
- •Техническая Электроника
- •Оглавление
- •Предисловие
- •Введение
- •Глава 1 пассивные компоненты электронных устройств
- •1.1. Резисторы
- •Числовые коэффициенты первых трех рядов
- •Допустимые отклонения сопротивлений
- •Основные параметры резисторов
- •1.1.1. Система условных обозначений и маркировка резисторов
- •Специальные резисторы
- •1.2. Конденсаторы
- •1.2.1. Система условных обозначений конденсаторов
- •1.2.2. Параметры постоянных конденсаторов
- •1.2.3. Конденсаторы переменной ёмкости
- •1.3. Катушки индуктивности
- •Параметры катушек индуктивности
- •Глава 2 полупроводниковые диоды
- •2.1. Физические основы полупроводниковых приборов
- •2.2. Примесные полупроводники
- •2.3. Электронно-дырочный переход
- •2.4. Физические процессы в p–n переходе
- •2.5. Контактная разность потенциалов
- •2.6. Прямое включение p–n перехода
- •2.7. Обратное включение p–n перехода
- •2.8. Вольт–амперная характеристика p–n перехода
- •2.9. Пробой p–n перехода
- •2.10. Емкостные свойства p–n перехода
- •2.11. Полупроводниковые диоды
- •Система обозначения полупроводниковых диодов
- •2.12. Выпрямительные диоды
- •Параметры выпрямительных диодов
- •2.13. Стабилитроны
- •Параметры стабилитрона
- •2.14. Варикапы
- •Параметры варикапов
- •2.15. Импульсные диоды
- •Параметры импульсных диодов
- •2.15.1. Диоды с накоплением заряда и диоды Шотки
- •2.16. Туннельные диоды
- •Параметры туннельных диодов
- •2.17. Обращенные диоды
- •Глава 3 биполярные транзисторы
- •3.1. Режимы работы биполярного транзистора
- •3.2. Принцип действия транзистора
- •3.3. Токи в транзисторе
- •3.4. Статические характеристики
- •3.4.1. Статические характеристики в схеме с об входные характеристики
- •Выходные характеристики
- •Характеристики прямой передачи
- •Характеристики обратной связи
- •3.5. Статические характеристики транзистора в схеме с оэ
- •3.6. Малосигнальные параметры Дифференциальные параметры транзистора
- •Система z–параметров.
- •Система y–параметров
- •Система h–параметров
- •Определение h–параметров по статическим характеристикам
- •3.7. Малосигнальная модель транзистора
- •3.8. Моделирование транзистора
- •3.9. Частотные свойства транзисторов
- •3.10. Параметры биполярных транзисторов
- •Глава 4 полевые транзисторы
- •4.1. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
- •Статические характеристики
- •4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.2.2. Статические характеристики мдп-транзистора с
- •4.3. Полевые транзисторы со встроенным каналом
- •4.4. Cтатические характеристики транзистора со
- •4.5. Cпособы включения полевых транзисторов
- •4.6. Полевой транзистор как линейный четырехполюсник
- •4.7. Эквивалентная схема и частотные свойства
- •4.8. Основные параметры полевых транзисторов
- •Глава 5 полупроводниковые переключающие приборы
- •5.1. Диодный тиристор
- •5.2. Триодный тиристор
- •5.3. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •5.4. Параметры тиристоров
- •Глава 6 электронно-лучевые приборы
- •6.1. Электростатическая система фокусировки луча
- •6.2. Электростатическая отклоняющая система
- •6.3. Трубки с магнитным управлением электронным лучом
- •6.4. Экраны электронно-лучевых трубок
- •6.5. Система обозначения электронно-лучевых трубок
- •6.6. Осциллографические трубки
- •6.7. Индикаторные трубки
- •6.8. Кинескопы
- •6.9. Цветные кинескопы
- •Глава 7 элементы и устройства оптоэлектроники
- •7.1. Источники оптического излучения
- •7.2. Характеристики светодиодов
- •7.3. Основные параметры светодиодов
- •7.4. Полупроводниковые приемники излучения
- •7.5. Фоторезисторы
- •7.6. Характеристики фоторезистора
- •7.7. Параметры фоторезистора
- •7.8. Фотодиоды
- •7.9. Характеристики и параметры фотодиода
- •7.10. Фотоэлементы
- •7.11. Фототранзисторы
- •7.12. Основные характеристики и параметры фототранзисторов
- •7.13. Фототиристоры
- •7.14. Оптопары
- •7.15. Входные и выходные параметры оптопар
- •7.16. Жидкокристаллические индикаторы
- •Параметры жки
- •Глава 8 элементы интегральных микросхем
- •8.1. Пассивные элементы интегральных микросхем
- •8.1.1. Резисторы
- •8.1.2. Конденсаторы
- •8.1.3. Пленочные конденсаторы
- •8.2. Биполярные транзисторы
- •8.3. Диоды полупроводниковых имс
- •8.4. Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •8.5. Полупроводниковые приборы c зарядовой связью
