Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Светов Б.С. Теория, методика и интерпретация материалов низкочастотной индуктивной электроразведки

.pdf
Скачиваний:
3
Добавлен:
24.10.2023
Размер:
11.24 Mб
Скачать

 

 

 

 

 

У

 

 

 

 

 

Рис. 28.

Эллиптический

цилиндр

 

 

 

 

 

 

1

 

ь

/

/

в однородном магнитном поле

V

 

 

 

 

l

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ч

* / /

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

cf-0

Эллиптический

цилиндр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Г~"

 

 

1

 

^£

[———

Р

|

поле

 

 

 

 

 

 

 

\ Г '

 

 

Тс

 

/

 

 

 

 

 

 

Пусть в однородном

маг­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

нитном

поле,

направленном

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вдоль оси

Оу,

расположен

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

проводящий

эллиптический

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

цилиндр (рис. 28). Введем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

эллиптические

 

цилиндричес­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

кие координаты

(и., 0,2),

свя­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

занные с декартовыми коор­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

динатами

(х,

у,

z)

соотно­

шениями

х = с c h p cos 0,

*/ = c s h p s i n 0 . Координатными

поверхно­

стями

являются: р, = const — софокусные эллиптические

цилиндры

с междуфокусным

расстоянием 2с, 0 = const — софокусные гипербо­

лические

цилиндры с

тем же

междуфокусным

расстоянием

и 2 =

= const — плоскости, перпендикулярные

оси 02. Область

изменения

переменных р.,

0

и z

определяется

неравенствами

0 ^ р , ^ о о ,

0=^

^ 0 ^ 2 я ,

ОО < £\< сю.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вектор-потенциал вторичного поля Л1 , выражаемый интегралом

H V . 7 0 ) , может

быть

записан

в эллиптических

координатах

в

виде

АЦр,

9)=

k2H°c3

Ъ

| i , cos

в, (ch2 | i , cos2 0,) In

 

 

 

 

аГв,.

 

j J ch

 

 

 

 

 

 

 

 

о 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(IV.71)

Воспользуемся взятым из работы Ф. Морса и Г. Фешбаха

[44]

представлением

функции Грина 1п —

в эллиптических

координатах

(при

Ц1<ц):

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

In

 

1

= p . - f - l n - |

2

 

" V е

"^(chttUqCOSW^COS/tS-f-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

я = 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-4- sh

sin «8j sin «9).

 

 

 

 

 

(IV.72)

Подставляя (IV.72) в (IV.71)

и проводя почленное интегрирование,

нетрудно получить с учетом ортогональности функций

cosn0:

 

 

 

 

 

 

 

 

k2 H°azb

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

А1

((х, 6 ) = - L 1

3

(е~* cos 9 -

Т е - 3 1

1

cos 39),

 

(IV.73)

где <2 = cchfio,

 

& = c s h p 0

— большая

и

малая

полуоси

эллиптиче­

ского сечения.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

120

Пользуясь соотношением Я = rot Л, получим:

,

ft?//°qk\H6a4

ssinlnбеee---^—- s lsinn336 e -

3

^

 

 

3u

 

11

 

 

" Л * б ) = —

 

V

V _

c o 2 6

 

 

 

4 с 2

/ c h 2 р.

Cos2

 

 

 

*2 tf°a3 6

c o s

бе-^ — cos ЗЬе~^

 

 

2

 

V ch2 ,х — cos2 в

 

 

л и 7 Л

( I V - 7 4 >

При с—>-0 эти выражения совпадают с соответствующими

выра­

жениями для

Я р и Яе кругового цилиндра

в области малых

пара­

метров | kid

|. Аналогичным путем могут

быть получены выраже­

ния для вторичного поля эллиптического цилиндра, возбуждаемого' однородным полем, направленным вдоль оси Ох. На основе супер­ позиции этих решений может быть получен более общий результат с возбуждением наклонного эллиптического цилиндра. Сопоставле­ ние полученного приближенного решения задачи со строгим реше­ нием [34], показывает, что с погрешностью, непревышающей 10% . оно справедливо, если параметр эллиптического цилиндра р 2 = т(о' =

 

2сРЬ

= oix

—со ^ 3 , 5 , т. е. в довольно широкой области.

