- •1. Виды диэлектрической поляризации.
- •2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
- •3. Релаксационные виды поляризации Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов (температуры и частоты).
- •4. Атомная поляризуемость и поляризуемость смещения. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
- •5. Электропроводность твердых диэлектриков. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости.
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
- •7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
- •1) Потери на электропроводность;
- •2) Релаксационные потери;
- •3) Ионизационные потери;
- •9. Виды диэлектрических потерь. Диэлектрические потери в газообразных и твердых диэлектриках.
- •13. Сегнетоэлектрики. Температура Кюри.
- •14. Зависимость поляризованности р и диэлектрической проницаемости ε от напряженности электрического поля е сегнетоэлектриков. Петля диэлектрического гистерезиса.
- •15. Применение диэлектрических материалов в микросхемах в качестве пассивных элементов в составе моп транзисторов.
- •Глава 4. Униполярные транзисторы
- •16. Керамические диэлектрические материалы. Конденсаторная, установочная керамика и керамика для подложек микросхем. Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике.
- •17. Основы керамической технологии материалов электронной техники.
- •18. Пробой газообразных диэлектриков. Закон Пашена. Пробой газов в неоднородном электрическом поле.
- •19. Электрический и тепловой пробой.
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •20. Пленочные резистивные материалы. Резисторы. Параметры резисторов. Система обозначений и маркировка резисторов.
- •21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
- •22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
- •24. Эффект Холла и Пельтье. Эффект Холла.
- •25. Медь и ее сплавы. Алюминий и его сплавы.
- •26. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Области их применения
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •28. Магнитные потери. Потери на вихревые токи. Потери в катушках индуктивности.
- •29 . Ферриты. Магнитные подрешетки в структурах шпинели, перовскита и граната.
- •30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
- •31. Требования, предъявляемые к свойствам магнитомягких материалов. Магнитные материалы на основе железа.
- •32. Магнитооптические тонкопленочные эффекты. Эффект Фарадея. Феррит-гранаты Поляризация света
- •Феррит-гранаты
- •33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
- •Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •35. Междолинные переходы. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Принцип генерирования свч-колебаний, основанный на использовании эффекта Ганна.
- •36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
- •37. Выскотемпературные сверхпроводящие материалы. Эффект Джозеффсона. Текстурированная втсп керамика.
- •§ 6.1. Стационарный эффект Джозефсона
- •38. Классификация диэлектрических материалов.
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •Конденсаторная керамика
- •39. Коррозионная устойчивость металлов. Применение уравнения изотермы Вант-Гоффа для оценки окисляемости металлов.
36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
Сверхпроводники — это материалы (чистые металлы, например, Hg, Pb, Al, сплавы, например, Nb-Ti, V-Ga и др.), обладающие при температурах, близких к абсолютному нулю, ничтожно малым удельным сопротивлением.
В 1911 Гейкe Камерлинг-Оннес, измеряя сопротивление ртути при низких температурах, обнаружил резкое его падение до нуля при абсолютной температуре 4,2 К (рис. 1.1).
Открытое явление Камерлинг-Оннес назвал сверхпроводимостью*). Температуру Тс, ниже которой наблюдается переход вещества в сверхпроводящее состояние, принято называть критической температурой. Существенно, что сопротивление с уменьшением температуры исчезало не постепенно, а скачком. Это означало, что образец перешел в какое-то новое, до тех пор не известное состояние.
Открытие сверхпроводимости оказалось возможным лишь благодаря
Рис. 1.1. Зависимость сопротивления ртути от температуры, полученная Камерлинг-Оннесом в 1911 г.
выдающемуся техническому достижению — ожижению гелия. При- атмосферном давлении гелий кипит всего на 4,2 К выше абсолютного нуля. Не случайно, что именно Камерлинг-Оннес, впервые в 1908 г. получивший жидкий гелий, открыл сверхпроводимость — для этого были необходимы исключительно низкие температуры.
Ток, возбужденный однажды в замкнутом сверхпроводящем контуре, практически не ослабевает со временем. В сверхпроводящем состоянии удельное сопротивление по крайней мере меньше 10─23 Ом•см, то есть в 1017 раз меньше сопротивления меди при комнатной температуре. Время, требуемое для затухания тока, наведенного в сверхпроводящем колечке, составляет не менее 100 000 лет.
Очень скоро после открытия сверхпроводимости было обнаружено, что eе можно разрушить не только нагреванием образца, но и помещением его в магнитное поле с напряженностью H> Hс. Поле Нс называется критическим.
Рис. 1.2. Температурная зависимость критического магнитного поля для нeкоторых сверхпроводящих металлов
Зависимость критического поля от температуры хорошо описывается эмпирической формулой
Hc(Г)=Hc(0)[ 1-(T/Tc)2 ]. (1.1)
На рис. 1.2 показана зависимость критического магнитного поля от температуры для некоторых сверхпроводящих металлов.
