книги из ГПНТБ / Малкин, О. А. Импульсный ток и релаксация в газе
.pdf[15, 1ЗЗ— 137]. В качестве элементарных процессов возбуж дения и ионизации были взяты иеупругпе столкновения электронов с атомами; свободно связанные периоды из кон тинуума считали осуществляющимися в результате трехча стичной и излучательной рекомбинаций; дезактивацию—ту шащими соударениями и излучением. Было учтено поведе ние заселенностей шестнадцати возбужденных уровнен водо рода. Результаты расчета сведены в таблицы, где для каж дой пары значений концентрации и температуры электронов рассчитаны «обобщенные» коэффициенты трехчастичной рекомбинации а р и ионизации ß„. Смысл понятия «обоб щенные» состоит в учете участия промежуточных энергети ческих уровней в ионизации н рекомбинации, начиная от основного состояния. Таким образом, уравнение кинетики заселенности континуума свободных электронов для ато мов водорода имеет вид:
|
dnjdt = ß„ п]_ие— сбр tie nt. |
(5.12) |
Здесь |
— заселенность основного состояния |
водорода. |
Легко видеть, что для описания кинетики ионизацион ной релаксации при помощи уравнения (5.12) необходимы сведения не только о временных зависимостях пе и Тс, но и заселенности основного состояния пѵ Следовательно, применение результатов расчета Бейтса и др. для описания релаксации даже простейшего газа — водорода практиче ски невозможно. 1\. IT. Ульянов [142, 144J рассмотрел сис тему уравнений баланса частиц н энергий, из которой при использовании упрощенной схемы энергетических уровней (приближение «блока» уровней см. [9, 142—144]), можно получить выражения для связи концентрации электронов с их температурой. Измеряя на опыте одни из этих пара метров, можно рассчитать временной ход другого и опреде лить коэффициенты рекомбинации и ионизации. Однако, как уже указывалось, модель блоков уровней, основанная на превалирующей роли элементарных столкновительных процессов с участием электронов, не универсальна. Часто, особенно в слабоионизованной плазме, основную роль иг рают процессы с участием тяжелых частиц, а также молеку лярных ионов, например диссоциативная рекомбинация.
Недавно Л. М. Биберман, В. С. Воробьев и И. Т. Якубов [279—281] разработали теорию ионизационной релаксации низкотемпературной плазмы на основе применения мо дифицированного диффузионного приближения, ранее использованного для описания стационарного состояния
208
плазмы [149— 151]. Модифицированное диффузионное при ближение, как уже было указано выше, представляет собой метод рассмотрения процессов возбуждения, ионизации н рекомбинации как диффузию связанных электронов в дис кретном пространстве энергий. Тем самым учитывают дис кретную структуру схемы термов (энергетических уров ней) атома. В результате применения этого метода к явлени ям ионизации it рекомбинации с учетом как столкновительных, так и радиационных процессов, получены следующие общие выражения для коэффициентов ступенчатой иони зации и рекомбинации [281]:
|
|
Рст = ('«««Sn, |
V s ,) - ! |
|
|
(5.13) |
|
|
^ |
к> 1 |
|
|
|
ССст := [ Н - |
V |
аи ,(ne°)25 J \ne(n lf |
v |
S K] - \ |
(5.14) |
|
1 |
к> 1 |
i L |
к> I |
J |
|
|
где |
|
|
|
|
|
|
3 г 1 = zl2Fx«Ш і; |
|
|
/ijn«. |
(5.15) |
||
Здесь |
|
П fl "Г (a^_j_ 1iti/Zn, |
|
|
|
|
п к = |
1Hn-(- l)] |
(5.16) |
фактор, учнтывающий влияние выхода излучения в спектральных линиях на заселенность (к + 1) энергетического уровня; /г“, /;“ — равновесные заселенности к-то уровня и континуума свободных электронов — их рассчитывают по уравнению Саха с температурой электронов; zKtK+\ — часто та неупругих столкновителы-іых процессов, рассчитывае мая по формулам, усредненным по максвелловскому рас пределению энергий электронов для резонансного перехода:
4 }'Г 2л е'рпа Л 1 |
rC Cp |
2 |
(5.17) |
(о I — (у |
|||
ZJ O уі^ігге(й’і-ау exp |
kTe |
|
|
для остальных одноквантовых переходов |
|
|
|
к, /с —f—1 |
|
|
|
