Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Светов Б.С. Теория, методика и интерпретация материалов низкочастотной индуктивной электроразведки

.pdf
Скачиваний:
2
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.24 Mб
Скачать

интерпретация может быть перенесена на любые из рассмотренных возбудителей и позволяет легко находить выражения для вторич­ ных полей от сферического проводника в достаточно произвольном первичном поле.

Из формулы (IV.25) следует, что вторичное магнитное поле электрического типа при возбуждении шара магнитным диполем исчезает при а0—>-0, а вторичное электрическое поле электрического типа в первом приближении не зависит от Оо и а4 (так же, как и в случае горизонтально-слоистой среды). При возбуждении элек­ трическим диполем поля электрического типа по магнитной компо­

ненте при ао - >0 не зависят

от Оо и at (при

заданном

моменте

Р),

а по электрической компоненте растут с увеличением

OQ. Поля

маг­

нитного типа при |11 = цо в

соответствии с

(IV.21)

исчезают

при

уменьшении частоты. Поля электрического типа в случае постоян­

ного

магнитного

диполя также

равны нулю

( £ ^ = 0 ) , но

сохраня­

ются

в случае

постоянного

электрического

диполя—(IV.29) —

(IV . 30) .

 

 

 

 

 

Выпишем и сопоставим максимальные значения

полей

различ­

ных типов при разных способах задания и приема

поля,

опуская

угловые множители и пренебрегая малыми слагаемыми. Резуль­

таты такого сопоставления для случаев малой

(r~a, ro~R)

и боль­

шой ( r ^ r 0 ^ h , а<С/г)

глубин

залегания

шара сведены в табл. 2

(здесь R — расстояние

между

возбудителем

 

и приемником

поля,

h — глубина залегания

шара — расстояние

от

центра шара

до ли­

нии, соединяющей приемник и возбудитель поля).

В дальнейшем будем обозначать рассмотренные в табл. 2 слу­ чаи соответственно Я — Я, Я — Е, Е —- Я, Е — Е.

Их сопоставление показало следующее.

1.Наблюдаемые при Я — Я , Я — Е, Е — Я величины аномалий магнитного типа при неглубоком залегании шара сравнимы по ве­ личине. При Е — Е величина аномалии магнитного типа сущест­ венно занижается множителем k\aR.

2.При больших глубинах залегания шара величина аномалий магнитного типа наиболее быстро убывает с глубиной при Я — Я (как a3R3/he) и на порядок медленнее — при Я — Е и Е — Я . Еще

медленнее убывают с глубиной аномалии магнитного типа при

Е— Е (как a 2 i ? W ) .

3.Наилучшее соотношение между аномалиями магнитного и электрического типов при Я — Я . Однако в области достаточно низ­

ких частот (|&ia|<Cl),

когда

функция D\ (|х) -—чисто

мнимая,

а Dt (а)—действительная,

обе

эти

аномалии

проявляются

прежде

всего по мнимой компоненте

поля

и, таким

образом, отсутствует

возможность разделения их по фазовому признаку. Худшее соот­ ношение между аномалиями магнитного и электрического типов наблюдается при Я — Е и Е—Я, однако тогда при \kia \ <Cl анома­ лия магнитного типа — чисто мнимая, а электрического типа — дей­ ствительная: их можно разделить по фазе. Наиболее неблагоприя-

100

 

 

 

 

Т а б л и ц а 2

 

Вид

Величина аномалии

Отношение

 

 

 

аномалий

Вид возбудителя поля

измеряемой

Магнитный

Электрический

магнитного и

 

компоненты

тип

тип

электрического

 

типов

 

 

 

 

 

 

м а л а я г л у б и ]1 а

 

 

Магнитный диполь

н

 

А

(?)

k20aRD1

(а)

 

 

 

 

 

 

 

Е

 

А

(и)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Электрический

Н

- J - A (iO

А

(«)

 

диполь

 

 

 

 

 

 

 

 

Е

k2aRDl

(jx)

А ( ° )

 

 

 

Б о л ь ш а я г л у б и н а

 

 

Магнитный диполь

Н

h

6

A W

^аЯ - p - A

(a)

 

Е

 

 

 

дЗ#2

 

 

 

h5

А(и)

