- •1. Виды диэлектрической поляризации.
- •2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
- •3. Релаксационные виды поляризации Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов (температуры и частоты).
- •4. Атомная поляризуемость и поляризуемость смещения. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
- •5. Электропроводность твердых диэлектриков. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости.
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
- •7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
- •1) Потери на электропроводность;
- •2) Релаксационные потери;
- •3) Ионизационные потери;
- •9. Виды диэлектрических потерь. Диэлектрические потери в газообразных и твердых диэлектриках.
- •13. Сегнетоэлектрики. Температура Кюри.
- •14. Зависимость поляризованности р и диэлектрической проницаемости ε от напряженности электрического поля е сегнетоэлектриков. Петля диэлектрического гистерезиса.
- •15. Применение диэлектрических материалов в микросхемах в качестве пассивных элементов в составе моп транзисторов.
- •Глава 4. Униполярные транзисторы
- •16. Керамические диэлектрические материалы. Конденсаторная, установочная керамика и керамика для подложек микросхем. Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике.
- •17. Основы керамической технологии материалов электронной техники.
- •18. Пробой газообразных диэлектриков. Закон Пашена. Пробой газов в неоднородном электрическом поле.
- •19. Электрический и тепловой пробой.
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •20. Пленочные резистивные материалы. Резисторы. Параметры резисторов. Система обозначений и маркировка резисторов.
- •21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
- •22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
- •24. Эффект Холла и Пельтье. Эффект Холла.
- •25. Медь и ее сплавы. Алюминий и его сплавы.
- •26. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Области их применения
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •28. Магнитные потери. Потери на вихревые токи. Потери в катушках индуктивности.
- •29 . Ферриты. Магнитные подрешетки в структурах шпинели, перовскита и граната.
- •30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
- •31. Требования, предъявляемые к свойствам магнитомягких материалов. Магнитные материалы на основе железа.
- •32. Магнитооптические тонкопленочные эффекты. Эффект Фарадея. Феррит-гранаты Поляризация света
- •Феррит-гранаты
- •33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
- •Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •35. Междолинные переходы. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Принцип генерирования свч-колебаний, основанный на использовании эффекта Ганна.
- •36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
- •37. Выскотемпературные сверхпроводящие материалы. Эффект Джозеффсона. Текстурированная втсп керамика.
- •§ 6.1. Стационарный эффект Джозефсона
- •38. Классификация диэлектрических материалов.
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •Конденсаторная керамика
- •39. Коррозионная устойчивость металлов. Применение уравнения изотермы Вант-Гоффа для оценки окисляемости металлов.
14.1.4. Антиферромагнетики
Антиферромагнетики — это материалы, атомы (ионы) которых обладают магнитным моментом, обусловленным, как у пара- и ферромагнетиков, нескомпенсированными спиновыми магнитными моментами электронов. Однако у антиферромагнетиков магнитные моменты атомов под действием обменного взаимодействия (у них обменный интеграл отрицательный; см. гл. 14.2.1) приобретают не параллельную ориентацию, как у ферромагнетиков, а антипараллельную (противоположную) (см. рис. 14.1, в) и полностью компенсируют друг друга. Поэтому антиферромагнетики не обладают магнитным моментом, и их магнитная восприимчивость km близка по величине к km парамагнетиков. Для антиферромагнетиков, как и для ферромагнетиков, существует определенная температура, называемая точкой Нееля Тн, при (и выше) которой антиферромагнитный порядок разрушается и материал переходит в парамагнитное состояние.
К антиферромагнетикам относятся: Mn, Cr, CuO, NiO, FeO, Cr2O3, NiCr, MnO, Mn2O3, MnS, VO2 и довольно большое количество других соединений.
14.1.5. Ферримагнетики
Ферримагнетики имеют доменную структуру, состоящую из двух или более подрешеток, связанных антиферромагнитно (антипараллельно). Поскольку подрешетки образованы атомами (ионами) различных химических элементов или неодинаковым их количеством, они имеют различные по величине магнитные моменты, направленные антипараллельно (рис. 14.1, г). В результате появляется отличная от нуля разность магнитных моментов подрешеток, приводящая к спонтанному намагничиванию кристалла.
