![](/user_photo/_userpic.png)
книги из ГПНТБ / Лодиз, Р. Рост монокристаллов
.pdf60 |
Р . Л О Д И З . Р О С Т М О Н О К Р И С Т А Л Л О В |
симметрией по сравнению с низкотемпературной, тогда как пре вращению низкотемпературной формы в высокотемпературную соответствует по принципу Ле-Шателье положительная произ водная dpfdT (например, а-кварц/р-кварц, а-кристобалит/^-кри- стобалит). Поскольку
^ = — |
(2 14) |
удивление может вызвать то, почему изменение AS может быть положительной величиной, когда высокотемпературная форма имеет более высокую симметрию. Это объясняется тем, что приращение AS состоит из двух слагаемых: конфигурационной энтропии ASC (хаотичность), которая отрицательна для данного процесса, потому что в высокосимметричной форме упорядоче ние больше, и колебательной энтропии AS„, которая имеет по ложительное значение, потому что в данном процессе возра стают объем тела, а с ним и амплитуда колебаний атомов около их равновесных положений в решетке. Суммарный эффект при превращениях, аналогичных переходу а-кварца в р-кварц, де лает AS положительной величиной.
Большое влияние на структуру сплавов часто оказывают по лиморфные превращения, протекающие в таких многокомпо нентных системах в процессе охлаждения. Важным примером может служить хорошо известное мартенситное превращение. Твердость закаленной стали обусловлена полиморфным превра щением аустенита в мартенсит. Мартенсит представляет собой не равновесную, а только кратковременную промежуточную фа зу, образующуюся раньше таких низкотемпературных равновес ных фаз, как перлит. Перлит, однако, не представляет собой полиморфную модификацию мартенсита, так что мартенситные структуры способны сохраняться даже в метастабильных усло виях. Мартенситоподобные превращения встречаются во многих других сплавах.
2.4.РАВНОВЕСИЕ М Е Ж Д У Т В Е Р Д О Й ФАЗОЙ
ИЖ И Д К О С Т Ь Ю В О Д Н О К О М П О Н Е Н Т Н О Й СИСТЕМЕ
При росте по реакциям жидкость — твердая фаза важной характеристикой равновесия фаз является зависимость темпера туры плавления от давления. При плавлении производная dp/dT есть положительная величина при положительном значе нии AV и отрицательная при отрицательном значении AV. Для процесса плавления AS есть величина положительная, и, как сле дует из равенства (2.2), теплота плавления АН также положи тельна. Таким образом, плавление представляет собой эндотер мический процесс.
2. Р А В Н О В Е С И Е П Р И Р О С Т Е К Р И С Т А Л Л О В |
61 |
При равновесии AG = 0; поэтому из уравнения |
(2.2) полу |
чаем |
|
^равп = = д <j 1 |
(2.15) |
где Гравн — температура плавления. Поскольку как АН, так и А5 суть однозначные функции температуры, при постоянном давле нии есть только одна температура плавления, при которой бу дет удовлетворяться уравнение (2.15); следовательно, темпера тура плавления (или равновесная температура для любого
другого |
фазового перехода первого |
рода 1 ) |
будет |
строго |
опреде |
|||||
ленной величиной для любого данного давления. |
|
|
|
|||||||
Если |
из |
1 грамм-атома |
вещества |
его доля |
а |
существует |
||||
в виде |
фазы |
1, а остальная |
доля (1 — а) — в виде |
фазы 2, то |
||||||
|
|
G = |
aG, + (1 — a)G2 . |
|
|
|
(2.16) |
|||
Общая свободная энергия G достигнет максимального значения |
||||||||||
при a = |
1, если Gx > G2 |
(Gi и G2 суть удельные свободные энер |
||||||||
гии фаз 1 и 2), и при a = |
0, если Gt |
< |
G2 . Энергия О не зависит |
|||||||
от доли |
а, если G\ = G2 |
(это другой |
способ выражения |
того хо |
||||||
рошо известного факта, |
что |
равновесие |
не зависит |
от |
количе |
ства двух присутствующих фаз). Изложенное выше справедливо для всех фазовых переходов первого рода. В случае равновесия между твердой фазой и жидкостью это означает сохранение по
стоянной температуры плавления все время, |
пока существуют |
обе фазы. |
|
Нельзя твердую поверхность нагреть до |
температур выше |