 

 

 

Электрический

Н

a3R2 ^

дЗ#2

A

(a)

 

 

 

Й5

диполь

 

 

 

 

a3/?3

 

 

 

Е

klaR-f^

A ( H )

 

 

 

- р - А ( ^ )

1 А (и) k20aR А (°)

ЛА

лА ( ° )

лA (р)

R А (»)

Л 0 й / < £>, (о)

1

A (fO

 

A(°)

A

(n)

A

( 0

A

(f*)

A

(°)

V

A (°)

тен с точки зрения выделения аномалий магнитного типа случай Е — Е, когда аномалии магнитного типа меньше аномалий электри­ ческого типа. К тому же аномалии обоих типов синфазны (обе дей­ ствительны).

4. С точки зрения возможности избирательного выявления про­ водящих объектов с различными значениями ot представляются наиболее перспективными случаи Я — Я, Я — Е и Е — Я . С точки зрения соотношения между поверхностными и глубинными анома­ лиями более выгодны варианты Я — Е и Е — Я .

Вторичное магнитное поле шара, возбужденного магнитным диполем, в непроводящей среде

Будем предполагать, что радиус шара а мал по сравнению с рас­

стояниями от

его

центра

до возбудителя 0 )

и приемника

(г)

поля. Тогда

поле

можно

найти на

основе

общих

выражений

(IV.15) — ( I V . 16) для полей магнитного

типа, полагая

в них

ао = 0

101

и ограничиваясь первыми членами соответствующих

рядов. Однако

в этих же предположениях тот

же

результат может

быть получен

и более простым путем, определяя

вторичное поле шара как поле

магнитного диполя с моментом MH

= H02na3Di(\i),

где Н° — первич­

ное поле возбудителя в центре

шара. Такой способ

позволяет на-

102

в

Рис. 23. Графики дипольного индуктивного про­ филирования над шаром

а — Hzz; б Нгх\ в — Нхх. Шифр кривых — hIR

ходить вторичное поле шара в непроводящей среде при любых незаземленных возбудителях первичного поля.

В случае дипольного индуктивного профилирования для про­ филя, проходящего через эпицентр шара (см. рис. 20, в), получим

,1

H\z

D\a?R?

г

 

 

/

 

 

 

п^—~ЯЬ~ ~

 

rir^

[

c o s ( б 2 — б]) (2 cos б, cos 0 2 +

 

 

-\—Y sin 0j sin 02 ) sin 2 (02

— 0,)J,

 

 

Л г х —~JW~

TW ~~

 

[cos (02

©О ^3 cos 9] sin б2

 

 

 

 

 

'0

 

 

 

 

 

 

 

 

— ~

sin 0! cos 02 j ] ,

 

 

 

• l

H x x

 

Ддздз

г

 

 

 

/

 

 

"•xx—jjo—

 

 

[cos

(62

— 0j)

^2 sin 6, sin

0 2 +

 

 

+

- i -

cos

0! cos 02 ) -

sin2

(02 - в,)].

 

(IV.31)

Индексы

у компонент

вторичного

поля

обозначают

соответст­

венно ориентировку генераторного и приемного диполей, значение

WO

м

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ji° принято ———-.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4nR3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При одинаковой высоте расположения генераторного и прием­

ного диполей над центром шара

(k =

ho) эти выражения могут

быть

103

записаны в декартовой системе координат [sin02 = x / r , sin0i =

= ( * - / ? ) / / • „ ] :

.1

_

н

Da3

{ №R3 [_2A«

— | ~ Л 2 л : ( х - / ? ) 4 - / г 2 х 2 +

 

llzz

HO

fl3

,

, ,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

'0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H\z

 

Dcfl

i

Л3/?з

з

h{x+R)

\x(x-R)-\-V\\

,

 

 

 

HO

 

fii

\

r5A

 

2

A i x = т

{ Щ - {- 4-.*4 - - I -

-

+ л 2 * 2 +

 

 

 

+

2

(л - Rf

-

2JC2

(Л -

 

Rf\ j

,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(IV.32)

где r 2 =

/ i 2

+ x 2 , r 2

0 = / j 2

+ (x —/?)2 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выделенные в фигурные скобки части вторичного поля зависят

только от отношений h/R и x/R

и не зависят от величин Z)i(p)

и а//г.

