Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ответы по электронике.doc
Скачиваний:
2
Добавлен:
22.09.2019
Размер:
4.01 Mб
Скачать
  1. Каскад с об: схема включения, значения параметров Rвх, Rвых, Ku, Ki, φ. Достоинства, нед остатки и применение.

О бщая база имеет низкое Rвх, обусловленное высоким сопротивлением эммитерного перехода и отсутствием стабилизирующих ОС, высокое Rвых обусловлено большим сопротивлением закрытого коллекторного p-n перехода. , т.к.

,

Используется в качестве каскадных схем, а также в выходных каскадах Uвч, Свч усилителях, т.к. в этой схеме отсутствует эффект Миллера, вызывающий уменьшение усиления на высоких частотах.

Достоинства: Отсутствие фазового сдвига и эффекта Миллера, достаточное Ku.

Недостатки: Высокое Rвых, низкое Rвх, отсутствие усиления по току.

Сравнительный анализ схем включения транзистора

Параметр

ОЭ

ОБ

ОК

Rвх

100Ом – 1кОм

1 – 10Ом

10 – 100кОм

Rвых

1 – 10кОм

100кОм – 1Мом

100Ом – 1кОм

Кi

10 – 100

<1(близко)

10 – 100

КU

10 – 100

10 – 100

<1(близко)

Кp

100 – 10000

10 – 100

10 – 100

Φ

π

0

0

  1. Статические характеристики биполярных транзисторов, h- параметры, схемы замещения транзисторов.

Статические характеристики:

Параметры транзисторов являются величинами, характеризующими их свойства.

Все параметры можно разделить на собственные (первичные) и вторичные.

Собственные параметры характеризуют свойства самого транзистора независимо от схемы его включения. К ним относятся: rэ – сопротивление эмиттера, rк – сопротивление коллектора, rб – сопротивление базы. Значения сопротивлений рассматриваются по отношению к переменной составляющей.

С учетом этих параметров транзистор, включенный по схеме с ОЭ, может быть представлен эквивалентной схемой.

Схема замещения:

Г енератор тока отражает усилительные свойства схемы, а уменьшение коллекторного сопротивления на 1-α – тот факт, что к эмиттерному переходу прикладывается часть напряжения Uкэ.

Статическими характеристиками транзисторов называют графики, выражающие функциональную зависимость между токами и напряжениями транзистора.

С татическими характеристиками являются статический коэффициент передачи тока эмиттера α и статический коэффициент передачи тока базы β.

С точки зрения системы вторичных параметров транзистор рассматривают как некоторый четырехполюсник со следующей схемой замещения.

Эквивалентная схема с h-параметрами:

1 ) Входное сопротивление при коротко замкнутом выходе при , к.з. на выходе по переменному току, .

2)Коэффициент обратной связи по напряжению при х.х. на входе, . Этот коэффициент показывает, какая доля выходного переменного напряжения передается на вход транзистора вследствие отрицательной обратной связи в нем. (Эффект Эрли, бэ=-0,01 кэ [ Iк=const])

3) Коэф.усиление тока при к.з. на выходе по переменному току , при , . Показывает коэффициент усиления переменного тока транзистором в режиме работы без нагрузки.

4) Выходная проводимость при х.х. на входе , при , – часто используют выходное сопротивление.

Представляет собой внутреннюю проводимость для переменного тока между выходными зажимами транзистора.

Тут вы можете оставить комментарий к выбранному абзацу или сообщить об ошибке.

Оставленные комментарии видны всем.