Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Лодиз, Р. Рост монокристаллов

.pdf
Скачиваний:
25
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
35.03 Mб
Скачать

60

Р . Л О Д И З . Р О С Т М О Н О К Р И С Т А Л Л О В

симметрией по сравнению с низкотемпературной, тогда как пре­ вращению низкотемпературной формы в высокотемпературную соответствует по принципу Ле-Шателье положительная произ­ водная dpfdT (например, а-кварц/р-кварц, а-кристобалит/^-кри- стобалит). Поскольку

^ = —

(2 14)

удивление может вызвать то, почему изменение AS может быть положительной величиной, когда высокотемпературная форма имеет более высокую симметрию. Это объясняется тем, что приращение AS состоит из двух слагаемых: конфигурационной энтропии ASC (хаотичность), которая отрицательна для данного процесса, потому что в высокосимметричной форме упорядоче­ ние больше, и колебательной энтропии AS„, которая имеет по­ ложительное значение, потому что в данном процессе возра­ стают объем тела, а с ним и амплитуда колебаний атомов около их равновесных положений в решетке. Суммарный эффект при превращениях, аналогичных переходу а-кварца в р-кварц, де­ лает AS положительной величиной.

Большое влияние на структуру сплавов часто оказывают по­ лиморфные превращения, протекающие в таких многокомпо­ нентных системах в процессе охлаждения. Важным примером может служить хорошо известное мартенситное превращение. Твердость закаленной стали обусловлена полиморфным превра­ щением аустенита в мартенсит. Мартенсит представляет собой не равновесную, а только кратковременную промежуточную фа­ зу, образующуюся раньше таких низкотемпературных равновес­ ных фаз, как перлит. Перлит, однако, не представляет собой полиморфную модификацию мартенсита, так что мартенситные структуры способны сохраняться даже в метастабильных усло­ виях. Мартенситоподобные превращения встречаются во многих других сплавах.

2.4.РАВНОВЕСИЕ М Е Ж Д У Т В Е Р Д О Й ФАЗОЙ

ИЖ И Д К О С Т Ь Ю В О Д Н О К О М П О Н Е Н Т Н О Й СИСТЕМЕ

При росте по реакциям жидкость — твердая фаза важной характеристикой равновесия фаз является зависимость темпера­ туры плавления от давления. При плавлении производная dp/dT есть положительная величина при положительном значе­ нии AV и отрицательная при отрицательном значении AV. Для процесса плавления AS есть величина положительная, и, как сле­ дует из равенства (2.2), теплота плавления АН также положи­ тельна. Таким образом, плавление представляет собой эндотер­ мический процесс.

2. Р А В Н О В Е С И Е П Р И Р О С Т Е К Р И С Т А Л Л О В

61

При равновесии AG = 0; поэтому из уравнения

(2.2) полу­

чаем

 

^равп = = д <j 1

(2.15)

где Гравн температура плавления. Поскольку как АН, так и А5 суть однозначные функции температуры, при постоянном давле­ нии есть только одна температура плавления, при которой бу­ дет удовлетворяться уравнение (2.15); следовательно, темпера­ тура плавления (или равновесная температура для любого

другого

фазового перехода первого

рода 1 )

будет

строго

опреде­

ленной величиной для любого данного давления.

 

 

 

Если

из

1 грамм-атома

вещества

его доля

а

существует

в виде

фазы

1, а остальная

доля (1 — а) — в виде

фазы 2, то

 

 

G =

aG, + (1 — a)G2 .

 

 

 

(2.16)

Общая свободная энергия G достигнет максимального значения

при a =

1, если Gx > G2

(Gi и G2 суть удельные свободные энер­

гии фаз 1 и 2), и при a =

0, если Gt

<

G2 . Энергия О не зависит

от доли

а, если G\ = G2

(это другой

способ выражения

того хо­

рошо известного факта,

что

равновесие

не зависит

от

количе­

ства двух присутствующих фаз). Изложенное выше справедливо для всех фазовых переходов первого рода. В случае равновесия между твердой фазой и жидкостью это означает сохранение по­

стоянной температуры плавления все время,

пока существуют

обе фазы.