= ________4~|/2я ер п е А к с£ к - і _________ |
рхп ( |
I |
) |
У / 7 1 Ж ( ^ _ 1- ^ + 0 ( ^ - - - й \.+ І) |
I |
kTe |
Г |
(.<с>1) |
|
|
(5.18) |
Параметр Лк, называемый кулоновским логарифмом для связанных состояний, является функцией относитель-
209
ной энергии перехода kTc/A<§. Он определяет средний ква драт изменения энергии электрона, находящегося в дис кретном состоянии к, в единицу времени при столкновениях его с другими электронами:
В к : |
d<g>2 |
4 " [ / 2 л |
|
(5.19) |
|
ео пе & к Л,. |
|||||
|
|
dt |
ЗіЛ д./г'/'е |
|
|
В работах |
1279—281] |
приведен |
график изменения Лк |
||
от 1іТ,„ і\<£ для |
атомов, рассчитанный, исходя |
из опытных |
|||
данных по сечениям возбуждения. |
Величина |
Лк практи |
|||
чески не зависит от природы атома. |
|
|
|||
В формулу |
(5.14) входит ик -- |
В ае1 — сумма коэф- |
|||
|
|
|
|
/<» |
|
фпцпептов трсхчастпчпоіі рекомбинации с переходом из
континуума на уровни с к =-- 1, 2, |
3, |
..., / — (а — |
1). |
||
Радиационные процессы учитывают при помощи выра |
|||||
жения |
|
|
|
|
|
a * = |
S ( « |
W |
) ^ « , |
(5-20) |
|
к |
п |
|
I < |
к |
|
где Акі — вероятность |
спонтанного |
излучательного пере |
|||
хода между уровнями к и I. |
дают |
возможность |
рассчи |
||
Выражения (5.13) — (5.17) |
тать коэффициенты ступенчатой ионизации и рекомбина ции. Обобщенные коэффициенты, входящие в уравнение баланса свободных электронов (5.12), являются суммами коэффициентов прямых и ступенчатых процессов:
Г’и Р ир - ! ' Р с т ’ ~ Ф ір “ I“ а с т -
Коэффициенты прямых процессов выражаются формула ми вида:
ßnp = ^ np { $ ) ë f ( ë ) d g .
cé’n
Для максвелловской ФРЭ и линейной аппроксимации энер гетической зависимости сечения ионизации близ порога однократной ионизации получены следующие выражения
[282]:
_ / |
с<? |
|
|
|
|
ßnp Ф kTe ѵе |
ÖJI |
2 ) exp |
смп■сек 1 |
(5.21) |
|
k T e |
|||||
|
|
kTß |
|
||
anp = |
S a °o |
I' <8ц |
~ r 2 j cm" ■с е к 1 |
(5.22) |
|
2 л m“ I! si |
[ kTe |
210
Здесь <70 — константа линейной аппроксимации сечения |
|
ионизации о>, (ё) « а0 (<§с — $„)'(см. |
в книгах [20, 2821). |
Используя некоторые качественные |
особенности кине |
тики ударно-радиационной рекомбинации и |
ионизации, |
||
авторы работ |
[279—281] |
упростили выражения для ßn и |
|
а,,. Известно, |
что поток |
рекомбинирующих |
электронов |
обладает минимальной скоростью близ так называемого узкого места на схеме термов. Чтобы приближенно найти его границы, реальное распределение энергетических уров ней заменяют непрерывным изменением энергии с плотно
стью водородоподобных состояний |
( R y — постоянная Рид |
берга) |
|
g Сё) = (Ry)3/* £ 5/2; (Ry = |
ёп= 13,59 эв). |
Следовательно, распределение заселенностей возбужден ных состояний
У (ё) =■ |
—Уі%(ëi/kTe) + t/ë [ 1 - X <#№')]. |
(5.23) |
|
Здесь %(х) = |
Г — .Л’ |
erlizl2 d t — функция, график |
кото- |
4/3]/ я [’ |
о
рой приведен в указанных выше работах. Поток электронов
в пространстве энергии можно выразить как |
~ р(ë)dy/dë, |
||
где |
р, (ё) ~ |
g (ё) Q^/kTe — подвижность |
электрона |
в энергетическом-пространстве. Ясно, что узкое место характеризуется p(g’) = рыип, а (dy/dë)MaKc. Приравнивая drу/d<§2 нулю, получают положение верхней границы узко го места: ёі = 3/2 кТе. Нижнюю границу определяют там, где dijtdë падает в «е» раз: ёіі = 7/2kTe. Энергии измеряют от границы ионизации. При высоких температурах узкое место находится у высоковозбуждеиных уровнен, при низ ких — опускается ниже. Первый случай допускает за мену дискретного спектра непрерывным (диффузионное при ближение [149—1511), второй — вынуждает учитывать от дельные переходы между нижними уровнями. В последнем случае реальные процессы описываются моделью «мгновен ной ионизации». После возбуждения на один из нижних уровней электрон быстро проходит всю совокупность уров ней, лежащих выше узкого места, и практически сразу ио низуется.