температуры плавления вещества {перегрев) |
без расплавления, |
но сравнительно легко довести чистую жидкость без затвердева ния до температур гораздо ниже температуры затвердевания (переохлаждение). Однако при наличии затравки уже очень незначительное переохлаждение вызывает рост. В действитель ности к переохлаждению и прибегают при выращивании кристал
лов. Об экспериментальном |
определении |
температур |
плавления |
|
говорится в монографии [5]. |
|
|
|
|
1 ) Фазовый |
переход первого |
рода — это |
переход, сопровождающийся |
|
скачкообразным |
изменением свободной энергии |
в зависимости |
от Т или р |
при температуре или давлении такого превращения. Это означает, что при
наличии скачкообразного изменения |
термодинамических функций (&G/6T) р — |
|||||
= —5, |
(6G/&p)r |
= V |
или 6(0/7")/6(1/Г) |
= Н фазовый переход будет |
пере |
|
ходом |
первого |
рода. |
Обычно при |
таких |
фазовых переходах первого |
рода, |
как плавление, испарение и обратимые полиморфные превращения, термо динамические функции S, V и Н претерпевают скачкообразное изменение при температуре перехода. Фазовому превращению отвечают изменения эн тропии и объема и теплота перехода. Если при переходе скачкообразно ме няются вторые производные свободной энергии, то такой переход относят к переходам второго рода. Примером может служить переход из парамагнит ного состояния в ферромагнитное.
62 Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ
2.5. К О Э Ф Ф И Ц И Е Н Т Р А С П Р Е Д Е Л Е Н И Я
Еще одной важной стороной равновесности при выращивании кристаллов по механизму жидкость — твердая фаза является растворимость следовых количеств примесей или активаторов в
твердой фазе. В данном |
разделе речь пойдет о важной |
количе |
||
ственной |
характеристике, |
каковой служит коэффициент |
распре |
|
деления, |
или коэффициент |
разделения. |
Как уже отмечалось, в |
процессе роста в идеальной однокомпонентной системе не может быть ни примесей, ни активаторов. Не исключено, что вопрос о
коэффициенте |
распределения нам следовало бы отложить до |
тех пор, пока |
речь не зайдет о росте в многокомпонентных систе |
мах. Но при значительном содержании других компонентов в системе ростовые проблемы предстают в совершенно ином свете, чем при наличии в ней только следовых количеств примесей. Поэтому «следовую» ситуацию целесообразно рассмотреть как составную часть однокомпонентного роста. Не ясно, где проходит граница между одно- и многокомпонентным ростом по концен
трации второго компонента. Но ясно, что рост из |
раствора, |
когда кристалл является растворимым веществом, а |
мольная |
доля растворителя выше мольной доли растворенного вещества, относится к выращиванию из многокомпонентной системы. Д а ж е понятия растворитель и растворенное вещество часто употреб ляются совершенно произвольно, причем более легкоплавкий ма териал обычно считается растворителем. Мы же станем посту пать логичнее, считая растворимым веществом тот материал, мольное содержание которого в системе меньше. Во многих слу
чаях это будет устойчивая твердая фаза. Если отвлечься от |
кон |
||
центрационного |
переохлаждения |
'), то концентрацию других |
ком |
понентов в такой системе можно будет полагать достаточно ма лой и позволяющей считать ее однокомпонентной.
При подобных обстоятельствах можно полагать, что раство римость присутствующего в следовом количестве второго компо нента в твердой фазе дается уравнением
к о ^ ^ 1 Ы 1 |
( 2 Л 7 ) |
а1 (равн)
где k0 — коэффициент равновесного распределения, или коэффи циент разделения, для данного материала (второго компонента), Я;(раш1) — его равновесная активность в жидкой фазе и as(paBH) — его равновесная активность в твердой фазе. Таким образом, k0 есть не что иное, как константа разделения при селективной экстракции или константа обыкновенного равновесия, когда речь
') Концентрационное переохлаждение рассматривается в разд. 3.12 на-, стоящей книги.
