- •1. Виды диэлектрической поляризации.
- •2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
- •3. Релаксационные виды поляризации Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов (температуры и частоты).
- •4. Атомная поляризуемость и поляризуемость смещения. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
- •5. Электропроводность твердых диэлектриков. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости.
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
- •7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
- •1) Потери на электропроводность;
- •2) Релаксационные потери;
- •3) Ионизационные потери;
- •9. Виды диэлектрических потерь. Диэлектрические потери в газообразных и твердых диэлектриках.
- •13. Сегнетоэлектрики. Температура Кюри.
- •14. Зависимость поляризованности р и диэлектрической проницаемости ε от напряженности электрического поля е сегнетоэлектриков. Петля диэлектрического гистерезиса.
- •15. Применение диэлектрических материалов в микросхемах в качестве пассивных элементов в составе моп транзисторов.
- •Глава 4. Униполярные транзисторы
- •16. Керамические диэлектрические материалы. Конденсаторная, установочная керамика и керамика для подложек микросхем. Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике.
- •17. Основы керамической технологии материалов электронной техники.
- •18. Пробой газообразных диэлектриков. Закон Пашена. Пробой газов в неоднородном электрическом поле.
- •19. Электрический и тепловой пробой.
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •20. Пленочные резистивные материалы. Резисторы. Параметры резисторов. Система обозначений и маркировка резисторов.
- •21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
- •22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
- •24. Эффект Холла и Пельтье. Эффект Холла.
- •25. Медь и ее сплавы. Алюминий и его сплавы.
- •26. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Области их применения
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •28. Магнитные потери. Потери на вихревые токи. Потери в катушках индуктивности.
- •29 . Ферриты. Магнитные подрешетки в структурах шпинели, перовскита и граната.
- •30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
- •31. Требования, предъявляемые к свойствам магнитомягких материалов. Магнитные материалы на основе железа.
- •32. Магнитооптические тонкопленочные эффекты. Эффект Фарадея. Феррит-гранаты Поляризация света
- •Феррит-гранаты
- •33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
- •Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •35. Междолинные переходы. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Принцип генерирования свч-колебаний, основанный на использовании эффекта Ганна.
- •36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
- •37. Выскотемпературные сверхпроводящие материалы. Эффект Джозеффсона. Текстурированная втсп керамика.
- •§ 6.1. Стационарный эффект Джозефсона
- •38. Классификация диэлектрических материалов.
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •Конденсаторная керамика
- •39. Коррозионная устойчивость металлов. Применение уравнения изотермы Вант-Гоффа для оценки окисляемости металлов.
8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
Диэлектрические потери по их физической природе и особенностям подразделяют на четыре основных вида:
1) Потери на электропроводность;
2) Релаксационные потери;
3) Ионизационные потери;
4) резонансные потери.
1)Потери на электропроводность обнаруживаются в диэлектриках, имеющих заметную электропроводность, объемную или поверхностную. Если при этом потери от других механизмов несущественны, то частотные зависимости Ра и tgδ, как упоминалось, могут быть получены при использовании параллельной эквивалентной схемы замещения реального диэлектрика. Диэлектрические потери этого вида не зависят от частоты приложенного напряжения; tgδ умень шается с частотой по гиберболическому закону (рис.6.14) . Значение тангенса угла диэлектрических потерь при данной частоте может быть вычислено по формуле
tgδ=1,8•1020/εfρ (6.27)
если известно ρ, измеренное на постоянном токе, и ε , измеренная при данной частоте. Потери сквозной электропроводности возрастают с ростом температуры по экспоненциальному закону (см.ниже):
Рaт = А ехр (—b/Т),
где A, b — постоянные материала.
В зависимости от температуры tgδ изменяется по тому же закону, так как можно считать, что реактивная мощность (U2ωC) от температуры практически не зависит.
2) Релаксационные потери обусловлены активными составляющими поляризационных токов. Они характерны для диэлектриков, обладающих замедленными видами поляризации, и проявляются в области достаточно высоких частот, когда сказывается отставание поляризации от изменения поля. Рассмотрим происхождение релаксационных потерь на примере дипольно-релаксационной поляризации полярных жидкостей, где физическая картина более проста и отчетлива.