 

Нельзя твердую поверхность нагреть до

температур выше

температуры плавления вещества {перегрев)

без расплавления,

но сравнительно легко довести чистую жидкость без затвердева­ ния до температур гораздо ниже температуры затвердевания (переохлаждение). Однако при наличии затравки уже очень незначительное переохлаждение вызывает рост. В действитель­ ности к переохлаждению и прибегают при выращивании кристал­

лов. Об экспериментальном

определении

температур

плавления

говорится в монографии [5].

 

 

 

1 ) Фазовый

переход первого

рода — это

переход, сопровождающийся

скачкообразным

изменением свободной энергии

в зависимости

от Т или р

при температуре или давлении такого превращения. Это означает, что при

наличии скачкообразного изменения

термодинамических функций (&G/6T) р

= —5,

(6G/&p)r

= V

или 6(0/7")/6(1/Г)

= Н фазовый переход будет

пере­

ходом

первого

рода.

Обычно при

таких

фазовых переходах первого

рода,

как плавление, испарение и обратимые полиморфные превращения, термо­ динамические функции S, V и Н претерпевают скачкообразное изменение при температуре перехода. Фазовому превращению отвечают изменения эн­ тропии и объема и теплота перехода. Если при переходе скачкообразно ме­ няются вторые производные свободной энергии, то такой переход относят к переходам второго рода. Примером может служить переход из парамагнит­ ного состояния в ферромагнитное.

62 Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

2.5. К О Э Ф Ф И Ц И Е Н Т Р А С П Р Е Д Е Л Е Н И Я

Еще одной важной стороной равновесности при выращивании кристаллов по механизму жидкость — твердая фаза является растворимость следовых количеств примесей или активаторов в

твердой фазе. В данном

разделе речь пойдет о важной

количе­

ственной

характеристике,

каковой служит коэффициент

распре­

деления,

или коэффициент

разделения.

Как уже отмечалось, в

процессе роста в идеальной однокомпонентной системе не может быть ни примесей, ни активаторов. Не исключено, что вопрос о

коэффициенте

распределения нам следовало бы отложить до

тех пор, пока

речь не зайдет о росте в многокомпонентных систе­

мах. Но при значительном содержании других компонентов в системе ростовые проблемы предстают в совершенно ином свете, чем при наличии в ней только следовых количеств примесей. Поэтому «следовую» ситуацию целесообразно рассмотреть как составную часть однокомпонентного роста. Не ясно, где проходит граница между одно- и многокомпонентным ростом по концен­

трации второго компонента. Но ясно, что рост из

раствора,

когда кристалл является растворимым веществом, а

мольная

доля растворителя выше мольной доли растворенного вещества, относится к выращиванию из многокомпонентной системы. Д а ж е понятия растворитель и растворенное вещество часто употреб­ ляются совершенно произвольно, причем более легкоплавкий ма­ териал обычно считается растворителем. Мы же станем посту­ пать логичнее, считая растворимым веществом тот материал, мольное содержание которого в системе меньше. Во многих слу­

чаях это будет устойчивая твердая фаза. Если отвлечься от

кон­

центрационного

переохлаждения

'), то концентрацию других

ком­

понентов в такой системе можно будет полагать достаточно ма­ лой и позволяющей считать ее однокомпонентной.

При подобных обстоятельствах можно полагать, что раство­ римость присутствующего в следовом количестве второго компо­ нента в твердой фазе дается уравнением

к о ^ ^ 1 Ы 1

( 2 Л 7 )

а1 (равн)

где k0 — коэффициент равновесного распределения, или коэффи­ циент разделения, для данного материала (второго компонента), Я;(раш1) — его равновесная активность в жидкой фазе и as(paBH) — его равновесная активность в твердой фазе. Таким образом, k0 есть не что иное, как константа разделения при селективной экстракции или константа обыкновенного равновесия, когда речь

') Концентрационное переохлаждение рассматривается в разд. 3.12 на-, стоящей книги.