При температуре ниже критической магнитное поле полностью выталкивается из сверхпроводника. Это явление назвали эффектом Мейсснера. Выталкивание магнитного потока из сверхпроводника означает, что в нем магнитная индукция В равна нулю. Более того, это свидетельствует о том, что в сверхпроводнике равно нулю усредненное по физически достаточно малым объемам поле, т. с. индукция. Так как по определению
B= 4лМ + H, (1.2)
где М — магнитный момент единицы объема, то магнитная восприимчивость χ = M/H отрицательна и равна χ = —1/4π. Тем самым сверхпроводник является не только идеальным проводником, но и идеальным диамагнетиком. Это явилось чрезвычайно важным открытием. Ведь если В = 0 независимо от предыстории, то это равенство может служить характеристикой сверхпроводящего состояния, которое возникает при H < Hс. Тогда переход в сверхпроводящее состояние можно рассматривать как фазовый переход в новое фазовое состояние и использовать для исследования сверхпроводимости всю мощь термодинамического подхода.
Физически эффект Мейсснера означает, что у сверхпроводника, помещенного в не очень сильное магнитное поле, в поверхностном слое наводятся незатухающие круговые токи, которые в точности компенсируют внешнее приложенное поле. Может показаться, что это эквивалентно привычным токам Фуко, возникающим в металле (в данном случае с идеальной проводимостью) при переменном внешнем поле. Иначе говоря, сверхпроводник — это просто металл с нулевым удельным сопротивлением. Однако Мейсснер и Оксенфельд обнаружили не только отсутствие про-
Рис. 1.3.Магнитные свойства идеального проводника (слева) и сверхпроводника (справа): а, 6 — сопротивление образца обращается в нуль в отсутствие магнитного поля; в — приложено магнитное поле; г — поле выключено; д, е — сопротивление образца обращается в нуль в магнитном поле; ж — поле выключено
-никновения магнитного поля в сверхпроводник, но и «выталкивание» поля из первоначально нормального образца, когда он охлаждается ниже температуры Тс.
Рассмотрим подробнее различия в поведении идеального проводника и сверхпроводника в магнитном поле (см. рис. 1.3). Предположим, что идеальный проводник охлажден до температуры ниже критической, а затем включено магнитное поле. Так как при этом изменился магнитный поток Ф через образец, то по закону Фарадея в нем возникнет ЭДС индукции
Е = - 1/с [ dФ/dt ] (1.3)
В идеальном проводнике электрическое поле всюду равно нулю, т.е.
dФ /dt = 0 и Ф = const. (1.4)
Так как до включения магнитного поля поток был равен нулю, то и после его включения он остается равным нулю, а значит, магнитное поле отсутствует в любой точке образца. Магнитное поле «выталкивается» из идеального проводника, как это показано на рис. 1.3.
Если же магнитное поле включить при температуре Т > Тc, а затем охладить образец, то в этом случае оно останется в образце. Таким образом, намагниченность идеального проводника не определяется однозначно внешними условиями, а зависит от последовательности появления этих условий. Как обнаружили Мейсснер и Оксенфельд, в сверхпроводнике в отличие от идеального проводника всегда В = 0 во внешнем поле, независимо от пути прихода в сверхпроводящее состояние (см. рис. 1.3).
Таким образом, если охладить кольцо до температуры Т < Тс и затем поместить его во внешнее магнитное поле, то магнитная ин-
Рис. 1.4. Эффект Мейссисра в сверхпроводящем кольце: а — магнитное поле включено после охлаждения кольца в нулевом поле до Т < Тс; б — кольцо охлаждено в магнитном поле; а — поле выключено, магнитный поток оказался «замороженным» в кольце
дукция будет отсутствовать как в толще кольца (эффект Мейссне-Ра), так и внутри него, а по наружной поверхности кольца будут течь токи (рис. 1.4a).
Иначе будет обстоять дело, если вначале включить поле, а затем понизить температуру. Магнитный поток Ф через отверстие в кольце будет сохраняться, но внутри кольца В = 0. Поэтому возникают токи, текущие в противоположных направлениях на внешней и на внутренней поверхностях кольца, как это показано стрелками на рис. 1.4б. Такое распределение токов действительно экранирует внутренность вещества кольца от магнитного поля, но оставляет поле в полости кольца неизменным и равным приложенному полю, как это легко показать, пользуясь теоремой о циркуляции магнитного поля. Если выключить внешнее поле, то ток на внешней поверхности почти полностью исчезнет (ток будет равен нулю только для бесконечно высокого кольца, как это имеет место в длинном соленоиде), и останется только ток, текущий по внутренней поверхности. Это означает, что останется и «замороженный», или «захваченный» магнитный поток (рис. 1.4а).