2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ |
63 |
идет о таком равновесии:
вещество в растворе в жидком состоянии (щ) 4=^
4=* вещество в растворе в твердом состоянии (as). (2.18)
Разбавленные растворы достаточно близки к идеальным, что позволяет определить kQ в виде
k0=^2S«±, |
(2.19) |
W (равн) |
|
где С8 ( Р авн) и QpaBH) — равновесные концентрации, |
т. е. концен |
трации на границе раздела твердая фаза/жидкость1 ). Коэффи циент распределения k0 можно определить также через соответ
ствующие мольные доли ^ s ( p a B H ) и Х1№&ъву Чтобы величина kQ при няла равновесное значение, необходимо, чтобы не было ни роста
кристалла, ни его растворения. Обычно при малых скоростях ро |
|||||
ста k0 |
/гЭ фф, где &Эфф — эффективный коэффициент |
распределе |
|||
ния, выражаемый в виде |
|
|
|
|
|
|
кэфФ |
= ^ |
^ . |
|
(2.20) |
|
|
W (ист) |
|
|
|
Здесь |
CS(HCT) и С((И С т) суть истинные концентрации |
в двух фазах. |
|||
С;( и ст) |
есть концентрация в объеме жидкой фазы |
на достаточ |
|||
ном удалении от растущей |
поверхности кристалла, где можно |
||||
') |
Здесь предполагается, что |
при |
низких скоростях, когда |
концентрация |
в объеме жидкой фазы равна концентрации у растущей грани, состояние системы лучше всего описывается посредством равновесной константы рас пределения k0. Этой константой можно пользоваться и при более высоких скоростях, когда концентрация в объеме жидкой фазы уже не равна кон центрации на границе раздела фаз, если только в определении (2.19) кон центрацию С^равп) заменить истинной концентрацией в жидкой фазе у фрон та кристаллизации, обозначаемой через С/(и с т .ф к ) .
Трудность заключается в том, что данных о С ; ( и с т . ф ] к ^почти никогда не имеется. К тому же адсорбция и хемосорбция примесей на растущей поверх ности кристалла создают дополнительные трудности. Например, считают, что несколько неодинаковый «захват» примесей различными гранями даже при низких скоростях обусловлен разной концентрацией адсорбированных при месей на этих гранях. Холл [6] предположил, что кристалл растет в резуль тате быстрого распространения моноатомных слоев, захватывающих атомы адсорбированной примеси, которым неизбежно приходится диффундировать обратно к новой поверхности раздела. Согласно этой точке зрения, для до стижения истинного равновесия требуются столь низкие скорости, чтобы диффузия в твердой фазе успевала выравнивать в ней концентрационные градиенты. Чернов [7] провел более строгий анализ движения ступени и за хвата примеси, рассмотрев диффузию захваченной примеси через новый слой как в жидкость, так и в твердую фазу. Каррузерс [8], учтя синусоидальные колебания скорости роста и явления адсорбции, предложил модель, объяс няющую полосчатое распределение фосфора в кристаллах кремния, выращен ных по методу Чохральского.
64 Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ
пренебречь концентрационными градиентами. Коэффициент &Э фф зависит от скорости роста, коэффициента диффузии данного мате
риала в расплаве и ширины диффузионного слоя. Если |
k0 > 1, |
то С8(Равн) > Сг(равн), так что концентрация примеси или |
актива |
тора близко к растущему кристаллу бывает меньше. Таким об разом, общая масса расплава или раствора будет богаче при месью или активатором, чем примыкающая к растущему кри
сталлу область. |
В этих условиях |
примесь |
или активатор станет |
|
диффундировать |
к кристаллу. И |
наоборот, |
если k0<Cl, |
примесь |
или активатор будет диффундировать от растущего кристалла. Для идеальных или почти идеальных растворов уравнение (2.19) будет справедливо даже тогда, когда в растворе существуют кон центрационные градиенты; в этом случае С;( р а в Н ) в уравнении (2.19) надо заменить концентрацией непосредственно перед фронтом роста. Поскольку концентрацию вблизи растущего кри
сталла определить трудно, часто удобнее пользоваться |
уравне |
|||
нием (2.20). Надо подчеркнуть, что |
£ Э ф ф —* h, |
когда |
Сг(ист)—>• |
|
—•Сгфавн) (потому что в большинстве |
случаев |
C S |
( I I C T ) ~ |
Сз(равн)), |
т. е. когда концентрация в объеме жидкости равна |
концентрации |
|||
в жидкости у поверхности раздела. Толщина |
|
диффузионного |
||
слоя зависит от вязкости расплава и |
скорости |
перемешивания; |
следовательно, и /гЭфф будет зависеть от скорости перемешивания (речь об этом еще пойдет в гл. 3). Скорость кристаллизации за висит еще и от кристаллографического направления, если по
верхностная свободная энергия зависит от |
ориентации |
(см. |
|
разд. 3.3). Когда скорость роста ограничивается |
диффузией |
||
(подробнее об этом говорится в разд. 3.3), |
концентрационный |
||
профиль поперек диффузионного слоя и толщина |
последнего |
||
различны для граней, растущих с неодинаковыми |
скоростями. |
||
Таким образом, концентрации С( И С Т-Ф. К) ДЛЯ граней |
разной |
ори |
ентации неодинаковы, а коэффициент &ЭФФ зависит от кристалло графической ориентации1 ). Систему можно считать достаточно близкой к равновесной, а коэффициент 6Э фф равным kQ, если из меренное значение k не зависит от интенсивности перемешива ния, кристаллографического направления и скорости роста. Уди вительно, что именно такая картина наблюдается во многих си стемах даже при довольно больших скоростях кристаллического роста.
