- •1. Виды диэлектрической поляризации.
- •2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
- •3. Релаксационные виды поляризации Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов (температуры и частоты).
- •4. Атомная поляризуемость и поляризуемость смещения. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
- •5. Электропроводность твердых диэлектриков. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости.
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
- •7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
- •1) Потери на электропроводность;
- •2) Релаксационные потери;
- •3) Ионизационные потери;
- •9. Виды диэлектрических потерь. Диэлектрические потери в газообразных и твердых диэлектриках.
- •13. Сегнетоэлектрики. Температура Кюри.
- •14. Зависимость поляризованности р и диэлектрической проницаемости ε от напряженности электрического поля е сегнетоэлектриков. Петля диэлектрического гистерезиса.
- •15. Применение диэлектрических материалов в микросхемах в качестве пассивных элементов в составе моп транзисторов.
- •Глава 4. Униполярные транзисторы
- •16. Керамические диэлектрические материалы. Конденсаторная, установочная керамика и керамика для подложек микросхем. Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике.
- •17. Основы керамической технологии материалов электронной техники.
- •18. Пробой газообразных диэлектриков. Закон Пашена. Пробой газов в неоднородном электрическом поле.
- •19. Электрический и тепловой пробой.
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •20. Пленочные резистивные материалы. Резисторы. Параметры резисторов. Система обозначений и маркировка резисторов.
- •21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
- •22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
- •24. Эффект Холла и Пельтье. Эффект Холла.
- •25. Медь и ее сплавы. Алюминий и его сплавы.
- •26. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Области их применения
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •28. Магнитные потери. Потери на вихревые токи. Потери в катушках индуктивности.
- •29 . Ферриты. Магнитные подрешетки в структурах шпинели, перовскита и граната.
- •30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
- •31. Требования, предъявляемые к свойствам магнитомягких материалов. Магнитные материалы на основе железа.
- •32. Магнитооптические тонкопленочные эффекты. Эффект Фарадея. Феррит-гранаты Поляризация света
- •Феррит-гранаты
- •33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
- •Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •35. Междолинные переходы. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Принцип генерирования свч-колебаний, основанный на использовании эффекта Ганна.
- •36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
- •37. Выскотемпературные сверхпроводящие материалы. Эффект Джозеффсона. Текстурированная втсп керамика.
- •§ 6.1. Стационарный эффект Джозефсона
- •38. Классификация диэлектрических материалов.
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •Конденсаторная керамика
- •39. Коррозионная устойчивость металлов. Применение уравнения изотермы Вант-Гоффа для оценки окисляемости металлов.
2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
Уравнения диэлектрической поляризации устанавливают зависимость макроскопического электрического параметра диэлектрика — диэлектрической проницаемости ε от микроскопического электрического параметра — поляризуемости α частиц, образующих диэлектрик. Для установления этой зависимости определим значение локального электричекого поля Е', действующего на рассматриваемую частицу диэлектрика в качестве которой возьмем молекулу. Выше было отмечено (см.формулу (2.1)), что индуцированный дипольный момент ро каждой молекулы диэлектрика непосредственно зависит от напряженности локального поля Е' и поляризуемости а самой молекулы.
Напряженность локального электрического поля Е', действующего на отдельную молекулу, окруженную другими поляризованными молекулами, не равна напряженности внешнего электрического поля Ео в данной точке диэлектрика. Только в разряженных
Рис. 2.4. К вычислению локального поля Е, действующего в плоском конденсаторе
газах, когда взаимодействием между молекулами можно пренебречь (идеальный газ), допустимо считать, что Е' = Ео.
Для того чтобы найти напряженность локального поля Е', представим себе, что в диэлектрике, помещенном между плоскопараллельными электродами, образуется однородное поле и происходит равномерная поляризация. Внутри диэлектрика мысленно выделим сферу радиусом r, много большим размера рассматриваемой молекулы, но много меньшим размера самого диэлектрика (рис. 2.4). В центре сферы находится рассматриваемая молекула. Можно полагать, что напряженность локального поля Е' в центре сферы будет складываться из трех составляющих:
Е' = Е1 + Е2 + Е3. (2.22)
Локальное поле Е', выраженное уравнением (2.22), называют полем Лорентца.
Поле Е1 создается сторонними зарядами на поверхности электродов и связанными зарядами в диэлектрике у поверхности электродов (см. рис. 2.1); оно будет равно среднему макроскопическому полю Е, действующему в диэлектрике (Е1 = Е).
