- •1. Виды диэлектрической поляризации.
- •2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
- •3. Релаксационные виды поляризации Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов (температуры и частоты).
- •4. Атомная поляризуемость и поляризуемость смещения. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
- •5. Электропроводность твердых диэлектриков. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости.
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
- •7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
- •1) Потери на электропроводность;
- •2) Релаксационные потери;
- •3) Ионизационные потери;
- •9. Виды диэлектрических потерь. Диэлектрические потери в газообразных и твердых диэлектриках.
- •13. Сегнетоэлектрики. Температура Кюри.
- •14. Зависимость поляризованности р и диэлектрической проницаемости ε от напряженности электрического поля е сегнетоэлектриков. Петля диэлектрического гистерезиса.
- •15. Применение диэлектрических материалов в микросхемах в качестве пассивных элементов в составе моп транзисторов.
- •Глава 4. Униполярные транзисторы
- •16. Керамические диэлектрические материалы. Конденсаторная, установочная керамика и керамика для подложек микросхем. Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике.
- •17. Основы керамической технологии материалов электронной техники.
- •18. Пробой газообразных диэлектриков. Закон Пашена. Пробой газов в неоднородном электрическом поле.
- •19. Электрический и тепловой пробой.
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •20. Пленочные резистивные материалы. Резисторы. Параметры резисторов. Система обозначений и маркировка резисторов.
- •21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
- •22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
- •24. Эффект Холла и Пельтье. Эффект Холла.
- •25. Медь и ее сплавы. Алюминий и его сплавы.
- •26. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Области их применения
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •28. Магнитные потери. Потери на вихревые токи. Потери в катушках индуктивности.
- •29 . Ферриты. Магнитные подрешетки в структурах шпинели, перовскита и граната.
- •30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
- •31. Требования, предъявляемые к свойствам магнитомягких материалов. Магнитные материалы на основе железа.
- •32. Магнитооптические тонкопленочные эффекты. Эффект Фарадея. Феррит-гранаты Поляризация света
- •Феррит-гранаты
- •33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
- •Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •35. Междолинные переходы. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Принцип генерирования свч-колебаний, основанный на использовании эффекта Ганна.
- •36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
- •37. Выскотемпературные сверхпроводящие материалы. Эффект Джозеффсона. Текстурированная втсп керамика.
- •§ 6.1. Стационарный эффект Джозефсона
- •38. Классификация диэлектрических материалов.
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •Конденсаторная керамика
- •39. Коррозионная устойчивость металлов. Применение уравнения изотермы Вант-Гоффа для оценки окисляемости металлов.
6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
В случае выполнения закона Ома, что наблюдается в слабых электрических полях (см. гл. 3.2—3.4), плотность тока сквозной проводимости, или плотность тока j (j = I/S, А/м2), прямо пропорциональна напряженности поля:
j = γE. (3.5)
Формулу (3.5) можно получить, если в уравнение I = U/R подставить значения U = Eh и R = (ph)/S = h/(γS).
В свою очередь, удельная объемная электропроводность γ, См/м, определяется концентрацией заряженных частиц и, м−3, величиной их заряда q, Кл, и подвижностью а [м2/(В*с)]:
γ = nqa. (3.6)
Подвижность носителя заряда а — отношение его дрейфовой скорости V к напряженности электрического поля Е, вызывающего эту скорость, т.е. а = V/E [(м/с)/(В/м)] = м2/(В*с). Для воздуха при нормальных условиях в слабых полях подвижность отрицательных ионов а_ = 1,87*10−46 м2/(В*с), положительных ионов — a+ =1,37*10−4 м2/(В*с); подвижность электронов вследствие их малой массы больше, чем подвижность ионов, и составляет порядка 3700*10−4 м2/(В*с), т.е. в ~ 1000 раз выше, чем у ионов. В жидких диэлектриках при 1,18 К а_ = 7*10−6 м2/(В*с), a+ = 9*10−6 м2/(В*с). В твердых диэлектриках подвижность ионов еще ниже. Например, в алюмосиликатной керамике она составляет лишь 10−13—10−16 м2/(В*с), а у электронов ~ 10−4м2 /(В*с). Формула (3.6) не связана с природой носителя заряда, поэтому является общей для всех возможных видов электропроводности.
