- •Техническая Электроника
- •Оглавление
- •Предисловие
- •Введение
- •Глава 1 пассивные компоненты электронных устройств
- •1.1. Резисторы
- •Числовые коэффициенты первых трех рядов
- •Допустимые отклонения сопротивлений
- •Основные параметры резисторов
- •1.1.1. Система условных обозначений и маркировка резисторов
- •Специальные резисторы
- •1.2. Конденсаторы
- •1.2.1. Система условных обозначений конденсаторов
- •1.2.2. Параметры постоянных конденсаторов
- •1.2.3. Конденсаторы переменной ёмкости
- •1.3. Катушки индуктивности
- •Параметры катушек индуктивности
- •Глава 2 полупроводниковые диоды
- •2.1. Физические основы полупроводниковых приборов
- •2.2. Примесные полупроводники
- •2.3. Электронно-дырочный переход
- •2.4. Физические процессы в p–n переходе
- •2.5. Контактная разность потенциалов
- •2.6. Прямое включение p–n перехода
- •2.7. Обратное включение p–n перехода
- •2.8. Вольт–амперная характеристика p–n перехода
- •2.9. Пробой p–n перехода
- •2.10. Емкостные свойства p–n перехода
- •2.11. Полупроводниковые диоды
- •Система обозначения полупроводниковых диодов
- •2.12. Выпрямительные диоды
- •Параметры выпрямительных диодов
- •2.13. Стабилитроны
- •Параметры стабилитрона
- •2.14. Варикапы
- •Параметры варикапов
- •2.15. Импульсные диоды
- •Параметры импульсных диодов
- •2.15.1. Диоды с накоплением заряда и диоды Шотки
- •2.16. Туннельные диоды
- •Параметры туннельных диодов
- •2.17. Обращенные диоды
- •Глава 3 биполярные транзисторы
- •3.1. Режимы работы биполярного транзистора
- •3.2. Принцип действия транзистора
- •3.3. Токи в транзисторе
- •3.4. Статические характеристики
- •3.4.1. Статические характеристики в схеме с об входные характеристики
- •Выходные характеристики
- •Характеристики прямой передачи
- •Характеристики обратной связи
- •3.5. Статические характеристики транзистора в схеме с оэ
- •3.6. Малосигнальные параметры Дифференциальные параметры транзистора
- •Система z–параметров.
- •Система y–параметров
- •Система h–параметров
- •Определение h–параметров по статическим характеристикам
- •3.7. Малосигнальная модель транзистора
- •3.8. Моделирование транзистора
- •3.9. Частотные свойства транзисторов
- •3.10. Параметры биполярных транзисторов
- •Глава 4 полевые транзисторы
- •4.1. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
- •Статические характеристики
- •4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •4.2.2. Статические характеристики мдп-транзистора с
- •4.3. Полевые транзисторы со встроенным каналом
- •4.4. Cтатические характеристики транзистора со
- •4.5. Cпособы включения полевых транзисторов
- •4.6. Полевой транзистор как линейный четырехполюсник
- •4.7. Эквивалентная схема и частотные свойства
- •4.8. Основные параметры полевых транзисторов
- •Глава 5 полупроводниковые переключающие приборы
- •5.1. Диодный тиристор
- •5.2. Триодный тиристор
- •5.3. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •5.4. Параметры тиристоров
- •Глава 6 электронно-лучевые приборы
- •6.1. Электростатическая система фокусировки луча
- •6.2. Электростатическая отклоняющая система
- •6.3. Трубки с магнитным управлением электронным лучом
- •6.4. Экраны электронно-лучевых трубок
- •6.5. Система обозначения электронно-лучевых трубок
- •6.6. Осциллографические трубки
- •6.7. Индикаторные трубки
- •6.8. Кинескопы
- •6.9. Цветные кинескопы
- •Глава 7 элементы и устройства оптоэлектроники
- •7.1. Источники оптического излучения
- •7.2. Характеристики светодиодов
- •7.3. Основные параметры светодиодов
- •7.4. Полупроводниковые приемники излучения
- •7.5. Фоторезисторы
- •7.6. Характеристики фоторезистора