Учет излучательных переходов может заметно изменить положение. Интенсивность излучательных переходов сни жается с увеличением номера уровня (в водородоподобном приближении сила осциллятора / ~ /с-3), а столкновитель-
211
ных— увеличивается ~ / é . Поэтому в энергетическом диа пазоне дискретных уровней можно найти место, где обе интенсивности выравниваются. Тогда при & > преобла дают столкновнтельные переходы, при Щ< rSR — излуча тельные. Исходя из приближения водородоподобности верх них уровней и не учитывая самопоглоідения излучательных переходов между ними, авторы [279—281] получили:
[ я '/ ^ н Д / с К у (т еАГе) ,/2] ,/‘1- |
(5.24) |
Здесь с — (3 -Т- 4) -1010 сек-1-, А — средняя величина ку лоновского логарифма для связанных состояний, принима емая равной 0,2. Поэтому можно написать
гг’ |
пе |
у /'1 |
1 |
Эв. |
(5.25) |
R |
• 101а |
) |
(/гГе) 1/8 |
||
4 ,5 |
|
|
Здесь пе, слг3-, kTe, эв.
Влияние неравновесностп ФРЭ, часто встречающейся вслабоионизованной плазме, предлагается учитывать введе нием поправочной функции F. Коэффициент скорости не упругого процесса при неравновесной функции распреде ления выражается формулой:
Р2?,+ . = р ; . , + д * . |
(5.26) |
|
где |
|
|
1 |
У 1 + 4 С к - 1 |
(5.27) |
FK |
У 1 + 4Ск 4~ 1 |
|
^ к |
|
а величина Ск, являющаяся отношением частоты процесса возбуждения при электронном ударе с уровня к на уровень к -г 1 к частоте упругих межэлектронных соударений (в единице объема), определена выражением
Ск = пк <zKi к + 1> (nezee)~1=
(2ih/ne) [liTc/(lf[~ |
|
(5.28) |
||
12 |
2/ц |
Л,. |
kTeдфф |
(5.29) |
Пе |
' , |
— |
||
|
Ле |
’ |
для всех других переходов
Ск, 1
2 п , . А к. с£ ' |
. ІіТ |
с эфф |
|
|
/ѵ Л. |
К— I |
(5.30) |
||
|
|
|
|
п е А е ((уд; — C£ tc - j- 1) (^ к — I — с$к-\- l)
212
Здесь Ле — кулоновский логарифм для непрерывного спек тра (см. в книге [14]); пк — заселенность уровня /с; <£'— энергия уровня, измеряемая от границы ионизации. Срос том к величина Ск -> 1.
Приближенные выражения для коэффициентов ударнорадиационной ионизации и рекомбинации, полученные при помощи моделей узкого места и места, где сравниваются интенсивности ударных и радиационных переходов, имеют
вид: |
|
|
ß_1 = ß f 1 + ß J1 % ($/kTeофф) П]; |
(5.31) |
|
а - 1 = |
(а, Пі)"1 + а,2 1%($/кТезфф) . |
(5.32) |
Здесь g = m in ($2 , $«); ßi, ß2. аі, а 2—коэффициенты |
удар |
|
ной ионизации II |
рекомбинации между состояниями |
1 и 2 |
и между всеми остальными возбужденными состояниями соответственно; их приближенные выражения:
|
ß i = |
|
1 ,7 - Ю ~7 Л х |
|
|
Ry3/2 Fi |
|
|
||
|
|
■/лгеэфф ( « ; - « ; ) |
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
CP f |
CP f |
слг • сек~ |
(5.33) |
|||
|
|
X exp |
ЬТе3фф |
|||||||
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|||
|
ßa ~ |
1 >7 - IO-7 |
2 ASt |
Ry |
X |
|
||||
|
3"і/зі gi |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
k T ,e эфф |
|
|||||
|
|
|
X exp |
|
/ ,ф |
|
слг • |
сек■ |
(5.34) |
|
|
|
|
|
|
/v-*e |
эфф |
|
|
|
|
а, = |
h3e» Ry: |
Ai g 1 |
|
Ry3 |
Fl |
exp |
(5.35) |
|||
|
(&1 |
|||||||||
|
n |
|
|
$ 2 ) (kTeэфф)“ |
|
k T .e эфф |
|
|||
|
а, |
|
h3 ej |
Ry |
2 л |
Ry |
|
\o/2 |
(5.36) |
|
|
|
Jinie |
3~[/n |
А^еэфф |
J |
|||||
|
|
|
|
|||||||
Здесь |
gx — статистический вес основного |
состояния; |
— |
|||||||
статистическая сумма иона. Множитель %($/ІгТеэім„) |
когда |