Поле Е2 образовано молекулами, находящимися вне сферы диаметром r и упирающимися своими концами в поверхность этой сферы, т.е. это поле, создаваемое связанными зарядами на поверхности сферы (см. рис. 2.4).
Поле Е3 создается всеми молекулами, находящимися внутри сферы радиусом r, за исключением молекулы, для которой определяется локальное поле Е'.
Для определения Е2 предположим, что внутри сферы нет молекул, кроме рассматриваемой. При этом плотность связанных зарядов на поверхности сферы в каждой точке одинакова и равна поляризованности (σ = Р). Плотность связанных зарядов,
индуцированных на бесконечно малой площади dS поверхности этой сферы, будет равна -
Рn, Кл/м2, т.е. нормальной составляющей вектора Р к этой поверхности С помощью закона Кулона можно определить напряженность поля dE2 действующего в центре сферы со стороны электрического заряда РndS, индуцированного на площади dS. Проинтегрировав заряд dE2 по всей поверхности сферы, найдем поле Е2:
Е2 =Р/ 3εо (2.23)
Направление поля Е2 совпадает с направлением Р и поэтому оно не вычитается из внешнего поля Ео, как это было в случае, рассмотренном в гл. 2.1.2 (см. рис. 2.1 и формулы (2.7) и (2.14)), а складывается с ним (см. рис. 2.4).
В простейшем случае, когда диэлектрик имеет высокосимметричную структуру (например, для диэлектриков аморфных неполярных и кристаллических с кубической решеткой), напряженность поля Е3 может быть принята равной нулю (Е3 = 0).
Подставив в формулу (2.22) значения Е1 (Е1 = Е), Е3 (Е3 = 0) и Е2 из (2.23) и произведя преобразования, получим
Е'=Е+ Р/3εо = (ε+2)/3 Е. (2.24)
Если напряженность внешнего макроскопического поля Еo не зависит от природы однородного диэлектрика и определяется только величиной приложенного напряжения U и толщиной образца диэлектрика h (Eo = U/h), то из формулы (2.24) следует, что напряженность локального поля Е' зависит от химической природы диэлектрика. Из (2.24) видно, что на величину Е' влияет ε диэлектрика. В случае вакуума ε = 1 и отношение (е+2)/3 в (2.24) обращается в единицу, а Е' становится равным Е.
Приравняв друг другу правые части (2.5) и (2.6), предварительно подставив значение Е' из (2.24) в (2.5) и произведя преобразования, получим уравнение Клаузиуса—Мосотти:
(ε-1)/(ε+2) = (1/3εо) nα
. (2.25)
Уравнение (2.25) наиболее строго выполняется для неполярных жидкостей и особенно неполярных газов, у которых молекулы удалны Друг от друга на сравнительно большие расстояния.
Для полярных диэлектриков Дебай в уравнение Клаузиуса—Мосотти к деформационной поляризуемости αдеф ввел дипольнорелаксационную поляризуемость αдр ( αдр = μ2 /(ЗkT ), Уравнение диэлектрической поляризации Клаузиуса—Мосотти с поправкой Дебая приобретает вид:
(ε-1)/(ε+2) = (1/3εо)( αдеф + μ2/3kT) (2.26)
где μ — постоянный дипольный момент полярной молекулы (μ = q L — суммарный положительный или численно ему равный суммарный отрицательный заряд молекулы, L — расстояние между центрами положительных и отрицательных зарядов); k — постоянная Больцма. на; Т — температура, К.
Существуют и другие уравнения диэлектрической поляризации (например, Онзагера, Кирквуда), которые более строго учитывают действие электрического поля на молекулы полярных и сильнополярных жидких диэлектриков. Все эти уравнения, так же как (2.25) и (2.26), в итоге устанавливают зависимость диэлектрической проницаемости ε диэлектрика от концентрации п молекул в единице объема и поляризуемости а каждой молекулы:
εо = φ(n, α). (2.27)
Для молекулярных твердых и жидких диэлектриков решающее влияние на величину е оказывает поляризуемость а молекулы. Значения л и а, в свою очередь, зависят как от самого диэлектрика (химического состава, строения, типа дефектов и т.п.), так и внешнего электрического воздействия (температуры, частоты напряжения и др.).