 

а + Ь

Трехмерные проводящие тела

В случае трехмерных проводников удается определить вид функ­ ции плотности тока / лишь для тел, имеющих эллиптическое сече­ ние во всех плоскостях, перпендикулярных к первичному полю, ко­ торое предполагается однородным в пределах проводника.

Рассмотрим вначале тонкий эллиптический диск, расположен* ный в плоскости Оху. Пусть первичное поле направлено по оси Oz,. а большая полуось диска ориентирована вдоль оси Ох.

Так как Я° = Я ° , то компоненты плотности тока / внутри диска должны удовлетворять равенствам

Из равенства нулю нормальной компоненты плотности тока на

контуре диска, определяемом уравнением уо=у(хо),

следует, что

краевое условие для эллиптического диска

может

быть

записано-

в виде

 

 

 

 

 

 

 

 

У'у (*о. Уо)

dy

- Ж - J t -

 

<IV-76>

 

Jx(*o-

Уо)

dx

 

 

 

 

|У — Уо

 

 

 

Уравнениям

(IV.75)

и условию

(IV.76)

удовлетворяют

функции

А

— ^

- з

ф г У ,

h-kXH'-^rX.

 

(IV.77).

В силу первых равенств (IV.75) эти выражения справедливы также для усеченного эллиптического цилиндра конечной высоты d и для трехосного эллипсоида.

12L

В обоих случаях векторные потенциалы поля могут быть най­ дены по формулам

j

k\H°

а2

г-

yQ

 

 

 

АХ(Р)=

^

Ж+WJ

 

г(Р,

0 ) d

V q

'

,

k2

Л2

Г

Хп

 

 

 

А'У(Р)—^Г

 

- ^ T F j - p u f u d V Q .

(IV.78)

Нетрудно обобщить

результат, полученный

для

трехосного эл­

липсоида, на наклонное возбуждающее поле. Таким образом, в об­ ласти малых параметров эти задачи могут быть сведены к квадра­ турам. При сравнении полученного результата со строгим реше­ нием для шара оказывается, что найденное приближенное решение справедливо с погрешностью, не превышающей 10% при р 2 =

_

ара 2

2 — ^ .

ИДЕАЛЬНО ПРОВОДЯЩАЯ ПОЛУПЛОСКОСТЬ В ПЕРЕМЕННОМ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОМ ПОЛЕ

Будем рассматривать идеально проводящую полуплоскость в ос­ новном в поле магнитного диполя при проводимости вмещающей среды, равной нулю. В основу последующего анализа положим наи- •более полное и современное решение рассматриваемой задачи, по­ лученное А. А. Тужилиным [67]. Ограничимся для простоты изуче­ нием поля на линиях, лежащих в плоскости, ортогональной рас­ сматриваемой полуплоскости.

Исходные выражения

На основе работы А. А. Тужилина [67], представим магнитное тюле диполя, ортогонального кромке рассматриваемой полуплоско­ сти, в виде

PPn Vn

L ^

' uC-

a,C,] +

2 Vm щ

 

 

 

(IV.79)

122

В этой формуле

 

Л = е у

_ У о

— g 9

+ s

- 2ф

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

— _ cos8g5 +

cos(<p0 — ф ) е у _ ф

 

cos(5i + 2<\>)eSi+ cos(y0

 

^)ef_^

~

 

 

c o s - ^ l o

 

 

 

 

 

 

 

c o s - 2 + J o

 

 

 

 

 

 

 

 

C = e 0

— 3 cos Ье&,

Cx =

е_2ф — 3 cos (5,-|-2ф)

,

 

 

 

 

 

 

D=eQ

cos Ьеь,

Dx=e_2^

 

cos (8;+2ф)

£s,,

 

 

 

 

где ea

— единичный вектор под углом а к направлению диполя Л1 =

=Ме0;

гр= (i, е0 ), (p =

(t, р), фо=(», Ро), б = (е0 , г) ,

6 i =

0 , п)

углы

между векторами, стоящими в скобках, отсчитываемые

против ча­

совой

 

стрелки

 

от

 

первого

 

вектора

 

ко

второму;

 

