Техническая Электроника

Допущено Министерством образования

Республики Беларусь

в качестве учебного пособия для студентов

специальности «Телекоммуникационные

системы» высших учебных заведений

Минск

Издательство «Дизайн ПРО»

2000

УДК 621.38

ББК 32.85я87

Т48

Рецензенты: кафедра электроники Военной академии Республики

Беларусь; начальник кафедры Лямин П.М.; д.т.н., профессор

Конопелько В.К.

Т48 Ткаченко Ф.А. Техническая электроника. — Мн.: Дизайн

ПРО, 2000. — 352 с: ил.

ISBN 985-6182-95-6

Рассмотрены устройства, характеристики и параметры пассивных элементов в дискретном и интегральном исполнениях.

Даны физические основы работы полупроводниковых приборов, устройство, принцип работы, параметры, характеристики и способы включения в электрическую цепь полупроводниковых диодов и транзисторов.

Имеются сведения о работе усилителей переменного и постоянного сигналов, операционных усилителей, логических схем и построении на их основе триггеров, компараторов, аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей.

Для студентов радиотехнических специальностей ВУЗов, инженерно-технических работников.

Гос. заказ УДК 621.38

ББК 32.85я7

ПРЕДИСЛОВИЕ........................................................................................	8
ВВЕДЕНИЕ..................................................................................................	9
ГЛАВА 1. Пассивные компоненты электронных устройств..................	11
1.1. Резисторы...............................................................................................	11
1.1.1. Система условных обозначений и маркировка резисторов..........	17
1.1.2. Специальные резисторы....................................................................	18
1.2. Конденсаторы........................................................................................	22
1.2.1. Система условных обозначений конденсаторов............................	25
1.2.2. Параметры постоянных конденсаторов..........................................	25
1.2.3. Конденсаторы переменной емкости................................................	25
1.3. Катушки индуктивности.......................................................................	26
ГЛАВА 2. Полупроводниковые диоды.....................................................	29
2.1. Физические основы полупроводниковых приборов.........................	29
2.2. Примесные полупроводники...............................................................	30
2.3. Электронно-дырочный переход..........................................................	34
2.4. Физические процессы в p–n переходе................................................	35
2.5. Контактная разность потенциалов......................................................	37
2.6. Прямое включение p–n перехода........................................................	38
2.7. Обратное включение p–n перехода.....................................................	39
2.8. Вольт-амперная характеристика p–n перехода..................................	41
2.9. Пробой p–n перехода............................................................................	42
2.10. Емкостные свойства p–n перехода....................................................	44
2.11. Полупроводниковые диоды...............................................................	45
2.12. Выпрямительные диоды.....................................................................	46
2.13. Стабилитроны......................................................................................	48
2.14. Варикапы..............................................................................................	51
2.15. Импульсные диоды.............................................................................	54
2.15.1. Диоды с накоплением заряда и диоды Шотки.............................	56
2.16. Туннельные диоды..............................................................................	57
2.17. Обращенные диоды............................................................................	61
ГЛАВА 3. Биполярные транзисторы.........................................................	62
3.1. Режимы работы биполярного транзистора........................................	63
3.2. Принцип действия транзистора...........................................................	64
3.3. Токи в транзисторе................................................................................	67
3.4. Статические характеристики...............................................................	67
3.4.1. Статические характеристики в схеме с ОБ.....................................	68
3.5. Статические характеристики в схеме с ОЭ........................................	70
3.6. Малосигнальные параметры. Дифференциальные параметры транзистора...................................................................................................	73
3.7. Малосигнальная модель транзистора.................................................	78
3.8. Моделирование транзистора................................................................	80
3.9. Частотные свойства транзисторов......................................................	82
3.10. Параметры биполярных транзисторов.............................................	84
ГЛАВА 4. Полевые транзисторы...............................................................	86
4.1. Статические характеристики...............................................................	86
4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором...........................	90
4.2.1. МДП-транзисторы с индуцированным каналом............................	91
4.2.2. Статические характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом...........................................................................	92
4.3. Полевые транзисторы со встроенным каналом.................................	94
4.4. Статические характеристики транзистора со встроенным каналом..........................................................................................................	95