При воздействии на диэлектрик синусоидального напряжения высокой частоты дипольные молекулы не успевают ориентироваться в вязкой среде и следовать за изменением поля. Отставание поляризации можно охарактеризовать зависимостями, показанными на рис. 6.15,а. Оно выражается в появлении некоторого угла фазового запаздывания ψ; между поляризованностью диэлектрика Рдр и напряженностью поля.
С помощью кривых рис. 6.15,а легко показать, что зависимость Рдр (Е) при наличии фазового сдвига между ними имеет форму эллипса (рис. 6.15,6). Интеграл по замкнутому контуру о-б-г-е-о, т.е. площадь петли переполяризации, характеризует энергию, затрачиваемую электрическим полем на поляризацию единицы объема диэлектрика за один период:
При низкой температуре из-за большой вязкости жидкого диэлектрика велико время релаксации поляризации (τo>>1/ ω), возможности поворота диполей в вязкой среде крайне ограничены. Поэтому амплитудное значение поляризованности Рдр оказывается незначительным;
Рис. 6.16. Особенности релаксационных потерь в диэлектриках
соответственно, мал и тангенс угла диэлектрических потерь. С повышением температуры вязкость жидкости уменьшается, а время релаксации приближается к времени периода изменения поля. Дипольно-релаксационная поляризация получает большее развитие, благодаря чему возрастает tgδдp. При еще более высоких температурах время релаксации становится существенно меньше времени периода изменения напряженности поля. Поэтому практически исчезает запаздывание поляризации относительно поля (т. е. уменьшается угол отставания по фазе ψ) и уменьшаются релаксационные потери.
С повышением частоты максимум tgδдp смещается в область более высокой температуры. Это связано с тем, что при меньшем времени полупериода инерционность поворота диполей будет сказываться даже при малых то, т. е. при более высоких температурах.
На рис. 6.16,6 приведены два максимума частотной зависимости tgδдp при двух температурах; еще раз подчеркивается различие в частотных зависимостях tgδдp и активной мощности Ра.др (на рисунке кривая Ра.др дана только для температуры T2). Возрастание потерь с ростом частоты обусловлено усиливающимся отставанием поляризации от изменения поля (возрастает угол ψ). Когда же частота становится настолько велика, что то τo>>1/ ω, дипольно-релаксационная поляризация выражена очень слабо, т.е. амплитудное значение поляризованности Рдр оказывается незначительным. Поэтому малы потери энергии за период Эдр, а соответственно мало значение tgδдp, характеризующего эти потери. Однако на высоких частотах велико число циклов поляризации диэлектрика в единицу времени и активная мощность, выделяющаяся в диэлектрике, остается практически постоянной, несмотря на уменьшение tgδдp с ростом частоты, что находится в соответствии с формулой (6.17).
.На рис. 6.16,в показано взаимное расположение частотных зависимостей трех параметров диэлектрика εдр, ε"др и tgδдp характеризующих дипольно-релаксационную поляризацию.
Рис. 6.16, г—е характеризует изменение потерь с учетом вкладов релаксационного механизма и электропроводности диэлектрика.
Релаксационные потери наблюдаются и у линейных диэлектриков с ионно-релаксационным и электронно-релаксационным механизмами поляризации.
Потери, обусловленные миграционной поляризацией, имеются в материалах со случайными примесями или отдельными компонентами, намеренно введенными в диэлектрик для требуемого изменения его свойств. Случайными примесями в диэлектрике могут быть, в частности, полупроводящие вещества, например, восстановленные окислы, образовавшиеся в диэлектрике или попавшие в него в процессе изготовления. Ввиду разнообразия структуры неоднородных диэлектриков и особенностей содержащихся в них компонентов не существует общей формулы расчета диэлектрических потерь.
3) Ионизационные потери свойственны диэлектрикам в газообразном состоянии. Механизм этого вида потерь приведен далее при рассмотрении диэлектрических потерь в связи с агрегатным состоянием вещества.
4) Резонансные потери наблюдаются в некоторых газах при строго определенной частоте и выражаются в интенсивном поглощении энергии электромагнитного поля. Резонансные потери возможны и в твердых телах, если частота вынужденных колебаний, вызываемая электрическим полем, совпадает с частотой собственных колебаний частиц твердого вещества. Наличие максимума в частотной зависимости tgδ характерно и для резонансного механизма потерь, однако при изменении температуры максимум не смещается.