г =

= Ур 2 2 0 — 2pp0 cos (ср — ф0 )

и

Г1 = У р 2 + р 2

— 2рр 0 cos( ф + фо) — рас ­

стояния

от точки наблюдения до диполя

и

его

отражения

в полу-

плоскости;

 

и=

2Урро

cos

 

Ф —Фо

и\ =

2 У р р 0

 

 

ф+фо

 

 

г

 

 

2

,

 

 

'—-—cos

2

'

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

'

 

*

п

 

 

 

v = kr,

vi = ki,

vo = kR0,

Ro=p

+

po,

 

(vo) — функции

Ханкеля,.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

a r s h

и

 

 

 

 

 

 

 

первого рода, n-го порядка; Мп(и,

и)'= |

 

Я ^ ( о с Ь | )

 

 

 

_ t

<ig—

специальные

функции,

введенные

и исследованные

 

А. А. Тужили-

ным

[68] и названные

интегралами Макдональда;

остальные

обо­

значения приведены на рис. 29.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В независящем от k приближении

с учетом того, что при

и - > 0

М0(и.

v

)

= ±

+

 

i+*L

 

arctg

 

 

+ * L I n ^ l i q + Z

 

_

^

] + 0 (

/И, (и,

* , ) = -

4

( l

 

 

arctg и) +

1 +-^(\

-

\

arctg

« ) +

 

 

 

 

1

2 . ( l +

 

^ In I £ V T + ^ _ J . ) + 0 ( П

 

 

 

 

после некоторых преобразований получим:

 

 

 

 

 

 

 

 

- Т Г ^ Р . ^ = ^ R j ^ J

где

1 I

 

 

с-

2

+

^ = 1

+ -V a r c t g м

 

~

^ +

^ F U + i { m '

i

2

г2

« .

+

• - ^Г

2

,

2

/"?

и,.

Л = 1 + —

arctg и, +

_

, _

 

 

 

 

12»

Рис. 29. Полуплоскость в переменном электромагнитном поле

 

 

 

 

 

 

Для того чтобы получить вы­

 

 

 

 

 

ражение

для компоненты

напря­

 

 

 

 

 

женности

поля

по

некоторому

 

 

 

 

 

выбранному направлению, состав­

 

 

 

 

 

ляющему угол Р с направлением

 

 

 

 

 

диполя,

необходимо

вычислить

 

 

 

 

 

скалярное

 

произведение

 

#р =

 

 

 

 

 

=

( Я , 7 Э ) .

 

 

выражение

для

 

 

 

 

 

 

В

частности,

 

 

 

 

 

компоненты

 

поля,

параллельной

 

 

 

 

^ д и п о л ю

((3=0),

можно

найти из

 

 

 

 

 

1 ГПОПМУЛЫ

(TV.801. даменит*

R P K -

 

 

 

 

 

'формулы

(IV . 80), заменив век

торные функции А,

В,

С,

Ci соответствующими

скалярными пред­

ставлениями:

 

 

 

 

 

 

У +

 

 

 

 

 

 

 

А=(А,

e 0 ) = c o s 9 — 9о

COS

•2ф),

 

 

 

 

S=(B

С~)— C O

S 2 8 +

C O S ^° ~

^ C

O S

(

F

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

cos •

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

cos (8] + 2ф) cos 8, +

cos (<?0 — ф) cos (у — ф)

 

 

(IV.81)

 

 

 

 

cos

± ± * L

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C={C,

e0 ) = l - 3 c o s 2 8 ,

C i = ( C b

e 0 )=cos2«|» - 3cos(8,+2«j»)cos8 1 .

Для ортогональной моменту диполя компоненты поля будем со­

ответственно иметь

(Р^-ТГ) :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A = s i n X = J P L

• й п ( ^ ± Ю . _ 2 ф ) ,

 

 

 

 

 

^

cos 8 sin 8 4- cos (<р0 — ф) sin (<р — ф)

 

 

 

 

 

 

 

 

COS •

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

cos (8! + 2ф) sin 8] +

cos (tpn — ф) sin (<p •.ф)

 

 

 

 

 

 

 

 

cos •9 +

¥0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C = - 3 c o s o s i n 8 ,

<?! =

—sin2<j> —3cos(8i+2<l>)sin8,.

