- •1. Виды диэлектрической поляризации.
- •2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
- •3. Релаксационные виды поляризации Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов (температуры и частоты).
- •4. Атомная поляризуемость и поляризуемость смещения. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
- •5. Электропроводность твердых диэлектриков. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости.
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
- •7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
- •1) Потери на электропроводность;
- •2) Релаксационные потери;
- •3) Ионизационные потери;
- •9. Виды диэлектрических потерь. Диэлектрические потери в газообразных и твердых диэлектриках.
- •13. Сегнетоэлектрики. Температура Кюри.
- •14. Зависимость поляризованности р и диэлектрической проницаемости ε от напряженности электрического поля е сегнетоэлектриков. Петля диэлектрического гистерезиса.
- •15. Применение диэлектрических материалов в микросхемах в качестве пассивных элементов в составе моп транзисторов.
- •Глава 4. Униполярные транзисторы
- •16. Керамические диэлектрические материалы. Конденсаторная, установочная керамика и керамика для подложек микросхем. Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике.
- •17. Основы керамической технологии материалов электронной техники.
- •18. Пробой газообразных диэлектриков. Закон Пашена. Пробой газов в неоднородном электрическом поле.
- •19. Электрический и тепловой пробой.
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •20. Пленочные резистивные материалы. Резисторы. Параметры резисторов. Система обозначений и маркировка резисторов.
- •21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
- •22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
- •24. Эффект Холла и Пельтье. Эффект Холла.
- •25. Медь и ее сплавы. Алюминий и его сплавы.
- •26. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Области их применения
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •28. Магнитные потери. Потери на вихревые токи. Потери в катушках индуктивности.
- •29 . Ферриты. Магнитные подрешетки в структурах шпинели, перовскита и граната.
- •30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
- •31. Требования, предъявляемые к свойствам магнитомягких материалов. Магнитные материалы на основе железа.
- •32. Магнитооптические тонкопленочные эффекты. Эффект Фарадея. Феррит-гранаты Поляризация света
- •Феррит-гранаты
- •33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
- •Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •35. Междолинные переходы. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Принцип генерирования свч-колебаний, основанный на использовании эффекта Ганна.
- •36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
- •37. Выскотемпературные сверхпроводящие материалы. Эффект Джозеффсона. Текстурированная втсп керамика.
- •§ 6.1. Стационарный эффект Джозефсона
- •38. Классификация диэлектрических материалов.
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •Конденсаторная керамика
- •39. Коррозионная устойчивость металлов. Применение уравнения изотермы Вант-Гоффа для оценки окисляемости металлов.
21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
Материалы высокого сопротивления должны быть высокостабильными, иметь удельное сопротивление не менее 0,3 мкОм•м, очень низкий ТКρ и малую термо-ЭДС относительно меди. Металлические сплавы, образующие твердые растворы, по назначению разделяют на сплавы резистивные и нагревостойкие.
Резистивные сплавы широко используют в производстве проволочных резисторов, шунтов, реостатов, термопар и т.д. Самые распространенные среди них — медно-никелевые сплавы: манганин, константан и др.
Манганин — это сплав, состоящий из меди Си 85—89%, никеля Ni 2,5—3,5% и марганца Мп 11,5—13,5%. Примеси не должно быть более 0,9%. Удельное сопротивление манганина составляет 0,42—0,48 мкОм-м, предельно допустимая температура 200°С. Хорошо протягивается в тонкую проволоку диаметром от 0,02 до 6,0 мм, а микропровод в стеклянной изоляции производят диаметром в несколько мкм. Хорошо прокатывается в ленту толщиной 0,01—1 мм (ширина ленты 10—300 мм). Манганин применяют для изготовления образцовых (проволочных) резисторов, шунтов и некоторых измерительных приборов.
Константин — сплав, содержащий 56—59% меди Си, 39—41% никеля Ni и 1—2% марганца Мп, примеси — не более 0,9%. Удельное сопротивление р = 0,48—0,52 мкОм•м, значение ТКр близко к нулю и обычно имеет отрицательный знак. Может использоваться в реостатах и нагревательных элементах при температурах до 450—500°С. При быстром (3 с) нагреве константановой проволоки на воздухе до температуры 900°С на ее поверхности образуется тонкая пленка оксида, обладающая электроизоляционными свойствами.
Нагревостойкие сплавы используют для изготовления нагревательных элементов. К ним относятся сплавы на основе железа, никеля, хрома и алюминия. Высокая нагревостойкость этих сплавов обусловлена образованием на их поверхностях сплошной плотной оксидной пленки.
Нихромы — это сплавы системы Fe—Ni—Cr, содержащие Ni 55—78%, Cr 15—25%, Mn 1,5 и остальное Fe; удельное сопротивление равно 1,0—1,2 мкОм-м. При повышенном содержании железа эти сплавы называют ферронихромами. Нихромы обладают высокой технологичностью, легко протягиваются в тонкую проволоку и легко прокатываются в тонкую ленту. Это жаростойкие сплавы. Высокая нагревостойкость нихромов объясняется близкими значениями ТКЛР сплавов и их оксидных пленок.
