Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Малкин, О. А. Импульсный ток и релаксация в газе

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
10.43 Mб
Скачать

[15, 1ЗЗ— 137]. В качестве элементарных процессов возбуж­ дения и ионизации были взяты иеупругпе столкновения электронов с атомами; свободно связанные периоды из кон­ тинуума считали осуществляющимися в результате трехча­ стичной и излучательной рекомбинаций; дезактивацию—ту­ шащими соударениями и излучением. Было учтено поведе­ ние заселенностей шестнадцати возбужденных уровнен водо­ рода. Результаты расчета сведены в таблицы, где для каж­ дой пары значений концентрации и температуры электронов рассчитаны «обобщенные» коэффициенты трехчастичной рекомбинации а р и ионизации ß„. Смысл понятия «обоб­ щенные» состоит в учете участия промежуточных энергети­ ческих уровней в ионизации н рекомбинации, начиная от основного состояния. Таким образом, уравнение кинетики заселенности континуума свободных электронов для ато­ мов водорода имеет вид:

 

dnjdt = ß„ п]_ие— сбр tie nt.

(5.12)

Здесь

— заселенность основного состояния

водорода.

Легко видеть, что для описания кинетики ионизацион­ ной релаксации при помощи уравнения (5.12) необходимы сведения не только о временных зависимостях пе и Тс, но и заселенности основного состояния пѵ Следовательно, применение результатов расчета Бейтса и др. для описания релаксации даже простейшего газа — водорода практиче­ ски невозможно. 1\. IT. Ульянов [142, 144J рассмотрел сис­ тему уравнений баланса частиц н энергий, из которой при использовании упрощенной схемы энергетических уровней (приближение «блока» уровней см. [9, 142—144]), можно получить выражения для связи концентрации электронов с их температурой. Измеряя на опыте одни из этих пара­ метров, можно рассчитать временной ход другого и опреде­ лить коэффициенты рекомбинации и ионизации. Однако, как уже указывалось, модель блоков уровней, основанная на превалирующей роли элементарных столкновительных процессов с участием электронов, не универсальна. Часто, особенно в слабоионизованной плазме, основную роль иг­ рают процессы с участием тяжелых частиц, а также молеку­ лярных ионов, например диссоциативная рекомбинация.

Недавно Л. М. Биберман, В. С. Воробьев и И. Т. Якубов [279—281] разработали теорию ионизационной релаксации низкотемпературной плазмы на основе применения мо­ дифицированного диффузионного приближения, ранее использованного для описания стационарного состояния

208

плазмы [149— 151]. Модифицированное диффузионное при­ ближение, как уже было указано выше, представляет собой метод рассмотрения процессов возбуждения, ионизации н рекомбинации как диффузию связанных электронов в дис­ кретном пространстве энергий. Тем самым учитывают дис­ кретную структуру схемы термов (энергетических уров­ ней) атома. В результате применения этого метода к явлени­ ям ионизации it рекомбинации с учетом как столкновительных, так и радиационных процессов, получены следующие общие выражения для коэффициентов ступенчатой иони­ зации и рекомбинации [281]:

 

 

Рст = ('«««Sn,

V s ,) - !

 

 

(5.13)

 

 

^

к> 1

 

 

 

ССст := [ Н -

V

аи ,(ne°)25 J \ne(n lf

v

S K] - \

(5.14)

1

к> 1

i L

к> I

J

 

где

 

 

 

 

 

 

3 г 1 = zl2Fx«Ш і;

 

 

/ijn«.

(5.15)

Здесь

 

П fl "Г (a^_j_ 1iti/Zn,

 

 

 

п к =

1Hn-(- l)]

(5.16)

фактор, учнтывающий влияние выхода излучения в спектральных линиях на заселенность + 1) энергетического уровня; /г“, /;“ — равновесные заселенности к-то уровня и континуума свободных электронов — их рассчитывают по уравнению Саха с температурой электронов; zKtK+\ — часто­ та неупругих столкновителы-іых процессов, рассчитывае­ мая по формулам, усредненным по максвелловскому рас­ пределению энергий электронов для резонансного перехода:

4 }'Г 2л е'рпа Л 1

rC Cp

2

(5.17)

(о I — (у

ZJ O уі^ігге(й’і-ау exp

kTe

 

для остальных одноквантовых переходов

 

 

к, /с —f—1

 

 

 

= ________4~|/2я ер п е А к с£ к - і _________

рхп (

I

)

У / 7 1 Ж ( ^ _ 1- ^ + 0 ( ^ - - - й \.+ І)

I

kTe

Г

(.<с>1)

 

 

(5.18)

Параметр Лк, называемый кулоновским логарифмом для связанных состояний, является функцией относитель-

209

ной энергии перехода kTc/A<§. Он определяет средний ква­ драт изменения энергии электрона, находящегося в дис­ кретном состоянии к, в единицу времени при столкновениях его с другими электронами:

В к :

d<g>2

4 " [ / 2 л

 

(5.19)

ео пе & к Л,.