- •7.7. Параметры фоторезистора
- •7.8. Фотодиоды
- •7.9. Характеристики и параметры фотодиода
- •7.10. Фотоэлементы
- •7.11. Фототранзисторы
- •7.12. Основные характеристики и параметры фототранзисторов
- •7.13. Фототиристоры
- •7.14. Оптопары
- •7.15. Входные и выходные параметры оптопар
- •7.16. Жидкокристаллические индикаторы
- •Параметры жки
- •Глава 8 элементы интегральных микросхем
- •8.1. Пассивные элементы интегральных микросхем
- •8.1.1. Резисторы
- •8.1.2. Конденсаторы
- •8.1.3. Пленочные конденсаторы
- •8.2. Биполярные транзисторы
- •8.3. Диоды полупроводниковых имс
- •8.4. Биполярные транзисторы с инжекционным питанием
- •8.5. Полупроводниковые приборы c зарядовой связью
- •Применение пзс
- •Параметры элементов пзс
- •Глава 9 основы цифровой техники
- •9.1. Электронные ключевые схемы
- •9.2. Ключи на биполярном транзисторе
- •9.3. Ключ с барьером Шотки
- •9.4. Ключи на мдп транзисторах
- •9.5. Ключ на комплементарных транзисторах
- •9.6. Алгебра логики и основные её законы
- •9.7. Логические элементы и их классификация
- •Классификация ис по функциональному назначению
- •Классификация ис по функциональному назначению
- •9.8. Базовые логические элементы цифровых
- •9.9. Диодно–транзисторная логика
- •9.10. Транзисторно–транзисторная логика (ттл)
- •9.11. Микросхемы ттл серий с открытым коллектором
- •9.12. Правила схемного включения элементов
- •9.13. Эмиттерно–связанная логика
- •9.14. Интегральная инжекционная логика (и2л)
- •9.15. Логические элементы на мдп-транзисторах
- •9.16. Параметры цифровых ис
- •9.17. Триггеры
- •Параметры триггеров
- •9.18. Мультивибраторы
- •9.18.1. Мультивибраторы на логических интегральных элементах
- •9.18.2. Автоколебательный мультивибратор с
- •9.18.3. Автоколебательные мультивибраторы с
- •9.18.4. Ждущие мультивибраторы
- •Глава 10 аналоговые устройства
- •10.1. Классификация аналоговых электронных устройств
- •10.2. Основные технические показатели и характеристики аналоговых устройств
- •10.3. Методы обеспечения режима работы транзистора в каскадах усиления
- •10.3.1. Схема с фиксированным током базы
- •10.3.2. Схема с фиксированным напряжением база–эмиттер
- •10.3.3. Схемы с температурной стабилизацией
- •10.4. Стабильность рабочей точки
- •10.5. Способы задания режима покоя в усилительных
- •10.6. Обратные связи в усилителях
- •10.6.1. Последовательная обратная связь по напряжению
- •10.6.2. Последовательная обратная связь по току
- •10.7. Режимы работы усилительных каскадов
- •10.8. Работа активных элементов с нагрузкой
- •10.9. Усилительный каскад с общим эмиттером
- •10.10. Усилительный каскад по схеме с общей базой
- •10.11. Усилительный каскад с общим коллектором
- •10.12. Усилительные каскады на полевых транзисторах
- •10.12.1. Усилительный каскад с ои
- •10.12.2. Усилительный каскад с общим стоком
- •10.13. Усилители постоянного тока
- •Глава 11 Дифференциальные и операционные усилители
- •11.1. Дифференциальные усилители
- •11.2. Операционные усилители
- •11.3. Параметры операционных усилителей
- •11.4. Амплитудно и фазочастотные характеристики оу
- •11.5. Устройство операционных усилителей
- •11.6. Оу общего применения
- •11.7. Инвертирующий усилитель
- •11.8. Неинвертирующий усилитель
- •11.9. Суммирующие схемы
- •11.9.1. Инвертирующий сумматор
- •11.9.2. Неинвертирующий сумматор
- •11.9.3. Интегрирующий усилитель
- •11.9.4. Дифференцирующий усилитель
- •11.9.5. Логарифмические схемы
- •11.9.6. Антилогарифмирующий усилитель
- •Глава 12 компараторы напряжения
- •Глава 13 Цифро-аналоговые преобразователи
- •13.1. Параметры цап
- •13.2. Устройство цап