4.5. Способы включения полевых транзисторов......................................	96
4.6. Полевой транзистор, как линейный четырехполюсник....................	98
4.7. Эквивалентная схема и частотные свойства полевых транзисторов.................................................................................................	101
4.8. Основные параметры полевых транзисторов....................................	102
ГЛАВА 5. Полупроводниковые переключающие приборы...................	104
5.1. Диодный тиристор................................................................................	104
5.2. Триодный тиристор...............................................................................	107
5.3. Симметричные тиристоры (симисторы)............................................	107
5.4. Параметры тиристоров.........................................................................	108
ГЛАВА 6. Электронно-лучевые приборы.................................................	110
6.1. Электростатическая система фокусировки луча...............................	111
6.2. Электростатическая отключающая система......................................	113
6.3. Трубки с магнитным управлением электронным лучом..................	115
6.4. Экраны электронно-лучевых трубок..................................................	117
6.5. Системы обозначения электронно-лучевых трубок различного назначения.....................................................................................................	119
6.6. Осциллографические трубки...............................................................	119
6.7. Индикаторные трубки...........................................................................	120
6.8. Кинескопы..............................................................................................	121
6.9. Цветные кинескопы..............................................................................	122
ГЛАВА 7. Элементы и устройства оптоэлектроники..............................	127
7.1. Источники оптического излучения.....................................................	127
7.2. Характеристики светодиодов..............................................................	131
7.3. Основные параметры светодиодов.....................................................	133
7.4. Полупроводниковые приемники излучения......................................	134
7.5. Фоторезисторы......................................................................................	135
7.6. Характеристики фоторезистора...........................................................	136
7.7. Параметры фоторезистора...................................................................	137
7.8. Фотодиоды.............................................................................................	138
7.9. Характеристики и параметры фотодиода...........................................	140
7.10. Фотоэлементы......................................................................................	141
7.11. Фототранзисторы................................................................................	144
7.12. Основные характеристики и параметры фототранзистора............	145
7.13. Фототиристоры....................................................................................	146
7.14. Оптопары.............................................................................................	149
7.15. Входные и выходные параметры оптопар.......................................	150
7.16. Жидкокристаллические индикаторы................................................	152
ГЛАВА 8. Элементы интегральных микросхем.......................................	156
8.1. Пассивные элементы интегральных микросхем...............................	156
8.1.1. Резисторы............................................................................................	157
8.1.2. Конденсаторы.....................................................................................	160
8.1.3. Пленочные конденсаторы.................................................................	162
8.2. Биполярные транзисторы.....................................................................	163
8.3. Диоды полупроводниковых ИМС.......................................................	167
8.4. Биполярные транзисторы с инжекционным питанием.....................	168
8.5. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью...........................	170
ГЛАВА 9. Основы цифровой техники......................................................	175
9.1. Электронные ключевые схемы............................................................	175
9.2. Ключи на биполярном транзисторе....................................................	176
9.3. Ключ с барьером Шотки......................................................................	182
9.4. Ключи на МДП-транзисторах..............................................................	183
9.5. Ключ на комплементарных транзисторах..........................................	186
9.6. Алгебра логики и основные ее законы...............................................	188
9.7. Логические элементы и их классификация........................................	193
9.8. Базовые логические элементы цифровых интегральных микросхем.....................................................................................................	200
9.9. Диодно-транзисторная логика.............................................................	200
9.10. Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ).....................................	202
9.11. Микросхемы ТТЛ серий с открытым коллектором........................	206
9.12. Правила схемного включения элементов.........................................	208
9.13. Эмиттерно-связанная логика.............................................................	210
9.14. Интегральная инжекционная логика (И²Л)......................................	214
9.15. Логические элементы на МДП-транзисторах..................................	215
9.16. Параметры цифровых ИС..................................................................	226