 

(IV.81')

На

основе (IV.80) — (IV .81')

нетрудно

получить формулы

для

основных частных случаев,

представляющих

 

интерес

в

наземных

модификациях дипольного индуктивного

профилирования:

1)

вер-

124

тикальный диполь — вертикальная

составляющая

(установка

Z — Z) — в формулах (IV . 80), (IV.81)

я

вертикальный ди-

б = — - ; 2)

поль — горизонтальная составляющая

(установка

Z — X) — в фор-

мулах (IV . 80) — (IV . 81')

б = —

прямая установка,

б ——

обратная установка; 3)

горизонтальный диполь — горизонтальная

составляющая (установка X — X)—в

формулах (IV.80), (IV.81)

б = 0 . Выражения для

вертикальной

составляющей горизонталь­

ного диполя могут быть получены на основе принципа взаимности для второго случая. При вычислении поля с помощью выражений (IV . 80), (IV.81) полезно иметь в виду следующие соотношения:

 

 

 

S l

n 8 =

_ 1

 

1

1

 

Ь—! 11.

 

 

 

 

~

2в sin » sin

ф +

г cos

(5

+ 2ф)

г1

.

 

.

 

/* г i\

COS

 

c p 0

 

8]

i

 

 

 

 

т

^ P o sin

= p sin

9 — r sin

(8-4-ф);

 

 

 

po COS c p 0

= p COS cp —г

cos

( 8 +

<!>).

 

 

 

В

развернутом

виде

некоторые

из этих выражений

содержатся

в работах

[41, 60].

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вертикальная полуплоскость

в поле

вертикального

 

 

 

и горизонтального

диполей

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Графики поля для этих случаев приведены на рис. 30 и 31. Для понимания основных закономерностей, характеризующих эти гра­ фики, целесообразно проанализировать некоторые предельные вы­ ражения. При h/r-^0 формулы (IV.80) — ( I V . 8 T ) дают различные результаты в зависимости от того, что устремится в бесконечность: возбудитель или приемник поля или тот и другой одновременно.

Соответственно будем иметь:

возбудитель

 

в

бесконечности

^ r ~ p 0 ~ . / ? o ~ ' ' i ° ° >

Ф" - ^"^ - ) —

^

~

 

1

-

Я

 

_^Я°~7^УТ~sin-i-KEoT?,

(IV.82)

h

2

X

=

% -

^ - -

p

i -

Y\ cos - f

T/Ho7?;

 

приемник

в

 

бесконечности

^ r~p~R0~ri-y

со,

ф - > — —

л „

-

1

» -

7 Г 7

Упг

s i n - f -

-

< I V - 8 2 ' >

 

 

 

Ь'^у^Упт

 

 

s i n - y - V c o s

?0 ;

 

125

возбудитель и приемник в бесконечности —

 

 

А г г _ 1 л ?

_ _ ^ _ - 1 - « - 0 , 6

/1гхъ-±-я*-0,3.

 

(IV.82")

Из этих формул следует, что при относительно больших разме­

рах установки

величина

аномалии

вертикальной

составляющей

поля изменяется обратно

пропорционально У h. При

приближении

кромки полуплоскости к линии профиля аномалия,

строго

говоря,

должна стремиться к бесконечности.

В действительности

этого не

наблюдается в силу отличия идеализированных условий рассмат­ риваемой задачи от реальных условий измерения поля.

Рис. 30. Графики Нгг и Hzx вертикального диполя над вертикальной полуплоскостью

Шифр кривых — Л/г

126

Рис. 31. Графики Нхх горизонтального диполя над вертикальной полуплоскостью

Шифр кривых — Л/г

Интересно сопоставить полученные предельные формулы с фор­ мулами дифракции плоской волны на идеально проводящей полу­ плоскости.