Итак, сверхпроводящее тело обладает свойствами, как бы обратными ферромагнитному: железный магнит концентрирует силовые линии магнитного поля, а сверхпроводник выталкивает их. Об эффекте Мейсснсра принято говорить как об идеальном диамагнетизме.
В 1935г. братья Г.Лондон и Ф.Лондон теоретически установили связь плотности тока с магнитным полем в сверхпроводнике, что стало основой для дальнейшего развития электродинамики сверхпроводников. Это была феноменологическая теория, из которой следовали основные свойства сверхпроводников: абсолютный диамагнетизм и отсутствие сопротивления постоянному току. Но вопрос о микроскопическом механизме сверхпроводимости оставался открытым. Физик-теоретик Фриц Лондон первый указал, что для объяснения эффекта Мейсснера и существования постоянных сохраняющихся токов в сверхпроводящих кольцах необходимо предположить, что между электронами в сверхпроводнике имеется какая-то дальнодействующая связь и их движение оказывается коррелированным.
Существенный шаг в понимании природы сверхпроводимости сделал А. Пиппард, который в 1950 г. ввел понятие длины когерентности — характерного расстояния, на котором могут происходить значительные изменения в степени упорядочения сверхпроводящего состояния.
Следующий большой вклад в теорию сверхпроводимости внесли в 1950 г. В. Л. Гинзбург и Л. Д. Ландау. Это был феноменологический подход, построенный на теории. фазовых переходов II рода, но учитывающий квантовость явления.
Механизм явления сверхпроводимости (Теория БКШ) содержит новое принципиальное утверждение: электроны в сверхпроводнике образуют за счет обмена фононами связанные пары — происходит так называемое куперовское спаривание.
В 1961 г. было обнаружено новое принципиально важное явление квантования магнитного потока в сверхпроводящих цилиндрах.
Длина когерентности
Кроме лондоновской глубины проникновения λL, которая является мерой затухания магнитного поля внутри сверхпроводника, имеется еще один параметр длины, характеризующий сверхпроводник, — длина когерентности, введенная в 1953 г. А. Пиппардом. Степень упорядочения сверхпроводящей фазы идентична плотности сверхпроводящих электронов nS. Рассматривая различные аспекты поведения сверхпроводников, Пиппард пришел к выводу, что nS не может резко зависеть от координаты, а может изменяться заметным образом лишь на расстоянии, которое он и назвал длиной когерентности. Смысл длины когерентности ξ состоит в том, что любые возмущения, возникшие в какой-либо точке сверхпроводника, обязательно сказываются на свойствах сверхтекучих электронов, находящихся на расстоянии порядка или меньше ξ от этой точки.
Фактически длина когерентности определяет «характерный» размер куперовской пары, ибо ее средняя протяженность есть мера расстояния, на котором эффективно притяжение между электронами с образованием куперовской пары — электронов с противоположными импульсами и спинами. Возникновение связанного состояния двух электронов за счет обмена фононами (энергия связи порядка величины щели ∆) приводит к неопределенности в кинетической энергии пары
(5.1)
Но по соотношению неопределенностей
δхδр ≈ ħ, (5.2)
т. е. квантовая неопределенность в расстоянии между электронами в паре равна
ξ = δx ≈ ħ vF / ∆ (5.3)
Обычно в качестве величины, характеризующей размер пары при нулевой температуре, выбирают немного отличающееся значение
ξo = ħ vF /π ∆
Электрон проводимости, пролетая вблизи неподвижного иона решетки, сообщает ему импульс. Так как частота колебаний атома порядка ωD, то его отклонение от положения равновесия будет сохраняться время τ~2л/ ωD ~10─13с. За это время электрон удалится на расстояние порядка vFτ ≈ 108•10-13 ~ 1000 А. Это и есть характерная длина, на которой движение двух электронов оказывается скореллированным за счет поляризации кристаллической решетки. Понятно также, почему кулоновское расталкивание скореллированных электронов несущественно — на столь больших расстояниях оно полностью экранируется другими электронами.
Конечно, нельзя буквально понимать, что ξ — это размер куперовской пары. Длина когерентности означает, что на расстояниях порядка ξ движение электронов скоррелировано, и это отражает возникновение связанного состояния электронов, т.е. образование куперовских пар. Состояние электронов в металле непрерывно меняется, и поэтому постоянно меняются наборы пар. В то же время, если состояние одного из электронов, входящих в пару, изменяется под действием какой-либо силы (например, под влиянием магнитного поля), то это сразу же скажется на поведении другого электрона.