$k < $ 2 , описывает влияние радиационных процессов на кинетику переходов между возбужденными уровнями. Это следует из того, что влияние радиационных переходов в рассматриваемом случае простирается выше резонансного уровня. Роль излучения еще более растет, если уровень (Sr лежит выше нижней границы узкого места; это как бы со кращает протяженность последнего. Электрон основное
213
время находится на. уровнях $' ■< сод, а затем быстро пере ходит в нижние состояния при спонтанном излучении. Мно житель Пх отражает влияние излучения на скорость потока электронов между уровнями 1 и 2. Излучение замедляет ионизацию и ускоряет рекомбинацию, так как способству ет переходам электронов на более низкие уровни.Множи тель П]. зависит от концентрации электронов и оптической
толщины излучающего |
слоя |
x0R, |
где R — линейный раз |
|
мер плазмы. При |
снижении |
пе или R величина П:1 растет |
||
[см. выражения |
(5.16) |
и (5.17)], |
что приводит к исчезно |
вению первого члена в формуле для коэффициента рекомби нации (5.32). Влияние химической природы атома (схемы его термов) уже не сказывается, и «р я» а., ~ (кТР)-9/2. Это след ствие интенсивного высвечивания нижних возбужденных состояний, так как узкое место смещается в область верх них, водородоподобных уровней. Если высвечивание очень
сильно, |
так |
что |
Пг > |
1, а %(<E’RlkTe) < I, |
при больших |
|
температурах |
первое |
слагаемое в выражении |
(5.32) |
снова |
||
начинает |
играть |
роль; специфика природы |
атома |
прояв |
ляется в зависимости а от температуры.
Формулы (5.31) и (5.32) позволяют также найти условия, когда превалируют процессы прямой ионизации и реком бинации. Ионизация из основного состояния становится заметной при температурах кТе ш [(${ — <оо), когда исчезает различие в величинах ехр[—(<о[— )ІкТе], входящей в выражение для ßa и ехр (—(F{.fkTe), которой про порционален коэффициент прямой ионизации ßnp [см. фор мулу (5.21)]. При сильном влиянии линейчатого излуче ния (Пх > 1) прямая ионизация может быть существенной и при меньших температурах, что следует из выражения для полного коэффициента ионизации:
ßii~ [ßГ1 Ф-ПхХ^д /кТ„) ßi-1] - 1 + ß np,
так как при Пх > 1 ß„->- ßnp.
В работе [281] даны также выражения для коэффициен тов рекомбинации и ионизации при заметном влиянии стол кновений атомов с атомами. Эти процессы становятся важ ными при высоких температурах атомов, когда Та ^ Т с. При равенстве обеих температур соотношения между сече ниями возбуждения ударом электрона и атома таковы, что последние процессы важны лишь при степени ионизации порядка ІО-5 — ІО-7.
Отметим, что при рекомбинации и ионизации могут реа лизоваться как стационарные, так и нестационарные нера-
214
вновесные условия. В первом случае в течение всей релак сации dnjclt = О, что обеспечено взаимной компенсацией объемных процессов появления заряженных частиц п пере носа их к стенкам или выхода излучения. Если же преобла дает ионизация и рекомбинация, то концентрация заря женных частиц меняется во времени. По измеренным dnjdt, пе и Те в каждый момент времени при преобладающей роли одного из процессов (ионизации или рекомбинации) можно определить температурную зависимость соответствующего коэффициента. Если же одновременно важны оба противо положных процесса, задача определения коэффициентов ß„ и а р становится неопределенной. Подобная ситуация возникает, например, в начальных стадиях распада снльнопонизованной плазмы, когда температура и концентра ция электронов еще достаточны для получения интенсивной встречной ионизации.