- •Глава 14 Аналого-цифровые преобразователи
- •14.1. Параметры ацп
- •14.2. Классификация ацп
- •14.3. Ацп последовательного приближения
- •ЛитературА
14.3. Ацп последовательного приближения
Одним из наиболее распространенных методов построения АЦП является метод последовательного приближения, который иногда называют методом поразрядного уравновешивания. В АЦП, использующих данный метод, код в регистрах результата меняется так, чтобы обеспечить по возможности быстрое уравновешивание входного напряжения или тока напряжением или током, получаемым с выхода ЦАП, который в свою очередь подключается к регистру. Упрощенная структурная схема АЦП последовательного приближения представлена на рис. 14.2. Получив команду на выполнение преобразования от генератора тактовых импульсов (ГТИ), регистр последовательных приближений
(РПП) устанавливает значение логической единицы "1" в первом разряде запоминающего регистра и ЦАП. Если при этом Uвх > Uц, то компаратор напряжения (К) выдает в РПП команду оставить логическую единицу в первом разряде запоминающего регистра и подать значение логической единицы во второй разряд ЦАП. Если после этого слова Uвx > Uц, то компаратор дает команду РПП оставить логическую единицу во втором разряде запоминающего регистра и ЦАП и подать напряжение логической единицы на третий разряд.
ЛитературА
1. Гусев В.Г., Гусев В.М. Электроника. – М.: Высшая школа, 1991. – 622 с.
2. Рычина Т.А., Зеленский А.В. Устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы. – М.: Радио и связь, 1989. – 350 с.
3. Резисторы (справочник). Под ред. Четверткова И.В., Терехова В.М. – М.: Радио и связь, 1991. – 527 с.
4. Свитенко В.Я. Электрорадиоэлементы. – М.: Высшая школа, 1989. – 207 с.
5. Электронные приборы / Под ред. Г.Г. Шишкина. – М.: Энергоатомиздат, 1989. – 495 с.
6. Батушев В.А. Электронные приборы. – М.: Высшая школа, 1980. – 382 с.
7. Пасынков В.В., Чиркин Д.К. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая школа, 1987. – 477 с.
8. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 575 с.
9. Булычев А.Л., Прохоренко В.А. Электронные приборы. Мн.: Выш. шк., 1987. – 316 с.
10. Жеребцов И.П. Основы электроники. – Л.: Энергоатомиздат, 1990. – 352 с.
11. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Советское радио, 1980. – 424 с.
12. Аваев Н.А., Наумов В.В., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1991. – 288 с.
13. Скаржепа В.А., Луценко А.Н. Электроника и микросхемотехника. – Киев: Вiща шк., 1989. – Ч. 1. – 431 с. – Ч. 2. – 302 с.
14. Игумнов Д.В., Костюнина Г.П. Полупроводниковые устройства непрерывного действия. – М.: Радио и связь, 1990. – 255 с.
15. Иванов В.И., Аксенов А.И., Юшин А.М. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1984. – 184 с.
16. Расадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1991. – 351 с.
17. Ежимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1987. – 416 с.
18. Коломбет Е.А. Микроэлектронные средства обработки аналоговых сигналов. – М.: Радио и связь, 1991. – 126 с.
19. Мулявка Я. Схемы на операционных усилителях с переключаемыми конденсаторами. – М.: Мир, 1992. – 416 с.
20. Потемкин И.С. Функциональные узлы цифровой автоматики. – М.: Энергоатомиздат, 1988. – 320 с.
21. Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. – М.: Радио и связь, 1990. – 496 с.
22. Фролкин В.Т., Попов Д.И. Импульсные цифровые устройства. – М.: Радио и связь, 1992. – 336 с.
23. Преснухин Д.В., Воробьев Н.В., Шишкевич А.А.. Расчет элементов цифровых устройств. – М.: Высшая школа, 1991. – 526 с.
24. Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы. – М.: Энергоатомиздат, 1983. – 464 с.