Они построены на рис. 23, причем по оси

абсцисс отложены

 

вели­

чины x/R,

а кривые

оцифрованы h/R.

 

В качестве

точки

записи

здесь, как и на всех остальных

графиках

 

дипольного

индуктивного

профилирования,

принята середина

расстояния

между генератор­

ной и приемной

установками. График

Нгх

несимметричен и пред­

ставляет тот случай, когда слева на чертеже располагается генера­ торный диполь («прямая» установка), графики обратной установки

могут

быть получены

путем

отражения рис. 23

относительно

оси

ординат. При малых

относительных

глубинах

залегания шара

(h/R)

величина аномалии пропорциональна a3/h3,

при больших

глу­

бинах

аномалия по

компонентам Hzz

и

Нхх

пропорциональна

 

а по компоненте Hzx

— величине а3 /?4 7 . При больших

глу­

бинах залегания шара компоненты Hzz

и Нхх

достигают минимума

над центром сферы,

а компонента

в этой точке переходит

че­

рез нуль. При малых глубинах над шаром наблюдаются две отдель­ ные аномалии: одна соответствует тому моменту, когда над ним располагается приемная установка, а вторая — когда над ним на­ ходится генераторный диполь. Способы интерпретации графиков распределения поля над шаром рассмотрены в гл. X.

КРУГОВОЙ ЦИЛИНДР

Определение дифрагированного поля (плоская задача)

Пусть ось кругового цилиндрического (для простоты — однород­ ного) проводника совпадает с осью 0z цилиндрической системы ко­ ординат (р, ф, г) и пусть поверхность р = а отделяет среду с элек­ тромагнитными константами ai, p i от внешней среды с константами

104

0о, Цо. Если первичное поле некоторого возбудителя не зависит от

координаты

г, то,

поскольку

и свойства

среды

не

зависят от

этой

координаты,

задача может

рассматриваться

как плоская.

Тогда

любое

первичное

поле

может

быть

сведено

к

комбинации

двух

частных

случаев: Е — поляризации или

поперечно-магнитного

поля, когда вектор Е = Ег

(или электрический

векторный потенциал

A=AZ)

параллелен

оси

цилиндра,

и

Н — поляризации

или попе­

речно-электрического поля, когда

вектор

Я = Я 2 (или

магнитный

векторный потенциал А*=А*)

параллелен

оси цилиндра.

При обеих поляризациях решение задачи о возмущении первич­ ного поля цилиндрической неоднородностью среды сводится к ре­ шению скалярных уравнений Гельмгольца относительного потен­ циалов AZ(A*)

при выполнении граничных условий на поверхности

р = а:

для электрического потенциала Аг

 

 

 

 

 

 

.

M

,

дА,

=

_

дА,

,

(IV.34)

>SA> =

V

_ ^

£

L

 

 

 

 

 

 

д9

 

 

 

для магнитного потенциала Л* —

 

 

 

<

 

 

 

v C =

o

X .

дА*.

L

=

S

_

(IV.34')

- ^

^

и условий регулярности в бесконечности.

 

 

 

 

 

Частные решения уравнения (IV.33)

могут быть записаны в виде

cos

 

f J N

(£р)

 

 

 

 

Sin

 

 

 

 

 

 

 

0V.35)

Эти решения периодичны по ср, причем первое конечно в начале ко­ ординат, а второе удовлетворяет условиям регулярности.

Предположим, что Е — поляризованная часть первичного поля

в окрестности цилиндрического проводника — может быть

записана

в виде

 

л ° = л / л а д ь

(iv.36)

где Г — линейный оператор суммирования, содержащий тригоно­ метрические функции и некоторые константы и не изменяющийся при переходе через поверхность раздела сред.

Будем искать суммарное поле в среде с индексом 0 —

\=r{Ja(ka)+<LaHn{krt)\

(IV.37)

и в среде с индексом 1 —

А , = Л & Л ( * 1 Р ) } .

(IV. 37')

105

Подставляя формулы (IV.37) — (IV.37') в граничные условия (IV.34) и символически сокращая оператор Г, найдем, как обычно, значение функции отражения

 

~

tin '—'

 

а«= - и <ь\

 

.

