4.7. Основные типы диаграмм состояния трехкомпонентных систем
точку D. В этот момент кристаллизуется только одна фаза — D. По­нижение температуры ниже точки a2 уже приводит к иному характе­ру равновесия. Так, при составе жидкой фазы, отвечающем точке a3, касательная к пограничной кривой в этой точке пересекает в точке
b3 уже не соединительную прямую DD1, а ее продолжение и в данном случае в соответствии с правилом рычага справедливо уравнение: D = b3 + D1 и состав равновесных твердых фаз выразится так: b3 = D – D1.
Но так выражается состав твердых фаз при перитектической реакции: L + D1 ® D или L ® D — D1. При этой реакции фаза D кристаллизу- ется, а фаза D1 — растворяется. Следовательно, в точке a3 погранич­ная кривая является уже перитектической. Точкой перехода кривой из эвтектической в перитектическую является точка a2. Отсюда сле­дует правило о характере пограничной кривой.
Если касательная к пограничной кривой пересекает соединительную прямую точек состава твердых фаз, равновесных на пограничной кривой, то кривая является эвтектической. Если она пересекает продолжение этой прямой — пограничная кривая является перитектической.
При перитектической реакции в этом случае растворяется та фаза, точка состава которой более удалена от точки пересечения.
Для определения точки перехода кривой из эвтектической в пери­тектическую (или обратно) необходимо провести к ней касательную, исходящую из точки состава одной из равновесных на этой линии твер­дых фаз. Точка касания является точкой перехода. Для определения точки перехода пограничной линии E1G из эвтектической в перитек­тическую (см. рис. 42) необходимо провести к ней касательную, исхо­дящую из точки A. Точка касания U, будет точкой перехода. На участке E1U кривая является эвтектической, на участке UG — перитектической. При перитектической реакции на участке UG растворяющейся явля­ется фаза D. Пути кристаллизации составов в такой системе отлича­ются только процессами на переходной пограничной кривой.
Рассмотрим пути кристаллизации некоторых составов системы.
Составы, лежащие в области AUE1, например состав М, начинают кристаллизацию выделением вещества А. На участке разделительной кривой аU кристаллизуется эвтектика А + D, а на участке UG протека- ет перитектическая реакция: L + D ® A.
Кристаллизация заканчивается в точке G перитектической реакци­ей: L + A ® D + C, в которой происходит частичное растворение уже не фазы D, а фазы А, так как нисходящая от точки G эвтектическая
137
4. Трехкомпонентные системы
1
линия уходит от поля первичной кристаллизации вещества А. Конеч- ные продукты кристаллизации фазы — A, D и С.
Путь кристаллизации составов, лежащих в области DE1U, напри­мер состава M1, начинает кристаллизацию выделением D. На участке пограничной кривой bU кристаллизуется эвтектика A + D, а на участ­ке UG протекает перитектическая реакция: L + D ® A. Кристалли- зация заканчивается в точке G перитектической реакцией: L + A ® ® D + C, в которой не происходит частичное растворение фазы A, так как нисходящая от точки G эвтектическая линия уходит из поля A. Ко­нечные продукты кристаллизации фазы — A, D и C. Кривая охлажде­ния расплава M1 приведена на рис. 42, б. На участках bU и UG система моновариантна, но на кривой охлаждения в точке перехода процес­са из эвтектического в перитектический отмечается перегиб — изме­нение скорости охлаждения, поскольку энергетическая емкость про­цессов различна.
На рисунке 44 изображена диаграмма состояния системы с двойным химическим соединением D, плавящимся с разложением, и погранич­ной кривой UEt, переходящей из перитектической в эвтектическую. Правило определения точки перехода является общим и применимо для данного случая.
138
E
E
3
E
t
/
E
t
2
K
M
a
M
M
1
D
U
Рис. 44. Диаграмма состояния системы с пограничной кривой,
переходящей из перитектической в эвтектическую
M
2
E
4.7. Основные типы диаграмм состояния трехкомпонентных систем
Точкой перехода является точка K — пересечение касательной из точки D с линией UEt. На участке UK протекает перитектическая реакция, в которой растворяющейся фазой является A. Пути кристал­лизации составов данной системы не отличаются от ранее рассмотрен­ных. Так, при кристаллизации состава M первоначально выделяется фаза A. На участке пограничной кривой aK проходит перитектическая реакция: L + A ® D. Она заканчивается в точке K, хотя фаза A еще оста- ется. На участке KEt кристаллизуется эвтектика A + D. Кристаллиза- ция заканчивается в точке Et выделением тройной эвтектики.