2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ

63

идет о таком равновесии:

вещество в растворе в жидком состоянии (щ) 4=^

4=* вещество в растворе в твердом состоянии (as). (2.18)

Разбавленные растворы достаточно близки к идеальным, что позволяет определить kQ в виде

k0=^2S«±,

(2.19)

W (равн)

 

где С8 ( Р авн) и QpaBH) равновесные концентрации,

т. е. концен­

трации на границе раздела твердая фаза/жидкость1 ). Коэффи­ циент распределения k0 можно определить также через соответ­

ствующие мольные доли ^ s ( p a B H ) и Х1№&ъву Чтобы величина kQ при­ няла равновесное значение, необходимо, чтобы не было ни роста

кристалла, ни его растворения. Обычно при малых скоростях ро­

ста k0

Э фф, где &Эфф эффективный коэффициент

распределе­

ния, выражаемый в виде

 

 

 

 

 

кэфФ

= ^

^ .

 

(2.20)

 

 

W (ист)

 

 

Здесь

CS(HCT) и С((И С т) суть истинные концентрации

в двух фазах.

С;( и ст)

есть концентрация в объеме жидкой фазы

на достаточ­

ном удалении от растущей

поверхности кристалла, где можно

')

Здесь предполагается, что

при

низких скоростях, когда

концентрация

в объеме жидкой фазы равна концентрации у растущей грани, состояние системы лучше всего описывается посредством равновесной константы рас­ пределения k0. Этой константой можно пользоваться и при более высоких скоростях, когда концентрация в объеме жидкой фазы уже не равна кон­ центрации на границе раздела фаз, если только в определении (2.19) кон­ центрацию С^равп) заменить истинной концентрацией в жидкой фазе у фрон­ та кристаллизации, обозначаемой через С/(и с т к ) .

Трудность заключается в том, что данных о С ; ( и с т . ф ] к ^почти никогда не имеется. К тому же адсорбция и хемосорбция примесей на растущей поверх­ ности кристалла создают дополнительные трудности. Например, считают, что несколько неодинаковый «захват» примесей различными гранями даже при низких скоростях обусловлен разной концентрацией адсорбированных при­ месей на этих гранях. Холл [6] предположил, что кристалл растет в резуль­ тате быстрого распространения моноатомных слоев, захватывающих атомы адсорбированной примеси, которым неизбежно приходится диффундировать обратно к новой поверхности раздела. Согласно этой точке зрения, для до­ стижения истинного равновесия требуются столь низкие скорости, чтобы диффузия в твердой фазе успевала выравнивать в ней концентрационные градиенты. Чернов [7] провел более строгий анализ движения ступени и за­ хвата примеси, рассмотрев диффузию захваченной примеси через новый слой как в жидкость, так и в твердую фазу. Каррузерс [8], учтя синусоидальные колебания скорости роста и явления адсорбции, предложил модель, объяс­ няющую полосчатое распределение фосфора в кристаллах кремния, выращен­ ных по методу Чохральского.

64 Р. ЛОДИЗ. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

пренебречь концентрационными градиентами. Коэффициент &Э фф зависит от скорости роста, коэффициента диффузии данного мате­

риала в расплаве и ширины диффузионного слоя. Если

k0 > 1,

то С8(Равн) > Сг(равн), так что концентрация примеси или

актива­

тора близко к растущему кристаллу бывает меньше. Таким об­ разом, общая масса расплава или раствора будет богаче при­ месью или активатором, чем примыкающая к растущему кри­

сталлу область.

В этих условиях

примесь

или активатор станет

диффундировать

к кристаллу. И

наоборот,

если k0<Cl,

примесь

или активатор будет диффундировать от растущего кристалла. Для идеальных или почти идеальных растворов уравнение (2.19) будет справедливо даже тогда, когда в растворе существуют кон­ центрационные градиенты; в этом случае С;( р а в Н ) в уравнении (2.19) надо заменить концентрацией непосредственно перед фронтом роста. Поскольку концентрацию вблизи растущего кри­

сталла определить трудно, часто удобнее пользоваться

уравне­

нием (2.20). Надо подчеркнуть, что

£ Э ф ф * h,

когда

Сг(ист)—>•

—•Сгфавн) (потому что в большинстве

случаев

C S

( I I C T ) ~

Сз(равн)),

т. е. когда концентрация в объеме жидкости равна

концентрации

в жидкости у поверхности раздела. Толщина

 

диффузионного

слоя зависит от вязкости расплава и

скорости

перемешивания;

следовательно, и /гЭфф будет зависеть от скорости перемешивания (речь об этом еще пойдет в гл. 3). Скорость кристаллизации за­ висит еще и от кристаллографического направления, если по­

верхностная свободная энергия зависит от

ориентации

(см.

