Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Светов Б.С. Теория, методика и интерпретация материалов низкочастотной индуктивной электроразведки

.pdf
Скачиваний:
2
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.24 Mб
Скачать

Рис. 33. Графики Нвертикаль­ ного диполя над горизонтальной полуплоскостью

а — прямая

установка; б — обратная

установка.

Шифр кривых — hlr

определяющую поле над го­ ризонтальной проводящей плоскостью:

 

 

 

 

1— 202

 

 

 

 

(1 +

 

rf2)5/2

 

 

 

 

3d

 

 

 

 

 

(1 +

rf2)672

'

 

л "

^

(1 +

^

'

 

 

 

 

 

 

(IV.88)

где

d = 2h/r.

При

Л/г->0

экстремальные

значения по­

ля

вблизи

точек

 

х/г~—0,5

(установка

Z — Z

и

прямая

установка

Z — X)

и */г = 0,5

(установка

X — X и

прямая

установка

Z — X)

стремятся

к бесконечности как ir/h. Горизонтальная составляю­ щая поля в обратной уста­ новке 1-Х остается конеч­

но://-н о и в силу специфики усло-

'вий возбуждения и приема вторичного ПОЛЯ.

При h/r-+- оо

1

1 4iz

1

Л, 8тс

/•з

 

sin ср COS ср

 

s i n 3 ср

^cos2<p- COScp-

 

ЛЗ

 

 

 

г ) ] -

 

 

+

S i n 4 ф

 

(2 cos ср — 1),

(IV.89)

•-ZX ^

8тс

Л

- i -

 

3

 

 

 

jr3_

[<р — sin ср cos

<р —]— sin3 ср (cos ср — 2 cos2 ср

- | ^ - j j .

Л3

В формуле для hzx плюс относится к обратной установке. Некоторые дополнительные графики для рассмотренных случаев

приводятся в работах [41, 60]. Из приведенного материала следует, что в основных чертах закономерности поведения поля при возбу­ ждении полуплоскости вертикальным и горизонтальным диполями совпадают. При малой глубине расположения полуплоскости поле

130

Рис. 34. Графики Нхх горизонтального диполя над горизонтальной полуплоскостью

Шифр кривых — Шг

над ее кромкой возрастает как "|/~^~-

При

больших

глубинах

оно

h

 

h

 

 

убывает как r3/h3. При переходе от —

< 1

к — >

1 обычно

изме­

няется не только закон убывания поля, но и вид графиков: на смену сложным кривым приходят более простые, характеризующиеся од- ним-двумя экстремумами. С учетом разницы величин первичного поля аномалии, наблюдаемые с вертикальным диполем, как пра­ вило, больше, чем с горизонтальным диполем.

Наклонная полуплоскость в поле вертикального диполя

Графики поля для ряда углов наклона полуплоскости и при за­ данном -значении — = — - приведены на рис. 35. Графики верти-

го

кальной составляющей поля (рис. 35, а) даны только для отрица-

9*

131

-J,0 L

5

Рис. 35. Графики Hzz (а) и HIX (б) вертикального диполя над наклонной полуплоскостью

Н/г" '/$. шифр кривых — l|>

тельных углов наклона полуплоскости г|>: чтобы получить графики поля при положительных значениях г|\ достаточно отразить чертеж относительно оси ординат. Графики горизонтальной составляющей приведены для отрицательных и положительных углов наклона, но только для прямой установки. Графики обратной установки также

132

могут быть получены отражением чертежа относительно оси орди­ нат, однако при этом значения угла if изменят свой знак.

Из анализа приведенных графиков следует, что все они как бы затягиваются в сторону падения полуплоскости. На вертикальную составляющую поля наклон полуплоскости влияет сравнительно мало; заметно сказывается он лишь при 1|з>л/3. Горизонтальная составляющая поля обладает более высокой разрешающей способ­ ностью в отношении угла т|х Для установок, в которых приемник поля расположен со стороны восстания полуплоскости, характерно наличие одного наиболее резко выраженного положительного экст­ ремума, смещенного в направлении падения проводящего объекта. В противоположном случае на кривых отмечается два близких по величине максимума. По их соотношению можно судить о величине угла падения.

Г Л А В А V

ФИЗИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ

ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ И ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ФИЗИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ

При физическом моделировании электромагнитное поле изу­ чается в модели, геометрически подобной реальной среде, но с дру­ гими электрическими свойствами и существенно меньшими разме­ рами.

Для того чтобы низкочастотные электромагнитные поля в на­ туре и модели различались лишь некоторым постоянным множите­ лем, необходимо и достаточно выполнение следующего критерия подобия:

°h\>-hwJI=°uV-uuJI,

( v . i )

где / н и / м — любой линейный размер, а индексы н и м

обозначают

соответственно натуру и модель.