Таким образом, Ферримагнетики можно рассматривать как нескомпенсированные антиферромагнетики. Свое название эти материалы получили от ферритов — первых нескомпенсированных антиферромагнетиков, а магнетизм ферритов назвали ферримагнетизмом. У ферритов доменная структура, как и у ферромагнетиков, образуется при температурах ниже точки Кюри. К. ферритам применимы все магнитные характеристики, введенные для ферромагнетиков. В отличие от ферромагнетиков они имеют меньшую величину индукции насыщения, более сложную температурную зависимость индукции и в ряде случаев высокое значение удельного сопротивления (ρ= 10─3 —1010 Ом•м).
34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
Ферромагнетизм является частным случаем парамагнетизма. У ферромагнетиков, как и у парамагнетиков, магнитные моменты атомов (ионов) обусловлены нескомпенсированными в них спиновыми магнитными моментами электронов. Однако у ферромагнетиков в отличие от парамагнетиков магнитные моменты атомов расположены не беспорядочно, а в результате обменного взаимодействия (см. ниже гл. 14.2.1) ориентированы параллельно друг другу (рис. 14.1, б) с образованием магнитных доменов.
Ферромагнетизм в металлах объясняется наличием обменноговзаимодействия, которое образуется между соприкасающимися атомами, а также взаимной ориентацией спиновых магнитных моментов (см. гл. 14.2.1). В ферримагнетиках магнитные моменты ионов ориентированы антипараллельно и обменное взаимодействие происходит не непосредственно, а через ион кислорода О2─ (рис. 14.3). Такое обменное взаимодействие называют косвенным обменом или сверхобменом. Оно по мере приближения промежуточного угла к 180° усиливается
Принцип косвенного обменного взаимодействия
Ферриты представляют собой сложные системы окислов металлов с общей химической формулой MeO-Fe2O3, где МеО — окисел двухвалентного металла. Ферриты — это ферримагнитная керамика. Высокое удельное сопротивление практически исключает возникновение в ферритах вихревых токов при воздействии на них переменных магнитных полей, что, в свою очередь, позволяет применять ферриты в качестве магнитных материалов в диапазоне радиочастот, включая СВЧ.
В электротехнике в качестве магнитных материалов широкое применение нашли ферромагнитные и ферримагнитные материалы. Диамагнетики и парамагнетики используют в качестве рабочих тел в квантовых парамагнитных усилителях и генераторах (например, рубин — это диамагнетик А12О3, содержащий -0,05% парамагнетика Сг).
МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ФЕРРОМАГНЕТИКОВ, Природа ферромагнетизма
Согласно принципу Паули, в каждом квантовом состоянии могут находиться два электрона с противоположными спинами. У таких электронов результирующая спиновых магнитных моментов равна нулю, и их называют спаренными или обобществленными электронами. В атомах диамагнетиков все электроны спарены, поэтому их результирующий спиновой магнитный момент равен нулю. В атомах ферро-, антиферро-, ферри- и парамагнетиков имеются один или несколько неспаренных электронов, поэтому они обладают магнитным моментом, который обусловлен нескомпенсированным спиновым магнитным моментом неспаренных электронов (или иначе спиновым магнитным моментом атома). Например, в атомах ферромагнетиков количество неспаренных электронов равно: у железа 4, кобальта 3 и никеля 2, и их спиновые магнитные моменты расположены параллельно друг другу. В атомах антиферромагнетиков количество неспаренных электронов равно: у марганца 5, у хрома 4, и их спиновые магнитные моменты ориентированы антипараллельно. В атомах парамагнетиков, таких, как ванадий, неспаренных электронов 3, а титана 2, и их спиновые магнитные моменты ориентированы хаотично.
Таким образом, наличие в атомах электронов с нескомпенсированным спиновым магнитным моментом является важным условием для возникновения ферромагнетизма, но не единственным.
Известно (см. гл. 1.4), что ковалентная связь между двумя соседними атомами (ионами) в атомных кристаллах осуществляется в Результате попарного обобществления их электронов, т.е. когда электронные пары становятся общими для этих двух атомов. Обобществление электронов сопровождается перераспределением электронной плотности и изменением энергии системы. Электронное облако «втягивается» в пространство между ядрами соседних атомов, и плотность его в межъядерном пространстве повышается (см. рис. 1.2).
R=0,53 A d=0,74 A
Рис.1.2 Схематическое изображение строение атома и и молекулы водорода.