- •Применение пзс
- •Параметры элементов пзс
- •Глава 9 основы цифровой техники
- •9.1. Электронные ключевые схемы
- •9.2. Ключи на биполярном транзисторе
- •9.3. Ключ с барьером Шотки
- •9.4. Ключи на мдп транзисторах
- •9.5. Ключ на комплементарных транзисторах
- •9.6. Алгебра логики и основные её законы
- •9.7. Логические элементы и их классификация
- •Классификация ис по функциональному назначению
- •Классификация ис по функциональному назначению
- •9.8. Базовые логические элементы цифровых
- •9.9. Диодно–транзисторная логика
- •9.10. Транзисторно–транзисторная логика (ттл)
- •9.11. Микросхемы ттл серий с открытым коллектором
- •9.12. Правила схемного включения элементов
- •9.13. Эмиттерно–связанная логика
- •9.14. Интегральная инжекционная логика (и2л)
- •9.15. Логические элементы на мдп-транзисторах
- •9.16. Параметры цифровых ис
- •9.17. Триггеры
- •Параметры триггеров
- •9.18. Мультивибраторы
- •9.18.1. Мультивибраторы на логических интегральных элементах
- •9.18.2. Автоколебательный мультивибратор с
- •9.18.3. Автоколебательные мультивибраторы с
- •9.18.4. Ждущие мультивибраторы
- •Глава 10 аналоговые устройства
- •10.1. Классификация аналоговых электронных устройств
- •10.2. Основные технические показатели и характеристики аналоговых устройств
- •10.3. Методы обеспечения режима работы транзистора в каскадах усиления
- •10.3.1. Схема с фиксированным током базы
- •10.3.2. Схема с фиксированным напряжением база–эмиттер
- •10.3.3. Схемы с температурной стабилизацией
- •10.4. Стабильность рабочей точки
- •10.5. Способы задания режима покоя в усилительных
- •10.6. Обратные связи в усилителях
- •10.6.1. Последовательная обратная связь по напряжению
- •10.6.2. Последовательная обратная связь по току
- •10.7. Режимы работы усилительных каскадов
- •10.8. Работа активных элементов с нагрузкой
- •10.9. Усилительный каскад с общим эмиттером
- •10.10. Усилительный каскад по схеме с общей базой
- •10.11. Усилительный каскад с общим коллектором
- •10.12. Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •10.12.1. Усилительный каскад с ои
- •10.12.2. Усилительный каскад с общим стоком
- •10.13. Усилители постоянного тока
- •Глава 11 Дифференциальные и операционные усилители
- •11.1. Дифференциальные усилители
- •11.2. Операционные усилители
- •11.3. Параметры операционных усилителей
- •11.4. Амплитудно и фазочастотные характеристики оу
- •11.5. Устройство операционных усилителей
- •11.6. Оу общего применения
- •11.7. Инвертирующий усилитель
- •11.8. Неинвертирующий усилитель
- •11.9. Суммирующие схемы
- •11.9.1. Инвертирующий сумматор
- •11.9.2. Неинвертирующий сумматор
- •11.9.3. Интегрирующий усилитель
- •11.9.4. Дифференцирующий усилитель
- •11.9.5. Логарифмические схемы
- •11.9.6. Антилогарифмирующий усилитель
- •Глава 12 компараторы напряжения
- •Глава 13 Цифро-аналоговые преобразователи
- •13.1. Параметры цап
- •13.2. Устройство цап
- •Глава 14 Аналого-цифровые преобразователи
- •14.1. Параметры ацп
- •14.2. Классификация ацп
- •14.3. Ацп последовательного приближения
- •ЛитературА
Статические характеристики
Наличие большого входного и выходного сопротивлений в полевом транзисторе позволяет исследовать статические характеристики с помощью генераторов напряжения. Полевой транзистор с управляющим p–n переходом описывается тремя статическими характеристиками:
1. Выходные
(стоковые) характеристики
при Uзи=const.
2. Сток-затворные
характеристики (характеристики передачи)
при Uси=const.
3. Входные
(затворные) характеристики
при Uси=const.
Вид семейства статических стоковых характеристик представлен на рис. 4.2.
Р
ассмотрим
стоковую характеристику транзистора
с каналом n-типа,
снятую при Uзи=0.
При подаче на сток положительного
относительно истока напряжения (рис. 4.2)
начинается движение носителей заряда
(электронов) от истока через канал к
стоку. Если бы сопротивление канала не
зависело от проходящего через него тока
стока, то наблюдалась бы линейная
зависимость тока стока Ic
от напряжения Uси.
Ток стока Ic
создает на объемном сопротивлении
канала падение напряжения, что вызывает
увеличение толщины запирающего слоя
вблизи стока, сужение поперечного
сечения канала и уменьшение проводимости
канала (рис. 4.1,б,в).