 

Если |ян = ц.м = Но, a (DH = CUm , то нужно, чтобы

 

a H / „ = a M / L

(V.1')

Если в натуре имеются тонкие проводящие пласты, то при мо­ делировании можно сохранять постоянным лишь значение их про­ дольной проводимости:

S H = o H m H = a M / r e M = 5 ' m )

(V.2)

где т — мощность пласта.

При этом удается в области достаточно низких частот получить правильное представление о распределении поля и наблюдаемых величинах аномалий.

Что касается частотных характеристик тонких пластов в модели и натуре, то в области достаточно низких частот (когда т н не пре­ вышает толщины скин-слоя б) они различаются между собой лишь масштабным множителем по оси абсцисс, зависящим от некоторых «характерных» размеров измерительной установки или проводящего объекта. Иногда этот множитель и конкретный смысл характерного размера /н , м могут быть установлены исходя из дополнительных теоретических соображений или на основе модельных работ. В этом случае удается получить полное совпадение частотных характери-

134

стик модели и натуры (при т н < 6 ) , записывая критерий

подобия

в виде

 

ан н шн т„/н =аи ри ши тм 1м .

(V.2')

В области высоких частот, когда т н > 6 , частотные характеристики модели и натуры и обусловленные ими аномалии становятся раз­ личными. В силу этого «тонким» следует считать такой пласт, мощ­ ность которого не только намного меньше всех остальных разме­ ров, определяющих рассматриваемую ситуацию, но и не превышает толщины скин-слоя в этом пласте.

Дополнительно необходимо, чтобы сохранялось отношение вели­

чин магнитной проницаемости всех сред в модели и натуре:

 

 

 

Ш . = В г Ь

< v - 3 >

Только при этом условии в магнитных проводящих средах будет

автоматически выполняться и другое необходимое условие:

 

 

 

fil-ftl-

(v-y)

В немагнитных

средах

(V.3') непосредственно следует из

(V.1).

Если критерий

подобия

(V.1) является следствием уравнений

поля

(1.14), то условия (V.3), (V.3') вытекают из соотношений

связи

(1.3) —(1.4).

 

 

 

При решении электродинамических задач физическое моделиро­ вание является принципиально универсальным методом, ограни­ ченным лишь возможностью подбора сред с заданными электриче­ скими свойствами и необходимостью в общем случае таких перего­ родок между ними, на которых не искажались бы граничные условия («неискажающие» перегородки). Недостаток физического моделирования — ограниченная точность результатов, зависящая от техники моделирования.

На рис. 36 изображена блок-схема модельной установки, позво­ ляющей с высокой точностью получать полную характеристику пе­ ременного магнитного поля в спектре частот 30—200000 Гц. Эта установка дает возможность фиксировать аномальные эффекты, составляющие 1 0 ~ 4 - М 0 - 5 от первичного поля, и фазовые сдвиги по­ рядка долей минут. Блок А представляет собой движущуюся над моделью 4 по рейке-профилю измерительную установку, на общей жесткой основе с которой при моделировании задач дипольного ин­ дуктивного профилирования устанавливается и генераторный ди­ поль 2, запитываемый от генератора ГЗ-33 /. Измерительная рамка 3 при помощи верньерного устройства может вращаться в плоско­ сти профиля. При помощи этого устройства обеспечивается весьма высокая точность нахождения минимума сигнала в приемной рамке, измеряемого микровольтметром В-6-2 7. Так осуществляется изме­ рение малой полуоси эллипса поляризации Нъ и ее угла наклона. Величина большой полуоси определяется по максимуму сигнала в приемной рамке.

135

Модуль составляющей поля Нх, ортогональной первичному полю, обеспечивается путем установки приемной рамки в минимум приема на ^бёзаномальном участке профиля (в отсутствие проводящей сре­ ды). Это положение в дальнейшем сохраняется при передвижении системы по всему профилю. При измерении компоненты поля, совпа­ дающей по направлению с первичным полем Нх, для компенсации последнего, а также для компенсации нормального поля от вмещаю­ щей проводящей среды применяется блок Б.

С этой целью в цепи генераторной и приемной рамок последо­ вательно включаются специальные компенсирующие рамки 5 и 6.

Профиль

измерений

 

 

 

 

Рис. 36. Блок-схема модельной

 

 

 

 

установки

 

Включение их производится таким

образом,

чтобы

э. д. с , наведен­

ная в компенсирующей

приемной

рамке

6,

была

противофазна

э. д. с. основной

приемной

рамки

в

отсутствие

моделируемого объ­

екта. Изменяя

расстояние

между

рамками 5 и 6 или их взаимную

ориентировку, можно увеличивать или уменьшать амплитуду сум­ марного сигнала, поступающего на микровольтметр, и в той или иной мере компенсировать первичное поле. Возникающие в цепях неучитываемые фазовые сдвиги устраняются при помощи специаль­ ного фазовращателя в цепи компенсирующей рамки.