 

 

dt

ЗіЛ д./г'/'е

 

В работах

1279—281]

приведен

график изменения Лк

от 1іТ,„ і\<£ для

атомов, рассчитанный, исходя

из опытных

данных по сечениям возбуждения.

Величина

Лк практи­

чески не зависит от природы атома.

 

 

В формулу

(5.14) входит ик --

В ае1 — сумма коэф-

 

 

 

 

/<»

 

фпцпептов трсхчастпчпоіі рекомбинации с переходом из

континуума на уровни с к =-- 1, 2,

3,

..., / —

1).

Радиационные процессы учитывают при помощи выра­

жения

 

 

 

 

 

a * =

S ( «

W

) ^ « ,

(5-20)

к

п

 

I <

к

 

где Акі — вероятность

спонтанного

излучательного пере­

хода между уровнями к и I.

дают

возможность

рассчи­

Выражения (5.13) — (5.17)

тать коэффициенты ступенчатой ионизации и рекомбина­ ции. Обобщенные коэффициенты, входящие в уравнение баланса свободных электронов (5.12), являются суммами коэффициентов прямых и ступенчатых процессов:

Г’и Р ир - ! ' Р с т ’ ~ Ф ір “ I“ а с т -

Коэффициенты прямых процессов выражаются формула­ ми вида:

ßnp = ^ np { $ ) ë f ( ë ) d g .

cé’n

Для максвелловской ФРЭ и линейной аппроксимации энер­ гетической зависимости сечения ионизации близ порога однократной ионизации получены следующие выражения

[282]:

_ /

с<?

 

 

 

ßnp Ф kTe ѵе

ÖJI

2 ) exp

смп■сек 1

(5.21)

k T e

 

 

kTß

 

anp =

S a °o

I' <8ц

~ r 2 j cm" ■с е к 1

(5.22)

2 л m“ I! si

[ kTe

210

Здесь <70 — константа линейной аппроксимации сечения

ионизации о>, (ё) « а0 (<§с — $„)'(см.

в книгах [20, 2821).

Используя некоторые качественные

особенности кине­

тики ударно-радиационной рекомбинации и

ионизации,

авторы работ

[279—281]

упростили выражения для ßn и

а,,. Известно,

что поток

рекомбинирующих

электронов

обладает минимальной скоростью близ так называемого узкого места на схеме термов. Чтобы приближенно найти его границы, реальное распределение энергетических уров­ ней заменяют непрерывным изменением энергии с плотно­

стью водородоподобных состояний

( R y — постоянная Рид­

берга)

 

g Сё) = (Ry)3/* £ 5/2; (Ry =

ёп= 13,59 эв).

Следовательно, распределение заселенностей возбужден­ ных состояний

У (ё) =■

—Уі%(ëi/kTe) + t/ë [ 1 - X <#№')].

(5.23)

Здесь %(х) =

Г — .Л’

erlizl2 d t — функция, график

кото-

4/3]/ я [’

о

рой приведен в указанных выше работах. Поток электронов

в пространстве энергии можно выразить как

~ р(ë)dy/dë,

где

р, (ё) ~

g (ё) Q^/kTe — подвижность

электрона

в энергетическом-пространстве. Ясно, что узкое место характеризуется p(g’) = рыип, а (dy/dë)MaKc. Приравнивая drу/d<§2 нулю, получают положение верхней границы узко­ го места: ёі = 3/2 кТе. Нижнюю границу определяют там, где dijtdë падает в «е» раз: ёіі = 7/2kTe. Энергии измеряют от границы ионизации. При высоких температурах узкое место находится у высоковозбуждеиных уровнен, при низ­ ких — опускается ниже. Первый случай допускает за­ мену дискретного спектра непрерывным (диффузионное при­ ближение [149—1511), второй — вынуждает учитывать от­ дельные переходы между нижними уровнями. В последнем случае реальные процессы описываются моделью «мгновен­ ной ионизации». После возбуждения на один из нижних уровней электрон быстро проходит всю совокупность уров­ ней, лежащих выше узкого места, и практически сразу ио­ низуется.