(IV-38>

<ft°a)

k0Hn

(k0a) - ^ k , J n ( М )

 

где обозначено / „ (г)' = -~гг-

> н *

С2) = ~1згтк •

 

Jn (2)

 

Пп (2)

 

/

 

 

 

Рис. 24. Цилиндр в переменном элек­ тромагнитном поле

Нетрудно убедиться, что (IV.37) — (IV.37') удовлетворяет всем условиям поставленной задачи. Н — поляризованная часть поля — находится путем замен А-*-А*, Г->Г*, >-а; последняя замена приводит к получению соответствующей функции отражения ап—>•

п

 

 

 

не­

Чтобы найти выражения для поля конкретных возбудителей,

обходимо представить их

первичное поле

в форме

(IV.36) и,

та­

ким образом, определить

вид операторов

Г{ } и

Г* { } . Как и

в предыдущем разделе, такое представление достигается путем раз­ ложения соответствующих функций Грина для неограниченного про­ странства в цилиндрической системе координат [44]:

w /А п\

V

/

J

Л(£оРо)Лл(А)Р).

Р > Р о

m

r o

n 4

HQ(k0R)=2*

 

е » cos л («р-то)

„ о ) , .

w

v

^

0

V - 3 9

>

 

« = 0

 

 

[Иа Ч*оРо) Л

( « О ? ) .

Р < Р о 5

 

 

 

 

е ^ = е ' * » р c o s ? =

2оо £ni" cos

n<?JA

(koP).

 

(IV.40)

 

 

 

 

n = 0

 

 

 

 

 

 

106

Здесь б о = 1 , e n = 2 ( n ^ l ) , (р0 , фо)

и (р, ф) цилиндрические

коор­

динаты

возбудителя

поля

и точки

наблюдения,

R =

= У р 2 + р 2

2pp0 cos(<p фо)

(рис.24).

 

 

На основе этих разложений нетрудно найти необходимые выра­

жения для операторов:

плоская

^-поляризованная волна

(Л =

 

 

 

оо

 

 

 

 

Л

)==л°

2 s

« ' " c o s ^ !

Ь

(iv.41)

я= 0

плоская Я-поляризованная волна (Л* =Л*°е! '*°ж )—

оо

 

 

 

Г* { ) = А : °

^

v » c o s л<р { },

 

(IV.42)

 

 

 

 

 

л

= 0

 

 

линейный ток /

(бесконечно длинный кабель) —

 

 

 

 

 

оо

 

 

 

 

 

 

Г

1

) = " Т - 2

£ « c o s

>1 (? - ?о) Я„ (Аоро) { }..

(IV.43)

 

 

 

л = 0

 

 

 

 

 

Формула

(IV.43)

выражает

поле при р<ро, при переходе к случаю

р > р о необходимо

в выражении

первичного поля

произвести вза­

имные замены функций Нп(г)

и J n (z). Оператор

Г*{ } ,

соответст­

вующий

(IV . 43),

выражает

магнитный векторный

потенциал поля

бесконечного соленоида.

 

 

 

 

 

Анализ полученных результатов

Вторичное поле цилиндрического проводника, строго говоря, не допускает представления в виде суммы полей электрического и маг­ нитного типов, употреблявшиеся выше термины: «поперечно элек­ трическое» и «поперечно магнитное» поле близки, но не идентичны этим понятиям. В случае ^-поляризованной плоской волны компо­ ненты поперечно-магнитного вторичного поля могут быть записаны на основе (IV.41) в виде:

00

 

 

Е1=Е°^

 

snin

cos ttf znHn

(k0p),

 

 

 

 

л = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

оо

 

 

 

 

 

 

 

 

S r

2

sni" cos щ

anH'n (AOP),

(IV.44)

 

 

 

^

л = 0

 

 

 

 

 

 

 

 

Е°

00

 

 

 

 

 

 

1

 

 

V

 

 

 

 

 

 

Hf =

 

2d

zninn sin щ апНп 0р).