разд. 3.3). Когда скорость роста ограничивается

диффузией

(подробнее об этом говорится в разд. 3.3),

концентрационный

профиль поперек диффузионного слоя и толщина

последнего

различны для граней, растущих с неодинаковыми

скоростями.

Таким образом, концентрации С( И С Т-Ф. К) ДЛЯ граней

разной

ори­

ентации неодинаковы, а коэффициент &ЭФФ зависит от кристалло­ графической ориентации1 ). Систему можно считать достаточно близкой к равновесной, а коэффициент 6Э фф равным kQ, если из­ меренное значение k не зависит от интенсивности перемешива­ ния, кристаллографического направления и скорости роста. Уди­ вительно, что именно такая картина наблюдается во многих си­ стемах даже при довольно больших скоростях кристаллического роста.

Величина k0 может сильно зависеть от концентрации других-" примесей в системе. Примесь или активатор может входить в ре­ шетку путем замещения или внедрения. В первом случае при­ месь по ионному или атомному радиусу должна быть близкой

*) Адсорбция тоже способна определенным образом повлиять на зави­ симость £8 фф от направления.

2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ

66

к замещаемому элементу. Если примесный атом отличается по радиусу от атома решетки не более чем на ± 1 5 % , то замещение протекает довольно легко, а при условии равенства зарядов у за­

мещающего атома и атома решетки коэффициент k0

часто близок

к единице. Замещение затрудняется, если заряды

неодинаковы.

В работе Нассау и Лойяконо [9] по коэффициентам

распределе­

ния редкоземельных металлов в CaW04 обсуждаются эффекты, которые, по-видимому, можно считать типичными для ионных решеток. Если Са 2 + замещается двухвалентным положительным катионом, то общая электронейтральность сохраняется. Однако

при атомной концентрации N d 3 + в расплаве 1—2%

коэффициент

распределения Nd 3 + в CaW04 равен 0,28.

Соединение, образую­

щееся при введении Nd3 + , имеет формулу

Ca1+_9xl2Nd3x+Ox/2(W04)

где Ф вакансия Са. Образование вакансий Са

энергетически

невыгодно, вследствие чего коэффициент k0 для неодима мал,

хотя

радиус

N d 3 + (1,04-10~10 м) близок

к радиусу

С а 2 + (0,99

X

X Ю~'° м). Коэффициент распределения

значительно возрастает,

если

заряд

компенсируется

не путем образования

вакансии1 ),

а

посредством добавления однозарядного положительного иона.

Если в

расплав

ввести

одновременно

ионы

N d 3 + и

Na+ ,

то

образующийся

при

этом кристалл

отвечает

формуле

Ca(i_2a:)Nda;Nas:W04. В подобных случаях

при атомной

концентра­

ции

Ыа+

в расплаве 15%

коэффициент

k0

для

N d 3 +

равен

0,8.

Как показано на фиг. 2.2, коэффициент k0 для N d 3 + сильно зави­ сит от радиуса и концентрации компенсирующего катиона с ва­ лентностью + 1. Легко видеть, что максимальный эффект дости­ гается в случае наибольшей близости ионных радиусов компен­ сирующих ионов и Са2 + . Подобным образом коэффициент k0 для Na+ или любого другого одновалентного положительного иона за­ висит от размера, заряда и концентрации компенсируемого ка­ тиона, например Nd 3 + . В таких относительно сложных решетках, как CaW04 , компенсации заряда можно добиться различными путями. Например, при активации ионами N d 3 + можно добавлять ионы Nb5 + . В этом случае формулу образующегося при замеще­ нии кристалла можно записать в виде Ca(i_a:)NdxW(1_x)Nb:x04, по­

тому что происходит одновременное замещение ионов W 6 +

иона­

ми Nb 5 +

и ионов С а 2 + ионами Nd 3 + . Коэффициент распределения

для N d 3 +

опять будет зависеть от размера, заряда

и концентра­

ции пятивалентных катионов Nb5 + , компенсирующих

избыточный

заряд N d 3 + замещением ионов W 6 + . Точно так же

и для

Nb 5 +

') Все еще, разумеется, должна существовать конечная концентрация вакансий, которую можно вычислить рассмотренными в гл. 1 методами, но

даже при температуре плавления она

будет незначительной по сравнению с

Ф при умеренных концентрациях N d 3 +

в отсутствие однозарядных катионов.