Величина k0 может сильно зависеть от концентрации других-" примесей в системе. Примесь или активатор может входить в ре шетку путем замещения или внедрения. В первом случае при месь по ионному или атомному радиусу должна быть близкой
*) Адсорбция тоже способна определенным образом повлиять на зави симость £8 фф от направления.
2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ |
66 |
к замещаемому элементу. Если примесный атом отличается по радиусу от атома решетки не более чем на ± 1 5 % , то замещение протекает довольно легко, а при условии равенства зарядов у за
мещающего атома и атома решетки коэффициент k0 |
часто близок |
к единице. Замещение затрудняется, если заряды |
неодинаковы. |
В работе Нассау и Лойяконо [9] по коэффициентам |
распределе |
ния редкоземельных металлов в CaW04 обсуждаются эффекты, которые, по-видимому, можно считать типичными для ионных решеток. Если Са 2 + замещается двухвалентным положительным катионом, то общая электронейтральность сохраняется. Однако
при атомной концентрации N d 3 + в расплаве 1—2% |
коэффициент |
|
распределения Nd 3 + в CaW04 равен 0,28. |
Соединение, образую |
|
щееся при введении Nd3 + , имеет формулу |
Ca1+_9xl2Nd3x+Ox/2(W04) |
|
где Ф — вакансия Са. Образование вакансий Са |
энергетически |
невыгодно, вследствие чего коэффициент k0 для неодима мал,
хотя |
радиус |
N d 3 + (1,04-10~10 м) близок |
к радиусу |
С а 2 + (0,99 |
X |
|
X Ю~'° м). Коэффициент распределения |
значительно возрастает, |
|||||
если |
заряд |
компенсируется |
не путем образования |
вакансии1 ), |
а |
посредством добавления однозарядного положительного иона.
Если в |
расплав |
ввести |
одновременно |
ионы |
N d 3 + и |
Na+ , |
|||
то |
образующийся |
при |
этом кристалл |
отвечает |
формуле |
||||
Ca(i_2a:)Nda;Nas:W04. В подобных случаях |
при атомной |
концентра |
|||||||
ции |
Ыа+ |
в расплаве 15% |
коэффициент |
k0 |
для |
N d 3 + |
равен |
0,8. |
Как показано на фиг. 2.2, коэффициент k0 для N d 3 + сильно зави сит от радиуса и концентрации компенсирующего катиона с ва лентностью + 1. Легко видеть, что максимальный эффект дости гается в случае наибольшей близости ионных радиусов компен сирующих ионов и Са2 + . Подобным образом коэффициент k0 для Na+ или любого другого одновалентного положительного иона за висит от размера, заряда и концентрации компенсируемого ка тиона, например Nd 3 + . В таких относительно сложных решетках, как CaW04 , компенсации заряда можно добиться различными путями. Например, при активации ионами N d 3 + можно добавлять ионы Nb5 + . В этом случае формулу образующегося при замеще нии кристалла можно записать в виде Ca(i_a:)NdxW(1_x)Nb:x04, по
тому что происходит одновременное замещение ионов W 6 + |
иона |
||
ми Nb 5 + |
и ионов С а 2 + ионами Nd 3 + . Коэффициент распределения |
||
для N d 3 + |
опять будет зависеть от размера, заряда |
и концентра |
|
ции пятивалентных катионов Nb5 + , компенсирующих |
избыточный |
||
заряд N d 3 + замещением ионов W 6 + . Точно так же |
и для |
Nb 5 + |
') Все еще, разумеется, должна существовать конечная концентрация вакансий, которую можно вычислить рассмотренными в гл. 1 методами, но
даже при температуре плавления она |
будет незначительной по сравнению с |
Ф при умеренных концентрациях N d 3 + |
в отсутствие однозарядных катионов. |
2 З а * 718
вб |
Р. Л О Д И З . РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ |
коэффициент k0 будет зависеть от размера, заряда и концентрации ионов, компенсирующих заряд N d 3 + путем замещения ионов Са2 + .