Учет излучательных переходов может заметно изменить положение. Интенсивность излучательных переходов сни­ жается с увеличением номера уровня (в водородоподобном приближении сила осциллятора / ~ /с-3), а столкновитель-

211

ных— увеличивается ~ / é . Поэтому в энергетическом диа­ пазоне дискретных уровней можно найти место, где обе интенсивности выравниваются. Тогда при & > преобла­ дают столкновнтельные переходы, при Щ< rSR — излуча­ тельные. Исходя из приближения водородоподобности верх­ них уровней и не учитывая самопоглоідения излучательных переходов между ними, авторы [279—281] получили:

[ я '/ ^ н Д / с К у (т еАГе) ,/2] ,/‘1-

(5.24)

Здесь с — (3 -Т- 4) -1010 сек-1-, А — средняя величина ку­ лоновского логарифма для связанных состояний, принима­ емая равной 0,2. Поэтому можно написать

гг’

пе

у /'1

1

Эв.

(5.25)

R

• 101а

)

(/гГе) 1/8

4 ,5

 

 

Здесь пе, слг3-, kTe, эв.

Влияние неравновесностп ФРЭ, часто встречающейся вслабоионизованной плазме, предлагается учитывать введе­ нием поправочной функции F. Коэффициент скорости не­ упругого процесса при неравновесной функции распреде­ ления выражается формулой:

Р2?,+ . = р ; . , + д * .

(5.26)

где

 

 

1

У 1 + 4 С к - 1

(5.27)

FK

У 1 + 4Ск 4~ 1

^ к

 

а величина Ск, являющаяся отношением частоты процесса возбуждения при электронном ударе с уровня к на уровень к -г 1 к частоте упругих межэлектронных соударений (в единице объема), определена выражением

Ск = пк <zKi к + 1> (nezee)~1=

(2ih/ne) [liTc/(lf[~

 

(5.28)

12

2/ц

Л,.

kTeдфф

(5.29)

Пе

' ,

 

Ле

для всех других переходов

Ск, 1

2 п , . А к. с£ '

. ІіТ

с эфф

 

/ѵ Л.

К— I

(5.30)

 

 

 

 

п е А е ((уд; — C£ tc - j- 1) (^ к — I — с$к-\- l)

212

Здесь Ле — кулоновский логарифм для непрерывного спек­ тра (см. в книге [14]); пк — заселенность уровня /с; <£'— энергия уровня, измеряемая от границы ионизации. Срос­ том к величина Ск -> 1.

Приближенные выражения для коэффициентов ударнорадиационной ионизации и рекомбинации, полученные при помощи моделей узкого места и места, где сравниваются интенсивности ударных и радиационных переходов, имеют

вид:

 

 

ß_1 = ß f 1 + ß J1 % ($/kTeофф) П];

(5.31)

а - 1 =

(а, Пі)"1 + а,2 1%($/кТезфф) .

(5.32)

Здесь g = m in ($2 , $«); ßi, ß2. аі, а 2—коэффициенты

удар­

ной ионизации II

рекомбинации между состояниями

1 и 2

и между всеми остальными возбужденными состояниями соответственно; их приближенные выражения:

 

ß i =

 

1 ,7 - Ю ~7 Л х

 

 

Ry3/2 Fi

 

 

 

 

■/лгеэфф ( « ; - « ; )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CP f

CP f

слг сек~

(5.33)

 

 

X exp

ЬТе3фф

 

 

 

 

1

 

 

 

 

ßa ~

1 >7 - IO-7

2 ASt

Ry

X

 

 

3"і/зі gi

 

 

 

 

 

 

 

k T ,e эфф

 

 

 

 

X exp

 

/ ,ф

 

слг •

сек

(5.34)

 

 

 

 

 

/v-*e

эфф

 

 

 

а, =

h3Ry:

Ai g 1

 

Ry3

Fl

exp

(5.35)

 

(&1

 

n

 

 

$ 2 ) (kTeэфф)“

 

k T .e эфф

 

 

а,

 

h3 ej

Ry

2 л

Ry

 

\o/2

(5.36)

 

 

Jinie

3~[/n

А^еэфф

J

 

 

 

 

Здесь

gx — статистический вес основного

состояния;

статистическая сумма иона. Множитель %($/ІгТеэім„)