Характер процесса, протекающего на пограничной кривой, зави­сит не только от ее положения по отношению к точкам состава соот­ветствующих соединений системы, но и от формы.
Пример 1. Для расплава состава М1 (см. рис. 42) определить фазовый состав в следующих точках пути его кристаллизации: b, U, в момент подхода к точке G и после полной кристаллизации расплава.
Решение. Путь кристаллизации расплава состава M1 уже рассмотрен. Для определения количества фаз удобнее воспользоваться аналитиче­ским методом, так как для большинства заданных точек компонент С является невыпавшим. Определим по диаграмме составы исходно­го расплава, соединения и составы жидкой фазы в заданных точках:
Точки
М
1
D 64,0 36,0 – b 60,0 15,5 24,5 U 48,0 19,0 33,0 G 25,5 31,0 43,5
А B С
62,0 23,0 15,0
Состав, %
а) точка b. Фазы: Lb и D. Компонент С входит только в Lb. Количе-
ство фаз: Lb = (15,0 : 24,5) · 100 = 61,2 %; D = 100 – 61,2 = 38,8 %; б) точка U. Фазы LU, D и А. Количество LU = (15,0 : 33,0) · 100 = 45,4 %. Компонент В в фазе LU: 45,4 · 0,19 = 8,6 %. Остальная его часть: 23,0 – 8,6 = 14,4 % входит в соединение D. Количество D = (14,4 : 36) · 100 = 40,0 %. Количество А = 100 – 45,4 – 40,0 = 14,6 %; в) точка G в момент подхода к ней пути кристаллизации. Фазы LG,
D и А. Количество LG = (15,0 : 43,5) · 100 = 34,5 %.
139
4. Трехкомпонентные системы
Компонент В в фазе LG = 34,5 · 0,31 =10,7 % и в фазе D =
= 23,0 – 10,7=12,3 %.
Количество фаз: D = (12,3: 36,0) ·100 = 34,2 %; А = 100 – 34,5 –
– 34,2 = 31,3 %;
г) после полной кристаллизации расплава. Фазы: D, А и С. Ком-
понент С кристаллизуется в виде фазы С. Количество ее рав­но 15,0 %. Компонент B входит только в фазу D. Количество ее равно (23,0 : 36) · 100 = 63,9 %. Количество фазы А равно 100 – – 15,0 – 63,9 = 21,1 %.
Результаты расчета сведены в табл. форму:
Точки пути кристаллизации
b 38,8 – – 61,2 U 40,0 14,6 – 45,4 G
(в момент подхода) 34,2 31,3 – 34,5
После полной кристаллизации 63,9 21,1 15,0 –
D А С L
Фазовый состав, %
Фазовый состав в различных точках пути кристаллизации хорошо отражает процессы, протекающие на пограничной линии, описан­ные выше.
4.7.7. Диаграмма состояния системы
с тройным химическим соединением,
плавящимся с разложением
Тройные химические соединения, плавящиеся с разложением, ча­сто встречаются в силикатных системах. Типовая диаграмма состоя­ния системы с таким соединением D (AmBnCp) изображена на рис. 45. Поле первичной кристаллизации соединения D — GG1Et. Точка соста­ва соединения расположена в поле кристаллизации A. Пограничная линия GG1, разделяющая поле первичной кристаллизации соедине­ния и поле, в котором расположена точка его состава (поле A), явля­ется перитектической. Линии GEt и G1Et — эвтектические.
Соединительные линии делят диаграмму на три элементарных тре­угольника, но так как соединение D плавится с разложением, линии не представляют собою проекции квазибинарных разрезов и элемен­тарные треугольники не могут рассматриваться как диаграммы само­стоятельных тройных систем.
140
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]