Фехрали и хромали — это жаростойкие сплавы системы Fe—Cr—A1, содержащие с своем составе хрома Сг 12—15%, алюминия А1 3,5—5,5%, марганца Мп 0,7%, никеля Ni 0,6% и остальное железо Fe; удельное сопротивление равно 1,2—1,4 мкОм•м. Эти сплавы менее технологичны, более твердые и хрупкие, чем нихромы. Поэтому из них получают проволоку и ленты с поперечным сечением большим, чем из нихромов. Отличаются высокой стойкостью к химическому разрушению под действием различных газообразных сред при высоких температурах.
22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
Влияние примеси на удельное сопротивление
Чистые отожженные металлы имеют менее деформированнуюкристаллическую решетку, поэтому для них характерны большие значения λ, и, следовательно, у (малая величина ρ). Примеси, растворенные в металлах, деформируют кристаллическую решетку и вызывают большие изменения удельного сопротивления. Отсюда ρ металлов, содержащих растворенную примесь, всегда выше, чем ρ чистых металлов. У металлических сплавов удельное сопротивление зависит не только от концентрации компонентов, образующих данный сплав, но и от типа образовавшегося сплава. Гетерогенные структуры (механические смеси), твердые растворы с неограниченной или ограниченной растворимостью компонентов друг в друге в твердом состоянии, химические (интерметаллические) соединения. Максимальное значение р проявляется у сплавов, кристаллическая решетка которых максимально деформирована.
Влияние размеров проводника на удельное сопротивления
Вметаллических проводниках в виде тонких пленок, фольги или проволоки образуется мелкозернистая структура. Чем мельче зерно, тем больше суммарная удельная поверхность зерен. Наиболее дефектной частью зерна является его поверхность. Увеличение удельного сопротивления объясняется тем, что при кристаллизации металла на подложке в образовавшейся мелкозернистой пленке появляются многочисленные дефекты в виде вакансий, дислокаций, межблочных и межзеренных границ, пор и др. В результате уменьшается средняя длина свободного пробега электрона λ, и р возрастает. Для сравнительной оценки удельного сопротивления тонких металлических пленок принято сопротивление квадрата RD, через противоположные грани которого ток протекает параллельно поверхности RD = ρδ /δ.
Терморезисторы изготавливают из полупроводниковых материалов, диапазон изменения их ТКС — (-6,5...+70)%. Материал для создания терморезисторов должен удовлетворять следующим требованиям:
1.электронная проводимость материала и возможность регулирования ее,
2.стабильность характеристик материала в диапазоне рабочих температур,
3.простота технологии изготовления изделий,
4.материалы должны быть нечувствительными к загрязнениям в процессе технологического изготовления изделий.
Терморезисторы с отрицательным ТКС изготавливаются из оксидов металлов с незаполненными электронным. Если температура увеличивается, то электроны приобретают энергию в виде тепла, процесс обмена электронами у ионов становится интенсивнее, поэтому резко увеличивается подвижность носителей заряда.
и уровнями. Современные терморезисторы с отрицательным ТКС обычно изготавливают из следующих оксидных систем: никель-марганец-медь, никель-марганец-кобальт-медь, кобальт-марганец-медь, железо-титан, никель-литий, кобальт-литий, медь-марганец.
Тенденции развития современных материалов с отрицательным ТКС
1.получение более стабильных терморезисторов
2.расширение верхней границы рабочих температур.
3.создание переключающих терморезисторов с отрицательным ТКС.
Терморезисторы с положительным ТКС можно разделить на 2 группы
1.Терморезисторы из полупроводникового материала, легированные кристаллы Si (кремния) как n-, так и р-типа имеют положительный ТКС при температуре от криогенных до150°С и выше
2.Терморезисторы с большим ТКС (до 70% на 1oС), но в более ограниченном диапазоне температур. Материалом в данном случае является поликристаллический полупроводниковый титанат бария с большим изменением ТКС при температуре 120°С.
Терморезистивные элементы с положительным ТКС выпускают на основе титанато-бариевой керамики.
Основные электрические параметры
Габаритные размеры.
Величина сопротивления образцов
Величина ТКС а в процентах на 1°С
Постоянная времени τ (в секундах), характеризующая тепловую инерционность терморезистора.
Максимально допустимая температура tmax
Максимально допустимая мощность рассеивания
Коэффициент рассеяния Н в Вт на 1°С. Численно равен мощности, рассеиваемой на терморезисторе при разности температур образца и окружающей среды в 1°С
Коэффициент температурной чувствительности
В =[ (T1*T2)/(T2-T1) *Ln(R1/R2)
Коэффициент энергетической чувствительности G в Вт/%R, численно равен мощности, которую нужно рассеять на терморезисторе для уменьшения его сопротивления на 1 %
Теплоемкость С в Дж на 1°С.
Основные характеристики терморезисторов
1.ВАХ
график (А)соответствует терморезистору с отрицательным ТКС,
(Б) — с положительным.
2.Температурная характеристика
3.Подогревная характеристика — характеристика, свойственная терморезисторам косвенного подогрева — зависимость сопротивления резистора от подводимой мощности.
Собственный нагрев термисторов
1.Схемы с термисторами, сопротивление которых определяется только температурой окружающей среды. Ток, проходящий при этом через термистор, настолько мал, что не вызывает дополнительного разогрева термистора.
2. Во вторую группу входят схемы с термисторами, сопротивление которых меняется за счет собственного нагрева.