когда

$k < $ 2 , описывает влияние радиационных процессов на кинетику переходов между возбужденными уровнями. Это следует из того, что влияние радиационных переходов в рассматриваемом случае простирается выше резонансного уровня. Роль излучения еще более растет, если уровень (Sr лежит выше нижней границы узкого места; это как бы со­ кращает протяженность последнего. Электрон основное

213

время находится на. уровнях $' ■< сод, а затем быстро пере­ ходит в нижние состояния при спонтанном излучении. Мно­ житель Пх отражает влияние излучения на скорость потока электронов между уровнями 1 и 2. Излучение замедляет ионизацию и ускоряет рекомбинацию, так как способству­ ет переходам электронов на более низкие уровни.Множи­ тель П]. зависит от концентрации электронов и оптической

толщины излучающего

слоя

x0R,

где R — линейный раз­

мер плазмы. При

снижении

пе или R величина П:1 растет

[см. выражения

(5.16)

и (5.17)],

что приводит к исчезно­

вению первого члена в формуле для коэффициента рекомби­ нации (5.32). Влияние химической природы атома (схемы его термов) уже не сказывается, и «р я» а., ~ (кТР)-9/2. Это след­ ствие интенсивного высвечивания нижних возбужденных состояний, так как узкое место смещается в область верх­ них, водородоподобных уровней. Если высвечивание очень

сильно,

так

что

Пг >

1, а %(<E’RlkTe) < I,

при больших

температурах

первое

слагаемое в выражении

(5.32)

снова

начинает

играть

роль; специфика природы

атома

прояв­

ляется в зависимости а от температуры.

Формулы (5.31) и (5.32) позволяют также найти условия, когда превалируют процессы прямой ионизации и реком­ бинации. Ионизация из основного состояния становится заметной при температурах кТе ш [(${ — <оо), когда исчезает различие в величинах ехр[—(<о[— )ІкТе], входящей в выражение для ßa и ехр (—(F{.fkTe), которой про­ порционален коэффициент прямой ионизации ßnp [см. фор­ мулу (5.21)]. При сильном влиянии линейчатого излуче­ ния (Пх > 1) прямая ионизация может быть существенной и при меньших температурах, что следует из выражения для полного коэффициента ионизации:

ßii~ [ßГ1 Ф-ПхХ^д /кТ„) ßi-1] - 1 + ß np,

так как при Пх > 1 ß„->- ßnp.

В работе [281] даны также выражения для коэффициен­ тов рекомбинации и ионизации при заметном влиянии стол­ кновений атомов с атомами. Эти процессы становятся важ­ ными при высоких температурах атомов, когда Та ^ Т с. При равенстве обеих температур соотношения между сече­ ниями возбуждения ударом электрона и атома таковы, что последние процессы важны лишь при степени ионизации порядка ІО-5 — ІО-7.

Отметим, что при рекомбинации и ионизации могут реа­ лизоваться как стационарные, так и нестационарные нера-

214

вновесные условия. В первом случае в течение всей релак­ сации dnjclt = О, что обеспечено взаимной компенсацией объемных процессов появления заряженных частиц п пере­ носа их к стенкам или выхода излучения. Если же преобла­ дает ионизация и рекомбинация, то концентрация заря­ женных частиц меняется во времени. По измеренным dnjdt, пе и Те в каждый момент времени при преобладающей роли одного из процессов (ионизации или рекомбинации) можно определить температурную зависимость соответствующего коэффициента. Если же одновременно важны оба противо­ положных процесса, задача определения коэффициентов ß„ и а р становится неопределенной. Подобная ситуация возникает, например, в начальных стадиях распада снльнопонизованной плазмы, когда температура и концентра­ ция электронов еще достаточны для получения интенсивной встречной ионизации.

В заключение раздела, посвященного теории ионизацион­ ной релаксации, укажем, что разработанные в настоящее время теории процесса базируются на приближенных моделях релаксирующен плазмы — водородоподобие воз­ бужденных уровней, блок уровней с континуумом, метод узкого места, диффузионное приближение и т. п. Наиболее детально разработанной из них является недавно появивша­ яся теория на основе модифицированного диффузионного приближения [147, 148, 279—281], объединяющая все пере­ численные модели плазмы. Однако ясно, что и она содержит ограничения, связанные с применимостью этих моделей. Кроме того в теории МДП никак не отражены элементарные процессы с участием молекулярных ионов или возбужден­ ных молекул, которые весьма важны как для исходного молекулярного газа, так и для атомарных газов, содержа­ щих в условиях газового разряда заметные количества мо­ лекулярных ионов. Одним из очень интенсивных процессов исчезновения и появления заряженных частиц может быть диссоциативная рекомбинация и обратный ей процесс — ассоциативная ионизация. Несомненно, что эти процессы необходимо рассматривать в связи с кинетикой заселенно­ стей континуума свободных электронов и возбужденных уро­ вней.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЛАКСАЦИИ ПЛАЗМЫ ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ТОКЕ