 

 

 

 

^ V

л =

0

 

 

 

 

 

Поскольку у всех членов разложения

(IV.44)

при

Я р # 0 ,

a Ер

= 0, то в соответствии

с определением

поля,

соответствующие

этим

членам, следует считать

полями

 

магнитного

типа. Что

107

касается нулевого члена разложения, то для него Я р = £ , р = 0 и соответствующее ему поле можно с равным основанием относить к любому типу. Однако, учитывая ограниченность реальных про­ водников и отличие от нуля компоненты Ez, целесообразно, отходя от строгого математического определения, рассматривать это поле как поле электрического типа. Правомочность такого заключения будет подтверждена предельным переходом в случае сфероидаль­ ного проводника и анализом этого поля в области малых парамет­ ров. Аналогично в случае поперечно-электрического поля будем относить все члены разложения при n ^ l к электрическому типу,

апри п = 0 — к магнитному.

Вобласти малых параметров \koa\ члены рядов (IV.44) быстро убывают при п ^ 1 , поэтому ограничимся анализом первых двух членов.

Запишем их в традиционно принятом виде [48, 52]:

£ 1 = £ ° А с 4 -

V[l

+ 4 - I n Л ]

+

/ ^ t f o r ^ c o s < p ,

 

 

H\=E\V^--H4^-cos^,

 

 

 

(IV.45)

 

 

 

Н\=Н°тЛ-

sin ср,

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V=

 

 

 

^

 

^

 

 

(IV 46>

 

Hi

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

( M )

 

 

 

 

7"=

1 +

_^o_ kycdx (kid)

(IV.47)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Hi

 

 

 

 

 

( I n Y = С = 0,577 постоянная

Эйлера).

 

 

 

 

Функции

Г и' 7" описывают

зависимость

вторичных

полей

элек­

трического и магнитного типов от свойств

проводника

и вмещаю­

щей среды,

а также

от частоты

возбуждающего поля. При

со-»-О

( l A i a l - v O )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

|*о И

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

НА + Hi

 

 

присо-»-оо

(| Asia

оо)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Но°о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Hi

 

^

\

1 1

 

^ /

 

 

Если po = Pi, то

на

достаточно

низких

частотах ( ю - > 0 )

Т-*-

—k2a2/8.

Вторичное

поле

магнитного

типа (функция

Т) зависит

108

от |Wpo и параметра p=\kia\ в основных чертах так же, как и поле магнитного типа сферического проводника. При ц.о p i график функции Т, построенный в зависимости от параметра |/г2 а2 |, доста­ точно хорошо совпадает с графиком функции D (р), построенным

в зависимости

от параметра

-^-|&2 а2 | [51]. При p o ^ P i

реальная

часть функции

Т с увеличением

частоты так же, как и ReD (р), из­

меняет свой знак,

переходя

из

области

отрицательных

значений

в область положительных (при p i > p o ) .

 

 

Вторичное

поле

электрического типа

характеризуется некото­

рыми дополнительными специфическими чертами. В области низких

Arg V, град 90

о,оз-

0,1

0,3

1,0

3

10рг

0,1

tOp*

0,03

Рис. 25. Графики функции V для цилиндриче­ ского проводника

Шифр кривых — Oo/Ol

частот (при po = pi) оно может быть проинтерпретировано как поле линейного тока силы I'=E°(oi Оо)па?, совпадающего с осью ци­ линдра, и является следствием концентрации в нем токов, текущих во вмещающей среде. Вторичное магнитное поле электрического типа растет пропорционально проводимости цилиндра и напряжен­ ности первичного электрического поля. В области высоких частот оно убывает за счет внутреннего скин-эффекта в цилиндре. График функции V, описывающей частотную характеристику вторичных по­ лей электрического типа, изображен на рис. 25.

Поперечно-электрическое вторичное поле в области малых па­ раметров | koa | может быть записано в виде

k\a2

 

 

а 1

а 0

й2_

 

 

 

<*1

+ °0

Р COS ср,

I<Й(Х оCi _ М т—

 

°i °о

T f C O S c p ,

(IV.48)

 

 

°i + "о

 

 

 

•"О

- 7 2 - S i n Ср.

 

 

 

<ч + °

 

 

 

 

0

 

 

 

 

Первые слагаемые в Я ' и £ ' ф выражают поле магнитного типа, а вторые слагаемые и все поле по £ 4 — поле электрического типа.

109

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