Для измерения модуля вторичного поля по составляющей Нг производится полная компенсация первичного или нормального поля в приемной рамке при расположении измерительной установки на безаномальном участке профиля. При передвижении измери­ тельной установки по профилю компенсация не изменяется. При из­ мерении мнимой части вторичного поля по составляющей Hz на каждой точке профиля находится минимум измеряемого напряже­ ния путем изменения амплитуды компенсирующего сигнала при не­

изменной его фазе. Другой вид

модельной

установки, основанной

не на компенсации первичного

поля, а на

суммо-разностных пре-

136

образованиях измеряемого и опорного сигналов, описан В. X. За­ харовым [27].

При моделировании обычно нет смысла производить измерения большого количества параметров переменного магнитного поля, изучаемых в различных модификациях индуктивной электрораз­

ведки. Обычно достаточно полная информация

о поле содержится

в графиках распределения двух пространственных компонент

поля

и в частотных характеристиках квадратурных

составляющих

(или

амплитуды и фазы) одной из этих компонент. Сведения о других параметрах поля могут быть получены с учетом соображений и на основе формул, приведенных в гл. I I .

МОДЕЛИРОВАНИЕ ХОРОШО ПРОВОДЯЩИХ ОБЪЕКТОВ В НЕПРОВОДЯЩЕЙ СРЕДЕ

Это простейший вид моделирования, так как моделью непрово­ дящей среды является воздух, а хорошо проводящие объекты типа сплошных колчеданных рудных тел удается, как правило, заменять геометрически уменьшенными металлическими моделями. При этом часто оказывается возможным проводить моделирование на таких же частотах, как и измерения в натуре, а значит, применять поле­ вую аппаратуру.

С

учетом

удельной

проводимости

колчеданных

руд

10—

100 Сим/м

и металлов,

используемых для моделирования

(медь,

алюминий,

свинец), 5• 107 Ч-5• 10е Сим/м

коэффициент

геометриче­

ского

подобия

может быть выбран в пределах (1 :200) - г(1 : 1000).

По этому виду моделирования опубликовано много работ. В них устанавливается степень идеализации строгих решений электроди­ намических задач, обобщаются полученные теоретические данные на более широкие классы проводящих объектов, возбудителей и приемников поля, формулируются способы интерпретации резуль­ татов наблюдений и т. д. Мы остановимся лишь на отдельных при­ мерах моделирования, важных с точки зрения их использования при интерпретации полевых материалов.

На рис. 37 и 38 представлены графики поля незаземленной петли в присутствии наклонной проводящей пластины для ряда углов ее падения. На рис. 37 изображены графики амплитуды вертикальной составляющей поля Hz и отношения амплитуд в двух точках про­ филя, получаемые по методике двух горизонтальных рамок (см. гл. V I I I ) . Для вертикальной составляющей магнитного поля над на­ клонной проводящей пластиной характерен переход с положитель­ ных аномальных значений на отрицательные, причем минимум поля всегда располагается со стороны падения пластины, а переход через нулевое значение аномалии приурочен к проекции кромки пластины на профиль наблюдения.

Асимметрия графиков увеличивается при уменьшении угла па­ дения пластины, причем степень асимметрии слабо зависит от

137

Рис. 37. Графики Нг (1) и Ах (2) в методе незаземленной петли над наклонной пластиной (по Р. Боссчарту) [85]

глубины залегания пластины. Это позволяет оценивать угол паде­ ния 1 по приближенной эмпирической формуле

6° = 9 0 ° - 2 0 0 i g

~ 1

где /imax—1 и 1—/im inзначения аномалии в максимуме и мини­ муме поля. Величина аномалии, особенно в минимуме поля, также уменьшается при увеличении угла падения пластины. Когда напра­ вление падения совпадает с направлением возбуждающего поля, аномалия становится равной нулю. Однако эта характеристика поля зависит и от других факторов, прежде всего от глубины залегания пластины h, ее размеров и параметра вторичного поля р 2 на рабо­ чей частоте. Это делает затруднительным использование абсолют­ ного значения аномалии при интерпретации. При малых размерах пластин по падению (/<C/t) расстояние между экстремумами ано­ малии в основном зависит от глубины залегания верхней кромки

1 Угол падения 6 связан с углом на рис. 35 соотношением 0°=9О°—

138

Рис. 38. Графики Нь1На в методе незаземленной петли:

/ _ е = 1 5 ° ; 2 — 6=30°; 3 6=45°; 4 — 6-60°; 5 — 9=70°

пластины, однако при /, сравнимом с h, размер по падению в рав­ ной мере влияет на это расстояние. Более устойчивой величиной в этом отношении является расстояние от точки перехода аномаль­ ной кривой через нуль до положительного экстремума, расположен­ ного со стороны восстания тела. Это расстояние равно примерно 0,84-1,1 h.

139

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