Несколько иная ситуация складывается тогда, когда актива тор или примесь занимает в решетке междоузельные положения. Примером структуры, в которой некоторые ионы могут разме
щаться в междоузлиях, служит а-кварц. В его структуре имеют
ся
|
0,8 |
|
|
|
|
|
+ |
0,7 |
|
|
|
|
|
| |
0,6 |
|
|
|
|
|
« |
0,5 |
|
|
|
|
|
|
0,ч |
|
|
|
|
|
|
0,3 |
|
|
|
|
|
|
02\ |
| |
| |
| |
I |
1 |
|
'О |
5 |
10 |
is |
го |
|
|
Атомная |
концентрация ионов щелочного |
|
металла |
||
|
|
|
в расплаве, |
% |
|
|
Ф и г . 2.2. Коэффициент |
равновесного распределения k0 |
ионов N d 3 + в CaW0 4 |
в зависимости от концентрации компенсирующих ионов щелочных металлов
при атомной концентрации N d 3 + в расплаве |
1—2% |
(цифрами у кривых |
||
указана разница между ионными радиусами С а 2 + |
и компенсирующих ионов) [9]. |
|||
ся параллельные оси с спиральные |
каналы |
диаметром |
около |
|
10~10 м, образованные структурными |
силикатными тетраэдрами. |
|||
Следовательно, ионы L i + , Na+ , M g 2 + |
и С а 2 + |
способны |
сравни |
тельно легко вмещаться в междоузлия решетки. Однако и для всякого междоузельного атома необходима компенсация заряда.
Таким образом, если в решетку кварца |
входит L i + , то формулу |
||
можно представить в виде |
Si( i_K /4 ) и*Ф ж / 4 02, где Ф — вакансия |
||
кремния. |
Следовательно, |
коэффициент |
k0 для L i + (радиусом |
0,68-10~10 |
м) мал. Он больше для Na+ , потому что ионный радиус |
Na+ (0,94-10"10 м) ближе к размеру междоузельных «дыр» в ре*
2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ |
67 |
|
шетке, тогда как для К + коэффициент k0 |
меньше, |
поскольку его |
радиус (1,33-Ю- 1 0 м) плохо согласуется |
с размером пустот. |
В структуру кварца способен входить алюминий, где он заме щает Si 4 + (при определенных условиях ионы алюминия рас полагаются также в междоузлиях). Таким образом, если в растворе, из которого выращивают кварц, присутствуют, напри мер, одновременно ионы А13 + и L i + , то благодаря взаимной ком пенсации заряда коэффициенты k0 для них обоих станут больше. Вопросы о коэффициентах распределения примесей для кварца были рассмотрены Лодизом и др. [10].
В идеальной системе А—В при температурах близких к тем пературе плавления А, коэффициент &0(в), если концентрация активатора или примеси В мала, связан с температурами плав ления компонентов А и В соотношением
(2.21)
где АНВ— мольная теплота растворения В в А. Уравнение (2.21) можно вывести как частный случай уравнения Вант-Гоффа [ура внения (2.32)], если предположить независимость АН от темпе ратуры. Такое предположение справедливо для температур, близких к температуре плавления. В области применимости уравнения (2.21) логарифм коэффициента распределения линей но зависит от величины, обратной абсолютной температуре, так что АН можно вычислить по наклону кривой \gk0 в функции \/Т. С помощью некоторых приближений [11] уравнение (2.21) можно представить в следующей более простой форме:
|
RTl |
|
(2.22) |
AT = |
(l-kQ) д # x t (равн)- |
|
|
Здесь AT есть понижение температуры затвердевания чистого |
|||
вещества, а */(р а вн)—равновесная мольная |
доля растворенного |
||
вещества в жидкой фазе. Уравнение (2.22) предполагает, |
что k0 |
||
не зависит от концентрации |
и температуры; |
в противном |
случае |
можно воспользоваться значением k0, найденным экстраполяцией к бесконечному разбавлению.