25. Токхейм Р. Основы цифровой электроники. – М.: Мир, 1988. – 392 с.
26. Шило В.Л. Популярные цифровые микросхемы. Справочник. – М.: Радио и связь, 1989. – 352 с.
27. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. – М.: Мир, 1986. – Т. 1. – 597 с. – Т. 2. – 590 с.
28. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. – М.: Высшая школа, 1987. – 416 с.
29. Хвощ С.Т., Варлинский Н.И., Попов Е.А. Микропроцессоры и микроЭВМ в системах автоматического управления. – Л.: Машиностроение, 1987. – 640 с.
30. Соломатин Н.М. Логические элементы ЭВМ. – М.: Высшая школа, 1990. – 160 с.
31. Зельдин В.А. Цифровые интегральные микросхемы в информационно-измерительной аппаратуре. – Л.: Энергоатомиздат, 1986. – 280 с.
32. Гальперин М.В. Практическая схемотехника в промышленной автоматике. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 320 с.
33. Функциональные устройства на микросхемах / Под ред. В.З. Найдерова. – М.: Радио и связь, 1985, 199 с.
34. Мурадян А.Г., Разумихин В.И., Тверецкий М.С. Усилительные устройства. – М.: Связь, 1976. – 280 с.
35. Остапенко Г.С. Усилительные устройства. – М.: Радио и связь, 1989. – 400 с.
36. Матавкин В.В. Быстродействующие операционные усилители. – М.: Радио и связь, 1989. – 128 с.
37. Кофлин Р., Дрискол Ф. Операционные усилители и линейные интегральные схемы. – М.: Мир, 1979. – 360 с.
38. Гольденберг Л.М., Малев В.А., Малько Г.Б. Цифровые устройства и микропроцессорные системы. – М.: Радио и связь, 1992. – 256 с.
39. Проектирование импульсных и цифровых радиотехнических систем / Под ред. Ю.М. Казаринова. – М.: Высшая школа, 1985. – 320 с.
40. Применение интегральных микросхем в электронной вычислительной технике. Справочник / Под ред. Б.Н. Файзулаева, Б.В. Тарабрина. – М.: Радио и связь, 1986. – 369 с.
41. Быстродействующие ИМС ЦАП и АЦП и измерение их параметров / Под общ. ред. А.-Й.К. Марцинкявичуса, Э.-А.К. Багданскиса. – М.: Радио и связь, 1988. – 224 с.
42. Вычислительная и микропроцессорная техника / Под ред. Э.В. Евреинова. – М.: Радио и связь, 1991. – 464 с.
43. Богданович М.И., Грель И.Н., Прохоренко В.А., Шалимо В.В. Цифровые интегральные схемы. Справочник. – Мн.: Беларусь, 1991. – 493 с.
44. Якубовский С.В., Ниссельсон Д.И., Кулешова В.И. и др. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы. – М.: Радио и связь. 1990. – 496 с.
45. Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах. Справочник. – М.: Радио и связь, 1990. – 304 с.
46. Ногин В.Н. Аналоговые электронные устройства. – М.: Радио и связь, 1992. – 301 с.
47. Гринфилд Дж. Транзисторы и линейные ИС. – М.: Мир, 1992. – 556 с.
48. Проектирование усилительных устройств на интегральных микросхемах / Под ред. Б.М. Богдановича. – Мн.: Выш. шк., 1980. – 208 с.
49. Алексеев А.Г., Войшвилло Г.В., Трискадо И.А. Усилительные устройства. Сборник задач и упражнений. – М.: Радио и связь, 1986. –160 с.
50. Изьюрова Г.И., Королев Г.В., Терехов В.А. и др. Расчет электронных схем. – М.: Высшая школа, 1987. – 395 с.
51. Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. Л.: Энергоатомиздат, 1988. – 304 с.
52. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и цифровая электрпоника. – М.: Радио и связь, 1996. – 708 с.
53. Аваев Н.А., Шишкин Г.Г. Электронные приборы. –М.: МАИ, 1996. –544 с.
54. Игумнов Д.В., Костюнина Г.П. Полупроводниковые усилительные устройства. – М.: Радио и связь, 1997. – 268 с.