Г Л А В А 6

§6.1. ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЛАКСАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ

ВПЛАЗМЕ

Вгл. 4 были описаны результаты экспериментального изучения элементарных процессов и их анализа для квазистационарных условий существования плазмы импульсного тока. Настоящая глава посвящена нестационарным состоя­ ниям плазмы при резких изменениях внешних условий — возникновении и прекращении импульсного тока. Главное внимание уделяли кинетике элементарных процессов при ионизационной релаксации и заселении возбужденных уров­ ней атомов и ионов разной кратности ионизации. Изучению подлежали два крайних случая существования низкотемпе­

ратурной релакспрующей плазмы — слабопонизованная и многократно ионизованная. Предварительно дано крат­ кое рассмотрение экспериментальных работ, посвященных изучению релаксации плазмы. Затем описано эксперимен­ тальное исследование релаксации ФРЭ, релаксации слабоионизованной плазмы и изложены результаты исследования сильнопонизовапной плазмы. Наконец, вследствие наличия ряда общих закономерностей процесса ионизационной релаксации, при различной степени ионизации сделана по­ пытка провести общий анализ физических процессов в релаксирующей низкотемпературной плазме.

Переходные процессы в плазме газового разряда обыч­ но изучают, производя резкие изменения внешних условий существования плазмы, чаще всего тока или напряжения. Импульсы тока или напряжения подводятся как к холод­ ному газу, так и к уже существующей плазме. В большин­ стве случаев изучают распад плазмы после выключения тока, так как в этих условиях отсутствует электрическое поле в плазме, а времена релаксации при снижении темпе­ ратуры могут только расти, что значительно облегчает изме­ рения переменных параметров плазмы.

Для релакспрующей плазмы с относительно малой сте­ пенью ионизации, когда обеспечено выполнение условия

216

vee C 5vvs, и ФРЭ неравновесна, весьма интересно экспе­ риментально определить параметры функции распределе­ ния во время релаксации. Однако вследствие ряда мето­ дических трудностей пока отсутствуют экспериментальные работы, посвященные релаксации ФРЭ. Лишь в послед­ нее время начали появляться отдельные работы, в которых сделаны попытки исследовать временное протекание функ­ ции распределения. Так, в работах [283—287] измерены про­ странственно-временные изменения функции распределения в движущихся стратах и ионизационных волнах [286]

винертном газе. Метод наложения малой переменной сос­ тавляющей на постоянный потенциал зонда был преобра­ зован для импульсных измерений с временем разрешения 100 мксек. В этих целях переменный сигнал подавали в виде импульса длительностью 100 мксек. Измерения, относящиеся по всей страте, производятся изменением времени подачи импульса по отношению к профилю концентрации частиц

встрате. Используя периодичность прохождения страт и предполагая идентичность их, можно получить требуемое

пространственное распределение ФРЭ.

В работах [286, 287] время измерения снижено до 10 мксек. В работах [283—287] не исследовалась релак­ сация ФРЭ при переходных процессах, однако описанная методика в принципе применима для временного изучения функции распределения при ионизационной релаксации в периодически возникающем импульсном разряде. Разуме­ ется, для исследования релаксации, как было показано вы­ ше, необходимо временное разрешение не хуже 1 мксек. Ни­ же, в § 6.2, описаны результаты экспериментального иссле­ дования релаксации функции распределения, впервые* про­ веденного как при развитии, так и распаде газоразрядной слабоионпзованной плазмы импульсного тока.

Распадающаяся плазма газового разряда после отклю­ чения тока экспериментально изучалась в целом ряде работ. Основной задачей их было сопоставление опытных данных с расчетами Бейтса и др. с использованием неста­ ционарного уравнения баланса свободных электронов, ко­ торое для многозарядных ионов принимает вид:

dne

(6 . 1)

И Г

 

* Измерения

проведены совместно с Е. 1\. Ерощсиковым

в 1969— 1970 гг.

[326, 327].

217

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