Образовавшееся в межъядерном пространстве электронное облако повышенной плотности как бы стягивает ядра, стремясь максимально их сблизить. Энергию связи, которая возникает в результате попарного обобществления электронов, называют обменной, так как считают, что она образовалась в результате якобы обмена электронами между соседними атомами. В действительности энергия обменной связи является электростатической энергией обменного взаимодействия электронной оболочки повышенной плотности с ядрами, между которыми она образовалась. Обменное взаимодействие имеет квантовую природу, и рассмотрение его с точки зрения классической механики весьма затруднительно.
Силы, под действием которых спиновые магнитные моменты атомов (ионов) ориентируются друг относительно друга параллельно или антипараллельно, возникают в результате обменного взаимодействия. Когда атомы ферромагнетика образуют кристаллическую решетку, их валентные электроны обобществляются, а волновые функции электронов внутренних недостроенных оболочек (3d или 4f) соседних атомов перекрываются, т.е. возникает обменное взаимодействие электронов внутренних недостроенных оболочек. В результате изменяется энергия системы, и спиновые магнитные моменты атомов выстраиваются параллельно (ферромагнетик) или антипараллельно (антиферромагнетик) друг относительно друга. Приближенно энергию обменного взаимодействия Wобм можно представить следующим выражением:
Wобм=-A (S1S2), (14.7)
где А — обменный интеграл; S1 и S2 — результирующие спиновые магнитные моменты взаимодействующих атомов.
Обменный интеграл А служит мерой энергии обменного взаимодействия и может быть как положительным, так и отрицательным. Это зависит от отношения a/d, где а — расстояние между атомами (постоянная кристаллической решетки), d — диаметр недостроенной электронной оболочки (3d или 4f), образующей нескомпенсированный спиновый магнитный момент атома. Если отношение a/d меньше 1,5, то обменный интеграл А имеет отрицательное значение, и спиновым магнитным моментам атомов энергетически выгодно ориентироваться антипараллельно. Если (a/d) > 1,5, то обменный интеграл имеет положительное значение. В этом случае энергетически выгодно будет параллельная ориентация спиновых магнитных моментов атомов друг относительно друга. В результате возникнет самопроизвольная (спонтанная) намагниченность и образуются домены, которые намагничены до насыщения. Зависимость А = y(a/d), приведенная на рис. 14.4, иллюстрирует, что у ферромагнетиков (α-Fe, Co, Ni, Gd) обменный интеграл А положительный, так как отношение a/d > 1,5, а у неферромагнетиков (γ-Fe, Mn, Сг) А отрицательный, так как отношение a/d < 1,5.
рис. 14.4. Зависимость обменного интеграла А от отношения постоянной (a/d) решетки а к диаметру d внутренней недостроенной электронной оболочки
В некоторых случаях, путем внедрения чужеродного атома в кристаллическую решетку неферромагнитного материала, можно увеличить постоянную, решетки а и соответственно отношение a/d станет больше 1,5, в результате возникнет ферромагнетизм. Например, если в металлический марганец ввести небольшое количество азота, то его постоянная решетки а увеличится, и отношение a/d станет больше 1,5, обменный интеграл А примет положительное значение, и марганец проявит ферромагнетизм. Ферромагнетиками являются некоторые сплавы марганца (например, сплавы Гейслера — сплавы системы Mn—Cu—A1, состоящие из неферромагнитных металлов) и некоторые его химические соединения (например, MnSb, MnBi), в которых атомы Мп находятся на расстояниях, больших, чем в чистом марганце.
Таким образом, ферромагнетизм обусловлен одновременным присутствием в материале следующих основных факторов: 1) нескомпенсированного спинового магнитного момента в атомах (ионах), обусловленного неспаренными электронами внутренней недостроенной электронной оболочки (3d или 4f); 2) обменного взаимодействия электронов внутренней недостроенной оболочки; 3) величиной отношения постоянной решетки а к диаметру внутренней недостроенной электронной оболочки d, участвующей в обменном взаимодействии, большей 1,5.
Явление ферромагнетизма имеет место не только в кристаллических материалах, но и в аморфных. В настоящее время известно большое количество металлов и сплавов, которые в аморфном состоянии обладают свойствами ферро- и ферримагнетиков. Отсюда следует, что для возникновения ферро- и ферримагнетизма необходимо наличие лишь ближнего порядка в расположении атомов (ионов).