2 З а * 718

вб

Р. Л О Д И З . РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

коэффициент k0 будет зависеть от размера, заряда и концентрации ионов, компенсирующих заряд N d 3 + путем замещения ионов Са2 + .

Несколько иная ситуация складывается тогда, когда актива­ тор или примесь занимает в решетке междоузельные положения. Примером структуры, в которой некоторые ионы могут разме­

щаться в междоузлиях, служит а-кварц. В его структуре имеют­

ся

 

0,8

 

 

 

 

 

+

0,7

 

 

 

 

 

|

0,6

 

 

 

 

 

«

0,5

 

 

 

 

 

 

0,ч

 

 

 

 

 

 

0,3

 

 

 

 

 

 

02\

|

|

|

I

1

 

5

10

is

го

 

Атомная

концентрация ионов щелочного

 

металла

 

 

 

в расплаве,

%

 

 

Ф и г . 2.2. Коэффициент

равновесного распределения k0

ионов N d 3 + в CaW0 4

в зависимости от концентрации компенсирующих ионов щелочных металлов

при атомной концентрации N d 3 + в расплаве

1—2%

(цифрами у кривых

указана разница между ионными радиусами С а 2 +

и компенсирующих ионов) [9].

ся параллельные оси с спиральные

каналы

диаметром

около

10~10 м, образованные структурными

силикатными тетраэдрами.

Следовательно, ионы L i + , Na+ , M g 2 +

и С а 2 +

способны

сравни­

тельно легко вмещаться в междоузлия решетки. Однако и для всякого междоузельного атома необходима компенсация заряда.

Таким образом, если в решетку кварца

входит L i + , то формулу

можно представить в виде

Si( i_K /4 ) и*Ф ж / 4 02, где Ф вакансия

кремния.

Следовательно,

коэффициент

k0 для L i + (радиусом

0,68-10~10

м) мал. Он больше для Na+ , потому что ионный радиус

Na+ (0,94-10"10 м) ближе к размеру междоузельных «дыр» в ре*

2. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ

67

шетке, тогда как для К + коэффициент k0

меньше,

поскольку его

радиус (1,33-Ю- 1 0 м) плохо согласуется

с размером пустот.

В структуру кварца способен входить алюминий, где он заме­ щает Si 4 + (при определенных условиях ионы алюминия рас­ полагаются также в междоузлиях). Таким образом, если в растворе, из которого выращивают кварц, присутствуют, напри­ мер, одновременно ионы А13 + и L i + , то благодаря взаимной ком­ пенсации заряда коэффициенты k0 для них обоих станут больше. Вопросы о коэффициентах распределения примесей для кварца были рассмотрены Лодизом и др. [10].

В идеальной системе АВ при температурах близких к тем­ пературе плавления А, коэффициент &0(в), если концентрация активатора или примеси В мала, связан с температурами плав­ ления компонентов А и В соотношением

(2.21)

где АНВ— мольная теплота растворения В в А. Уравнение (2.21) можно вывести как частный случай уравнения Вант-Гоффа [ура­ внения (2.32)], если предположить независимость АН от темпе­ ратуры. Такое предположение справедливо для температур, близких к температуре плавления. В области применимости уравнения (2.21) логарифм коэффициента распределения линей­ но зависит от величины, обратной абсолютной температуре, так что АН можно вычислить по наклону кривой \gk0 в функции \/Т. С помощью некоторых приближений [11] уравнение (2.21) можно представить в следующей более простой форме:

 

RTl

 

(2.22)

AT =

(l-kQ) д # x t (равн)-

 

Здесь AT есть понижение температуры затвердевания чистого

вещества, а */(р а вн)равновесная мольная

доля растворенного

вещества в жидкой фазе. Уравнение (2.22) предполагает,

что k0

не зависит от концентрации

и температуры;

в противном

случае

можно воспользоваться значением k0, найденным экстраполяцией к бесконечному разбавлению.