Ширина
p–n перехода увеличивается по мере
приближения к области стока, где имеет
место наибольшее значение падения
напряжения, вызванного протеканием
тока Ic
через канала. Наибольшее сечение канала
будет около истока, а наименьшее –
около стока, где напряжение на p–n
переходе равно
.
Увеличение напряжения сток-исток Uси вызывает увеличение Ic, и напряжение на p–n переходе возле стокового вывода может достигнуть значения, равного |Uзи отс|, при котором в сечении канала около стока должно произойти перекрытие.
На практике полного перекрытия канала и отсечки тока стока не происходит. Около стока остается узкая токопроводящая перемычка (горловина канала), в которой напряженность электрического поля достигает критического значения, а скорость дрейфа носителей – скорости насыщения (Vn макс = const), которая определяет постоянную плотность дрейфового тока
.
При дальнейшем увеличении напряжения стока горловина удлиняется и на ней падает все дополнительное напряжение стока, сверх того значения, при котором произошло условное перекрытие канала. В результате происходит не отсечка, а лишь ограничение роста тока, ток стока становится практически независимым от приложенного напряжения Uси.
Если Uзи=0, то напряжение Uси, при котором происходит перекрытие канала из-за увеличения толщины p–n перехода называют напряжением насыщения (перекрытия) Uси пер(нас). Ток стока, при котором происходит перекрытие канала, называют начальным током стока Iси нач, ему соответствует начало пологого участка стоковой характеристики. Если к затвору полевого транзистора приложить обратное напряжение Uзи0, то перекрытие канала наступит при меньшем значении напряжения Uси, рис. 4.2.
К p–n переходу между затвором и стоком прикладывается обратное напряжение величиной . Перекрытие канала происходит, когда напряжение, приложенное к p–n переходу, достигает напряжения отсечки
. (4.1)
При значительном увеличении напряжения Uси у стокового вывода может произойти электрический (лавинный) пробой p–n перехода, ток стока резко возрастает. Этот ток замыкается через электрод затвора.
На стоковых характеристиках можно выделить две рабочие области: АВ и ВD (рис. 4.2). Область АВ называют крутой областью характеристики, область ВD – пологой или областью насыщения. При малых значениях Uси ток стока изменяется прямо пропорционально изменениям напряжения (участок АВ). Наклон этого участка соответствует полностью открытому каналу и прямо пропорционален его проводимости. С увеличением Uси (точка B) на росте Ic начинает сказываться сужение канала, которое приводит к уменьшению его проводимости и характеристика отклоняется от прямой линии.
При подаче на затвор обратного напряжения и при увеличении этого напряжения по абсолютному значению уменьшается начальное поперечное сечение канала. Это приводит к изменению наклона начальных участков стоковых характеристик, что соответствует большим начальным статическим сопротивлениям канала.
Геометрическое место точек, соответствующих условному перекрытию канала и наступлению режима насыщения, показано штрих-пунктирной линией (рис. 4.2).
В крутой области стоковых характеристик транзистор можно использовать, как электрически управляемое сопротивление. Пологий участок характеристик является рабочим при использовании при работе транзистора в усилительных устройствах.
Ток стока для крутой области характеристик полевого транзистора с управляющим p–n переходом достаточно точно описывается аналитической зависимостью
. (4.2)
При работе в пологой области вольтамперной характеристики ток cтока представляется выражением
, (4.3)
где Iс нач – начальный ток стока при Uзи= 0 и рабочем напряжении на стоке, превышающем напряжение насыщения.
Х
арактеристика
передачи, называемая часто сток-затворной,
проходной или характеристикой управления
полевого транзистора, представляет
собой зависимость
при различных напряжениях на стоке в
режиме перекрытия канала (рис. 4.3).
Так как основным рабочим режимом полевых
транзисторов является режим насыщения
тока стока, то характеристика описывается
уравнением (4.3). При изменении напряжения
на стоке смещением характеристик
передачи можно пренебречь ввиду малого
изменения тока стока в пологой области
стоковых характеристик.
При
увеличении обратного напряжения на
p–n переходе
уменьшается сечение канала, что приводит
к уменьшению тока стока. При
через канал протекает обратный ток
стока малой величины, и это может быть
использовано для ориентировочного
определения напряжения отсечки.
Характеристика передачи может быть получена экспериментально или с помощью перестройки стоковых характеристик.
В
ходная
(затворная) характеристика полевого
транзистора с управляющим p–n переходом
(рис. 4.4) представляет собой обратную
ветвь волът-амперной характеристики
p–n перехода.
Изменение напряжения Ucи
влияет на распределение поля в канале,
что вызывает изменения тока затвора.
Наибольшего своего значения, которое
называется током утечки, ток затвора
достигает при условии короткого замыкания
выводов истока и стока, однако оно очень
мало и им часто пренебрегают.