Несмотря на то что подвижность электронов в диэлектриках более чем на три десятичных порядка выше, чем подвижность ионов, электропроводность в диэлектриках носит ионный характер, поскольку для образования свободных ионов (например, при диссоциации [см. ниже] ионогенной примеси) требуется существенно меньшая энергия, чем для образования свободных электронов. Например, в кристалле NaCl для перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости требуется энергия ∆W= 6 эВ, а для отрыва иона Na+ из решетки NaCl необходима энергия, равная энергии диссоциации Wдис = 0,85 эВ. Поэтому в диэлектриках из-за существенно более высокой концентрации свободных ионов (а не электронов) ионная электропроводность является доминирующей, определяющей. С повышением температуры концентрация п свободных ионов возрастает экспоненциально:
(3.7)
где no — число ионов в 1 м3при Т → ∞; Wдис — энергия диссоциации, эВ; kT — тепловая энергия (k — постоянная Больцмана (k= 8,617*10-5 эВ/К; Т— температура, К).
Подвижность а ионов в диэлектрике с увеличением температуры экспоненциально возрастает. Объясняется это тем, что в соответствии с «прыжковым» механизмом электропроводности дрейфовая подвижность ионов осуществляется путем их перескока с ловушки на ловушку, разделенных потенциальным барьером Wпер. Ловушками называют области локализации свободных носителей заряда, которыми могут быть как электрически заряженные, так и нейтральные дефекты. «Прилипая» к ловушкам, носители заряда находятся на них тем дольше, чем выше потенциальный барьер Wnep. Поэтому транспорт носителей заряда осуществляется по мелким ловушкам, т.е. по ловушкам с низкими значениями Wпер. Вероятность тепловых перескоков носителей заряда (например, ионов) с ловушки на ловушку пропорциональна ехр(— Wnep/kT). Следовательно, с увеличением температуры подвижность а свободных ионов растет экспоненциально:
(3.8)
где ао — максимальная подвижность иона; Wnep — энергия перемещения иона с ловушки на ловушку (энергия перехода иона из одного равновесного положения в другое).
Подвижность ионов зависит от их размера и величины заряда: чем меньше размер и величина заряда иона, тем выше его подвижность.
Подставив значения n и а в формулу (3.6) и объединив постоянные no и ao одним коэффициентом А, получим
(3.9)
где W — энергия, необходимая для образования и дрейфа иона
(W= Wдис + Wпер )
Рис. 3.4. Зависимость удельной электропроводности γ жидких полярных (I) и неполярных (2) диэлектриков от температуры T
С увеличением температуры удельная электропроводность возрастает (рис. 3.4) в результате увеличения как концентрации n, так и подвижности а свободных ионов. При этом в случае жидких диэлектриков доминирующим является увеличение подвижности а свободных ионов, а в случае твердых диэлектриков — увеличение концентрации n свободных ионов. Из рис. 3.4 также видно, что электропроводность полярных диэлектриков больше, чем неполярных, и при нагревании возрастает более интенсивно.
3.1.4. ТКр диэлектриков
Важной характеристикой электрических свойств диэлектриков является температурный коэффициент удельного сопротивления ТКр (или αр, К-1):
(3.10)
Средний температурный коэффициент удельного сопротивления
ТКр, К-1, для заданного интервала температур можно определить из выражения:
(3.11)
Комплексная удельная электропроводность
Удельная электропроводность диэлектрика при переменном токе может быть выражена в комплексной форме
γπ = γ/+jγ//, (3.12)
где γ' — действительная часть, соответствующая активной удельной проводимости и совпадающая по фазе с напряжением γ' = γr = U/R = ωεεotgδ (см. гл. 4.2), где U — амплитудное значение напряжения; γ" — мнимая часть — отражает реактивный компонент удельной проводимости, опережающей напряжение по фазе на π/2, γ" = γr = U/Xc= UωC= ωεoε, где Xс — реактивная составляющая сопротивления (см. гл. 4.2) ;j — мнимая единица, (j = √−1)
Особенности электропроводности газообразных, жидких и твердых диэлектриков в зависимости от их природы, напряженности электрического поля рассматриваются ниже.