13. Последовательный компенсационный стабилизатор напряжения на транзисторе. Схема и п ринцип работы.

Е сли Uвых превысит зад-ую величину U_A также , VT2 приоткр-ся, ток его коллектора U_{R1 ;}

U_б1, U_Э, и Uвых возвращаясь к зад-му значению.

VT3 осуществляет защиту от перегрузок по току и Кз нагрузки. пока U_R3 меньше 0,6 B VT3 заперт и не влияет на работу схемы. При повышении указанного напряжения VT3 открывается и ответвляет часть Iб1, а значит, ограничивает Iэ1= Iб1 * h21, а значит Iвых.

13. Интегральный стабилизатор напряжений. Схема. Принцип работы.

UА сравнивается с опорным и если UА>Uоп, UВ снижается и снижается Uвых до требуемого.

R4 VT1 осуществляет защиту от перегрузок по току и КЗ.

P=(Uвх-Uвых)Iн, Р1=5*2=10Вт, Р2=20*2.5=50Вт

Транзисторы включены по схеме Дарлингтона.

VT подключён к ДА по схеме Дарлингтона с целью увеличения вых тока. Защитная характеристика имеет отриц наклон, что позволяет ограничить рассеиваемую мощность на транзисторе, мощность при КЗ нагрузки.

Р3=20*0,6=12Вт. Она обеспечивается след образом. В нормальном режиме работы и макс. нагрузке Uвых=15В, а UА=17В, а Uв определяется R8, R10 Uв=15,5. VT2 закрыт. При КЗ нагрузки Uвых=0, Uэ2=0, а Uв= UА≈0,6 т.е. Iэ=0.6А

VD и VS осуществляет защиту нагрузки от перенапряжений, если Uвых превысит 16В. VD пробьётся и откроет VS, кот закоротит нагрузку и пропустит через себя ток КЗ, что вызовет перегорание F. VS рассчитан на многократную коротковременную токовую прегрузку.

13. Тепловое сопротивление.

Тепловое сопротивление показывает, на сколько градусов по Цельсию увеличится тем-ра кристалла при подведении к нему мощности в 1 Вт.

, где Р – мощность.

Гладкая и чистая поверхность металла имеет маленькое тепловое сопротивление, а грязная и неровная — высокое. Тепловое сопротивление транзистора зависит от конструкции его корпуса, площади полупроводникового кристалла и, как ни странно, от частоты переключения и скважности импульсов. (Скважность импульса - отношение периода следования (повторения) импульса к его длительности).

13. Параллельное и последовательное включения транзисторов. Схемы и их назначение.

Параллельное:

О бязательно включение Rэ, т.к. они выравнивают токи транзистора, т.к. они осуществляют ООС по току. Включение Rб желательно, т.к. они выравнивают токи баз на напряжение Uбэ

При входном напряжении меньше 2В (рис 7.6) отрыт транзистор VT1. Через него протекает ток, который определяется резистором R1. При входном напряжении больше 2В открывается транзистор VT2, который уменьшает напряжение на базе транзистора VT1 и тем самым уменьшает ток, протекающий через него. При напряжении на входе более 9В транзистор VT2 находится в насыщении. Ток в схеме определяется резисторами R3 и R4.

Рис.7.6 Схема с параллельным включением транзисторов

Последовательное:

О существляют усиление по напряжению

Управляемая напряжением схема последовательного включения транзисторов

Двухполюсник (рис.7.5) обладает N-образной характеристикой. При нулевом входном напряжении транзистор VT1 закрыт, а второй транзистор открыт источником напряжения. В цепи базы транзистора VT2 течет ток, определяемый резисторами R2 и R3. При увеличении входного напряжения начинает протекать ток, который проходит через резистор R4 и транзистор VT2. Дальнейшее увеличение входного напряжения открывает транзистор VT1. C открыванием транзистора VT1 закрывается транзистор VT2. В результате входной ток уменьшается.

Рис. 7.5 Управляемая напряжением схема последовательного включения транзисторов