Термонд [11] показал, что уравнения (2.21)

и (2.22), в

кото­

рых фигурирует коэффициент k0, справедливы

не только

в слу­

чае разбавленных идеальных жидких и твердых растворов, но также и в случае, когда раствор неидеален, коэффициент рас­ пределения мал, а энтальпия и избыток энтропии раствора не зависят от температуры.

Дополнительно коэффициент распределения в неравновесных условиях рассматривается в гл. 3 после обсуждения кинетики роста кристаллов.

68 Р. лодиз. РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ

2.6. ДИАГРАММЫ СОСТОЯНИЯ И П Р А В И Л О ФАЗ

Коэффициенты распределения и многие другие фазовые со­ отношения удобно представлять графически, в виде диаграмм состояния. Разумеется, диаграммы состояния и правило фаз применимы только к системам в состоянии равновесия. В данном разделе рассматриваются общие положения, касающиеся пра­ вила фаз и диаграмм состояния. Систему называют гомогенной, если все макроскопические части системы имеют одни и те же химические и физические свойства. Примерами могут служить

кристаллическое

твердое тело, жидкость, газ

или

смесь газов.

В гетерогенной

системе физические свойства

и состав различны

в разных макроскопических участках. Примеры

гетерогенных

систем — твердое

вещество в равновесии со

своим

расплавом,

насыщенный

раствор в присутствии избытка

растворенного ве­

щества, две несмешивающиеся жидкости или жидкость в равно­ весии со своим паром.

Под фазой понимают часть системы, гомогенную на всем своем протяжении и физически отделенную от других фаз чет­ кими границами. Число компонентов системы — это минимальное число химических составляющих, которое нужно выделить для описания состава всех присутствующих фаз. На фиг. 2.3 показан пример простой диаграммы состояния, или графического изобра­ жения равновесных соотношений между различными фазами и

определенными

интенсивными

переменными, такими, как состав,

температура и

давление.

Интенсивная

переменная — это пере­

менная, не зависящая от количества

присутствующей фазы, тогда

как

экстенсивная

переменная

(например, масса) зависит

от ко­

личества вещества. На диаграмме фиг. 2.1 есть две фазы

(алмаз

и графит), а число компонентов равно

единице (углерод). Заме­

тим,

что вдоль

линии

равновесия

можно менять независимо

только одну переменную (либо давление, либо температуру) без потери в системе той или иной фазы (незначительное уменьше­ ние количества фазы не означает потерю фазы). Таким образом, система имеет одну степень свободы. Вдоль линии равновесия систему определяет задание одной переменной. Гиббс вывел ко­ личественное соотношение, называемое правилом фаз, которое выражает связь между числом степеней свободы в равновесии F, числом компонентов С и числом фаз Р в виде

F = C-P + 2.

(2.23)

Это соотношение соблюдается, когда в качестве интенсивных переменных выбраны давление, температура и состав. Если вы­ браны другие переменные, такие, как магнитное, электрическое или гравитационное поле, то к числу 2 нужно прибавить число вновь введенных переменных.

5. РАВНОВЕСИЕ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ

69

О коэффициентах распределения можно судить по полной диаграмме состояния для бинарной системы соответствующих компонентов. Различные фазовые соотношения, которые могут

Жидкость

 

Жидкость

Ликвидус

 

Твердый

 

раствор

 

 

VАвВ

Солидус

Твердый,

 

 

раствор

 

Твердыйраствор

В в А

Тверда/г фаза А+В

а

 

В

 

 

Жидкость

 

 

жидкость

Твердая фаза А+В

v жидкость 1 / Т,

АВ В

Ф и г . 2.3. Диаграммы состояния двойных систем.

существовать между двумя компонентами А к В, иллюстрируют­ ся на фиг. 2.3. Кривая ликвидуса на фиг. 2.3, а дает темпера­ туру, при которой начинается затвердевание расплава, в зависи­ мости от состава, тогда как кривая солидуса характеризует температуру, при которой начинается в зависимости от состава плавление твердой фазы. Горизонтали /—2 и 34 представляют собой линии связи жидкости данного состава с находящейся

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