9.17. Триггеры...............................................................................................	226
9.18. Мультивибраторы...............................................................................	235
9.18.1. Мультивибраторы на логических интегральных элементах.......	236
9.18.2. Автоколебательный мультивибратор с постоянным смещением....................................................................................................	236
9.18.3. Автоколебательные мультивибраторы с автоуправляемым смещением....................................................................................................	238
9.18.4. Ждущие мультивибраторы..............................................................	239
ГЛАВА 10. Аналоговые устройства..........................................................	241
10.1. Классификация аналоговых электронных устройств.....................	241
10.2. Основные технические показатели и характеристики аналоговых устройств..................................................................................	244
10.3. Методы обеспечения режима работы транзистора в каскадах усиления........................................................................................................	251
10.3.1. Схема с фиксированным током базы.............................................	251
10.3.2. Схема с фиксированным напряжением база-эмиттер..................	252
10.3.3. Схемы с температурной стабилизацией........................................	253
10.4. Стабильность рабочей точки.............................................................	254
10.5. Способы задания режима покоя в усилительных каскадах на полевых транзисторах..................................................................................	256
10.6. Обратные связи в усилителях............................................................	257
10.6.1. Последовательная обратная связь по напряжению......................	260
10.6.2. Последовательная обратная связь по току....................................	263
10.7. Режим работы усилительных каскадов............................................	265
10.8. Работа активных элементов с нагрузкой..........................................	268
10.9. Усилительный каскад с общим эмиттером......................................	271
10.10. Усилительный каскад по схеме с общей базой.............................	276
10.11. Усилительный каскад с общим коллектором (эмиттерный повторитель).................................................................................................	278
10.12. Усилительный каскад на полевых транзисторах...........................	280
10.12.1. Усилительный каскад с ОИ...........................................................	281
10.12.2. Усилительный каскад с общим стоком (истоковый повторитель).................................................................................................	283
10.13. Усилители постоянного тока...........................................................	284
ГЛАВА 11. Дифференциальные и операционные усилители................	289
11.1. Дифференциальные усилители..........................................................	289
11.2. Операционные усилители..................................................................	296
11.3. Параметры операционных усилителей.............................................	296
11.4. Амплитудно и фазочастотные характеристики ОУ........................	299
11.5. Устройство операционных усилителей............................................	301
11.6. ОУ общего применения......................................................................	304
11.7. Инвертирующий усилитель...............................................................	306
11.8. Неинвертирующий усилитель...........................................................	309
11.9. Суммирующие схемы.........................................................................	310
11.9.1. Инвертирующий сумматор.............................................................	310
11.9.2. Неинвертирующий сумматор.........................................................	311
11.9.3. Интегрирующий усилитель.............................................................	312
11.9.4. Дифференцирующий усилитель.....................................................	313
11.9.5. Логарифмические схемы.................................................................	318
11.9.6. Антилогарифмирующий усилитель...............................................	318
ГЛАВА 12. Компараторы напряжения......................................................	319
ГЛАВА 13. Цифро-аналоговые преобразователи....................................	324
13.1. Параметры ЦАП..................................................................................	324
13.2. Устройство ЦАП.................................................................................	327
ГЛАВА 14. Аналого-цифровые преобразователи....................................	333
14.1. Параметры АЦП..................................................................................	333
14.2. Классификация АЦП..........................................................................	335
14.3. АЦП последовательного приближения............................................	337
ЛИТЕРАТУРА............................................................................................	339

1 / 1111 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 > Следующая >>>

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]

#
11.05.201526.62 Кб12Титульник.doc
#
11.05.201561.44 Кб44Титульники.doc
#
11.05.201514.61 Кб14Титульный лист контрольных работ.docx
#
11.05.201524.06 Кб10Титульный лист.doc
#
22.09.201938.3 Кб2ТК.docx
#
26.09.201917.57 Mб161Ткаченко_Ф_А_Техническая_электроника_00.DOC
#
11.05.201512.57 Mб90Ткаченко_Ф_А_Техническая_электроника_2000.pdf
#
26.11.2019487.94 Кб7ТМ-к.р.-к.п..doc
#
27.10.2018445.95 Кб2ТОК ТиН Вопрос-ответ.doc
#
10.11.2018518.66 Кб10ТП 3-6 (Попов).doc
#
11.05.2015123.48 Кб6ТР 10 - одномерная выборка колупанович.docx

Техническая Электроника

Оглавление