В заключение раздела, посвященного теории ионизацион ной релаксации, укажем, что разработанные в настоящее время теории процесса базируются на приближенных моделях релаксирующен плазмы — водородоподобие воз бужденных уровней, блок уровней с континуумом, метод узкого места, диффузионное приближение и т. п. Наиболее детально разработанной из них является недавно появивша яся теория на основе модифицированного диффузионного приближения [147, 148, 279—281], объединяющая все пере численные модели плазмы. Однако ясно, что и она содержит ограничения, связанные с применимостью этих моделей. Кроме того в теории МДП никак не отражены элементарные процессы с участием молекулярных ионов или возбужден ных молекул, которые весьма важны как для исходного молекулярного газа, так и для атомарных газов, содержа щих в условиях газового разряда заметные количества мо лекулярных ионов. Одним из очень интенсивных процессов исчезновения и появления заряженных частиц может быть диссоциативная рекомбинация и обратный ей процесс — ассоциативная ионизация. Несомненно, что эти процессы необходимо рассматривать в связи с кинетикой заселенно стей континуума свободных электронов и возбужденных уро вней.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЛАКСАЦИИ ПЛАЗМЫ ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ТОКЕ
Г Л А В А 6
§6.1. ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ
ВПЛАЗМЕ
Вгл. 4 были описаны результаты экспериментального изучения элементарных процессов и их анализа для квазистационарных условий существования плазмы импульсного тока. Настоящая глава посвящена нестационарным состоя ниям плазмы при резких изменениях внешних условий — возникновении и прекращении импульсного тока. Главное внимание уделяли кинетике элементарных процессов при ионизационной релаксации и заселении возбужденных уров ней атомов и ионов разной кратности ионизации. Изучению подлежали два крайних случая существования низкотемпе
ратурной релакспрующей плазмы — слабопонизованная и многократно ионизованная. Предварительно дано крат кое рассмотрение экспериментальных работ, посвященных изучению релаксации плазмы. Затем описано эксперимен тальное исследование релаксации ФРЭ, релаксации слабоионизованной плазмы и изложены результаты исследования сильнопонизовапной плазмы. Наконец, вследствие наличия ряда общих закономерностей процесса ионизационной релаксации, при различной степени ионизации сделана по пытка провести общий анализ физических процессов в релаксирующей низкотемпературной плазме.
Переходные процессы в плазме газового разряда обыч но изучают, производя резкие изменения внешних условий существования плазмы, чаще всего тока или напряжения. Импульсы тока или напряжения подводятся как к холод ному газу, так и к уже существующей плазме. В большин стве случаев изучают распад плазмы после выключения тока, так как в этих условиях отсутствует электрическое поле в плазме, а времена релаксации при снижении темпе ратуры могут только расти, что значительно облегчает изме рения переменных параметров плазмы.
Для релакспрующей плазмы с относительно малой сте пенью ионизации, когда обеспечено выполнение условия
216
vee C 5vvs, и ФРЭ неравновесна, весьма интересно экспе риментально определить параметры функции распределе ния во время релаксации. Однако вследствие ряда мето дических трудностей пока отсутствуют экспериментальные работы, посвященные релаксации ФРЭ. Лишь в послед нее время начали появляться отдельные работы, в которых сделаны попытки исследовать временное протекание функ ции распределения. Так, в работах [283—287] измерены про странственно-временные изменения функции распределения в движущихся стратах и ионизационных волнах [286]
винертном газе. Метод наложения малой переменной сос тавляющей на постоянный потенциал зонда был преобра зован для импульсных измерений с временем разрешения 100 мксек. В этих целях переменный сигнал подавали в виде импульса длительностью 100 мксек. Измерения, относящиеся по всей страте, производятся изменением времени подачи импульса по отношению к профилю концентрации частиц
встрате. Используя периодичность прохождения страт и предполагая идентичность их, можно получить требуемое
пространственное распределение ФРЭ.
В работах [286, 287] время измерения снижено до 10 мксек. В работах [283—287] не исследовалась релак сация ФРЭ при переходных процессах, однако описанная методика в принципе применима для временного изучения функции распределения при ионизационной релаксации в периодически возникающем импульсном разряде. Разуме ется, для исследования релаксации, как было показано вы ше, необходимо временное разрешение не хуже 1 мксек. Ни же, в § 6.2, описаны результаты экспериментального иссле дования релаксации функции распределения, впервые* про веденного как при развитии, так и распаде газоразрядной слабоионпзованной плазмы импульсного тока.
Распадающаяся плазма газового разряда после отклю чения тока экспериментально изучалась в целом ряде работ. Основной задачей их было сопоставление опытных данных с расчетами Бейтса и др. с использованием неста ционарного уравнения баланса свободных электронов, ко торое для многозарядных ионов принимает вид:
dne |
(6 . 1) |
|
И Г |
||
|
||
* Измерения |
проведены совместно с Е. 1\. Ерощсиковым |
|
в 1969— 1970 гг. |
[326, 327]. |
217