Термонд [11] показал, что уравнения (2.21) |
и (2.22), в |
кото |
рых фигурирует коэффициент k0, справедливы |
не только |
в слу |
чае разбавленных идеальных жидких и твердых растворов, но также и в случае, когда раствор неидеален, коэффициент рас пределения мал, а энтальпия и избыток энтропии раствора не зависят от температуры.
Дополнительно коэффициент распределения в неравновесных условиях рассматривается в гл. 3 после обсуждения кинетики роста кристаллов.
68 Р. лодиз. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ
2.6. ДИАГРАММЫ СОСТОЯНИЯ И П Р А В И Л О ФАЗ
Коэффициенты распределения и многие другие фазовые со отношения удобно представлять графически, в виде диаграмм состояния. Разумеется, диаграммы состояния и правило фаз применимы только к системам в состоянии равновесия. В данном разделе рассматриваются общие положения, касающиеся пра вила фаз и диаграмм состояния. Систему называют гомогенной, если все макроскопические части системы имеют одни и те же химические и физические свойства. Примерами могут служить
кристаллическое |
твердое тело, жидкость, газ |
или |
смесь газов. |
|
В гетерогенной |
системе физические свойства |
и состав различны |
||
в разных макроскопических участках. Примеры |
гетерогенных |
|||
систем — твердое |
вещество в равновесии со |
своим |
расплавом, |
|
насыщенный |
раствор в присутствии избытка |
растворенного ве |
щества, две несмешивающиеся жидкости или жидкость в равно весии со своим паром.
Под фазой понимают часть системы, гомогенную на всем своем протяжении и физически отделенную от других фаз чет кими границами. Число компонентов системы — это минимальное число химических составляющих, которое нужно выделить для описания состава всех присутствующих фаз. На фиг. 2.3 показан пример простой диаграммы состояния, или графического изобра жения равновесных соотношений между различными фазами и
определенными |
интенсивными |
переменными, такими, как состав, |
|||||
температура и |
давление. |
Интенсивная |
переменная — это пере |
||||
менная, не зависящая от количества |
присутствующей фазы, тогда |
||||||
как |
экстенсивная |
переменная |
(например, масса) зависит |
от ко |
|||
личества вещества. На диаграмме фиг. 2.1 есть две фазы |
(алмаз |
||||||
и графит), а число компонентов равно |
единице (углерод). Заме |
||||||
тим, |
что вдоль |
линии |
равновесия |
можно менять независимо |
только одну переменную (либо давление, либо температуру) без потери в системе той или иной фазы (незначительное уменьше ние количества фазы не означает потерю фазы). Таким образом, система имеет одну степень свободы. Вдоль линии равновесия систему определяет задание одной переменной. Гиббс вывел ко личественное соотношение, называемое правилом фаз, которое выражает связь между числом степеней свободы в равновесии F, числом компонентов С и числом фаз Р в виде
F = C-P + 2. |
(2.23) |
Это соотношение соблюдается, когда в качестве интенсивных переменных выбраны давление, температура и состав. Если вы браны другие переменные, такие, как магнитное, электрическое или гравитационное поле, то к числу 2 нужно прибавить число вновь введенных переменных.
5. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ |
69 |
О коэффициентах распределения можно судить по полной диаграмме состояния для бинарной системы соответствующих компонентов. Различные фазовые соотношения, которые могут
Жидкость |
|
Жидкость |
Ликвидус |
|
Твердый |
|
раствор |
|
|
|
VАвВ |
Солидус |
Твердый, |
|
|
раствор |
|
Твердыйраствор |
В в А |
Тверда/г фаза А+В |
а |
|
В |
|
|
|
Жидкость |
|
|
жидкость
Твердая фаза А+В
v жидкость 1 / Т,
АВ В
Ф и г . 2.3. Диаграммы состояния двойных систем.
существовать между двумя компонентами А к В, иллюстрируют ся на фиг. 2.3. Кривая ликвидуса на фиг. 2.3, а дает темпера туру, при которой начинается затвердевание расплава, в зависи мости от состава, тогда как кривая солидуса характеризует температуру, при которой начинается в зависимости от состава плавление твердой фазы. Горизонтали /—2 и 3—4 представляют собой линии связи жидкости данного состава с находящейся