На основе работы [75], воспользовавшись известным разложе­

нием в ряд интеграла Френеля

[19], выпишем в принятой нами си­

стеме

координат значение поля

для случая, когда вектор Е парал­

лелен

кромке полуплоскости {Е=ЕУ),

а вектор ориентирован

вдоль

оси Oz (волна распространяется

вдоль отрицательного напра­

вления оси Ох):

Сопоставление этих формул с (IV.82) показывает, что, как и следо­ вало ожидать, вид графиков поля и их зависимость от глубины рас­ положения кромки полуплоскости под линией профиля для обоих рассмотренных случаев совпадают. Дополнительная зависимость поля от волнового числа k в формулах (IV.83) отражает специфику связей между £ и Я в плоской волне. Они описывают распределение поля над идеально проводящей полуплоскостью для случая весьма удаленных возбудителей любого вида при заданной ориентировке их нормального поля относительно проводящего объекта.

127

При -^-->-оо на основе (IV . 80) — ( I V . 8 T ) получим (ф=<ро^ - 0,

р = р0 ^/г->- сю):

,

— 1 ~ -g^T

г 3

c o s 3 f

Г

sin 2у

[

sin3

9

" г 2

• - р -

s l n 3 ?

[?

2

I

з

 

 

X

( 1 + 3

COS ср —^6 COS2

ср) j ,

 

 

 

А « = ~~ i P ~ s i n * c o s 3 * 0 — 2 c o s (IV.84)

Из этих формул следует, что аномалии вертикальной и горизон­ тальной составляющих поля от проводящей полуплоскости убы­ вают при больших значениях hjr обратно пропорционально h3/r3. В точке, соответствующей симметричному расположению возбуди­ теля и приемника относительно полуплоскости, убывание поля про-

 

г5

 

 

 

г4

 

В

результате

исходит быстрее (как — г - для ha

и как —— для hzx).

 

п"

 

 

 

гг

 

 

 

 

график hzz стремится к двугорбой

кривой с двумя положительными

экстремумами,

а график

hzx

к кривой, характеризующейся пере­

ходом от положительного

экстремума к отрицательному

[60]. Если

поле возбуждается горизонтальным диполем, то при Л/r - voo

будем

иметь:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

возбудитель в бесконечности —

 

 

 

 

 

h x x - 2 = - % —

2 ^ ^

-

Y - T

C 0 S 1

T V ^

" -

2 ;

(IV . 85)

приемник в бесконечности —

 

 

 

 

 

 

hxx-2=-^§—2^-^-YlT

 

 

e o s ^ l / c b i 7 o - 2 ;

(IV . 85')

возбудитель и приемник в бесконечности —

 

 

 

 

hxx

- 2 = % -

_ 2 « - 4 - +

^ _ «

_ о , 4 3 .

 

(IV . 85")

Формулы для удаленного в бесконечность возбуждающего го­ ризонтального диполя аналогичны формулам, описывающим поле вертикально падающей плоской волны с ориентировкой векторов

УХ):

 

Ьхх=Ц$г=

V~£k

" y j

c o s

" Т ^ c o s ? '

(IV.86)

HrZ

l / 2/

1

.

9 ч/

 

128

При малой глубине расположения полуплоскости график hXx

характеризуется наличием двух бесконечно растущих как~|/-^- мак­ симумов при ср = 0 и фо = 0. Когда глубина расположения полупло­ скости становится сравнимой с разносом установки (h/r^l), форма графика hxx изменяется: над кромкой полуплоскости остается оди­ ночный отрицательный экстремум.

h

При —^3=4 графики поля приближаются к предельному, кото­ рый описывается формулой

и

_ 9

Нхх

о

cos3y

_£f_

Г1

i

3_

у — sin у cos у

»хх

^—

я о

^ — 6 л

Л з

|/

I

2

Sin3<f

 

 

 

 

- | - c o s 2 ^ - — | - s i n 2 < p ] .

 

(IV.87)

 

h

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При ->- оо экстремальное значение поля

(когда ф = 0 )

 

А « = ^ - 2 « - ^ - ^ » - 0 . 2 6

5 - £ - .

(IV.87')

Горизонтальная полуплоскость в поле вертикального

 

и горизонтального диполей

 

 

 

 

 

 

Соответствующие

 

графики

приведены

на рис. 32—34. При

 

все

кривые

выходят на

горизонтальную

асимптоту,

Рис. 32. Графики Hzl вертикального диполя над горизонтальной полуплоскостью

Шифр кривых — Л/г

9 Заказ № 271

129

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