Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ответы по электронике.doc
Скачиваний:
2
Добавлен:
22.09.2019
Размер:
4.01 Mб
Скачать

2.1. Транзистор со встроенным каналом.

Основой такого транзистора является кристалл кремния p- или n-типа проводимости. Для транзистора с n-типом проводимости:

U зи = 0; Ic1;

Uзи > 0; Ic2 > Ic1;

Uзи < 0; Ic3 < Ic1;

Uзи << 0; Ic4 = 0.

Принцип действия: Под действием электрического поля между стоком и истоком через канал будут протекать основные носители зарядов, т. е. будет существовать ток стока. При подаче на затвор положительного напряжения электроны как неосновные носители подложки будут притягиваться в канал. Канал обогатится носителями заряда, и ток стока увеличится.

При подаче на затвор отрицательного напряжения электроны из канала будут уходить в

подложку, канал обеднится носителями зарядов, и ток стока уменьшится. При достаточно

больших напряжениях на затворе все носители заряда могут из канала уходить в подложку, и

ток стока станет равным нулю.

Вывод: МОП – транзисторы со встроенным каналом могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения зарядов.

2 .2. Транзисторы с индуцированным каналом.

Uз = 0; Ic1 = 0;

Uз < 0; Ic2 = 0;

Uз > 0; Ic3 > 0.

При напряжениях на затворе, равных или меньше нуля, канал отсутствует, и ток стока будет равен нулю. При положительных напряжениях на затворе электроны, как не основные носители заряда подложки p-типа, будут притягиваться к затвору, а дырки будут уходить вглубь подложки. В результате в тонком слое под затвором концентрация электронов превысит концентрацию дырок, т. е. в этом слое полупроводник поменяет тип своей проводимости. Образу-ется (индуцируется) канал, и в цепи стока потечёт ток.

Вывод: МОП – транзисторы с индуцированным каналом могут работать только в режиме обогащения.

МОП – транзисторы обладают бόльшим входным сопротивлением, чем транзисторы с управ-

ляемым переходом. Rвх = (10^13 ÷ 10^15) Ом.

  1. Достоинства полевого транзистора по сравнению с биполярным транзистором. Недостатки. Достоинства полевого транзистора с p-n переходом. Недостатки.

Сравнение ПТ и БПТ:

Достоинства ПТ:

1. высокое и очень высокое R входное, обусловленное токами утечки р-п перехода запертого или подзатворного диэлектрика

2. отрицательный температурный коэффициент тока стока, что позволяет не применять дополнительных мер для температурной стабилизации в усилительных каскадах в режиме АВ;

3. отсутствие вторичного пробоя высоковольтных МОП ПТ;

4. область безопасной работы ограничена максимальной рассеиваемой мощностью, максимальным током стока.

5. линейность сопротивления канала, что позволяет создание на их основе переключателей и регуляторов 2-х полярных сигналов, а также УНЧ (усилит. низких частот) очень высокого качества.

Возможность получения очень низких значений сопротивления канала до 3 мОм для низковольтных резисторов

Недостаток ПТ:

- худшие усилительные свойства по сравнению с БПТ.

- необходимость обеспечения безопасных режимов хранения и эксплуатации МДП (металл - диэлектрик - полупроводник) транзисторов в связи с их большой склонностью к повреждениям статическим электричеством

ПТ с управляющим р-n переходом содержит три п/п области одного и того же типа проводимости, называемые истоком - каналом - стоком.

Достоинство ПТ с р-п переходом

Лучшие усилительные и шумовые характеристики, не боятся статического электричества

Недостаток ПТ с р-п переходом

Более низкое входное сопротивление

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.