- •1. Виды диэлектрической поляризации.
- •2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
- •3. Релаксационные виды поляризации Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов (температуры и частоты).
- •4. Атомная поляризуемость и поляризуемость смещения. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
- •5. Электропроводность твердых диэлектриков. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости.
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
- •7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
- •1) Потери на электропроводность;
- •2) Релаксационные потери;
- •3) Ионизационные потери;
- •9. Виды диэлектрических потерь. Диэлектрические потери в газообразных и твердых диэлектриках.
- •13. Сегнетоэлектрики. Температура Кюри.
- •14. Зависимость поляризованности р и диэлектрической проницаемости ε от напряженности электрического поля е сегнетоэлектриков. Петля диэлектрического гистерезиса.
- •15. Применение диэлектрических материалов в микросхемах в качестве пассивных элементов в составе моп транзисторов.
- •Глава 4. Униполярные транзисторы
- •16. Керамические диэлектрические материалы. Конденсаторная, установочная керамика и керамика для подложек микросхем. Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике.
- •17. Основы керамической технологии материалов электронной техники.
- •18. Пробой газообразных диэлектриков. Закон Пашена. Пробой газов в неоднородном электрическом поле.
- •19. Электрический и тепловой пробой.
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •20. Пленочные резистивные материалы. Резисторы. Параметры резисторов. Система обозначений и маркировка резисторов.
- •21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
- •22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
- •24. Эффект Холла и Пельтье. Эффект Холла.
- •25. Медь и ее сплавы. Алюминий и его сплавы.
- •26. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Области их применения
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •28. Магнитные потери. Потери на вихревые токи. Потери в катушках индуктивности.
- •29 . Ферриты. Магнитные подрешетки в структурах шпинели, перовскита и граната.
- •30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
- •31. Требования, предъявляемые к свойствам магнитомягких материалов. Магнитные материалы на основе железа.
- •32. Магнитооптические тонкопленочные эффекты. Эффект Фарадея. Феррит-гранаты Поляризация света
- •Феррит-гранаты
- •33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
- •Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •35. Междолинные переходы. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Принцип генерирования свч-колебаний, основанный на использовании эффекта Ганна.
- •36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
- •37. Выскотемпературные сверхпроводящие материалы. Эффект Джозеффсона. Текстурированная втсп керамика.
- •§ 6.1. Стационарный эффект Джозефсона
- •38. Классификация диэлектрических материалов.
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •Конденсаторная керамика
- •39. Коррозионная устойчивость металлов. Применение уравнения изотермы Вант-Гоффа для оценки окисляемости металлов.
30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
Магнитные домены представляют собой элементарные объемы ферромагнетиков, находящиеся в состоянии магнитного насыщения. В домене нескомпенсированные спиновые (спонтанной) намагниченности, которая происходит при температурах ниже некоторой так называемой точкой Кюри Тк. Для чистого железа Тк = 768°С, никеля Тк = 358°С, кобальта T=1131 С. Разбивка всего объема ферромагнетика на множество доменов энергетически выгодна. В отсутствие внешнего магнитного поля магнитные моменты доменов направлены так, что их результирующий магнитный момент равен или близок нулю. Домены имеют размеры около 0,001 — 10 мм3 при толщине пограничных слоев между ними (границ) в несколько десятков ангстрем. В доменных границах происходит постепенное изменение направления вектора намагниченности от одного домена к направлению вектора намагниченности в соседнем домене.
Ферримагнетики, обладающие полупроводниковыми свойствами, называются ферритами.
Ферриты обладают высокой магнитной проницаемостью, малой коэрцитивной силой, большим значением индукции насыщения, но важнейшая их особенность состоит в том, что они обладают большим электрическим сопротивлением (р ~ 103Ом•см). Это обстоятельство позволяет применять ферриты в области высоких частот, где обычные ферромагнетики обладают большими потерями, связанными с образованием вихревых токов.
Для создания функциональных устройств наиболее перспективны ферриты в виде пленок. Специфика магнитных свойств тонких пленок определяется тем, что их линейные размеры в плоскости пленки значительно превышают толщину. При определенной толщине пленка становится однодоменной по толщине. В этом случае основным процессом перемагничивания будет однородное вращение, когда магнитные моменты одновременно поворачиваются по магнитному полю. Длитель-
2.14. Различные виды магнитного упорядочения. а — ферромагнетик; б— антиферромагнегик; в — ферримагнетик
ность этого процесса очень мала ~ 10-9 с, что обеспечивает создание быстродействующих магнитных устройств. Магнитные пленки характеризуются также ярко выраженной магнитной анизотропией, которая определяется наличием в магнитной пленке двух осей намагничивания: ось легкого намагничивания, вдоль которой стремится установиться вектор намагничивания пленки, и ось трудного намагничивания, направленная перпендикулярно первой оси. Соответственно при перемагничивании по оси легкого намагничивания необходимо затратить существенно меньшую энергию, чем при перемагничивании по оси трудного намагничивания. Энергия WA, которую необходимо затратить, чтобы отклонить вектор намагниченности в плоскости пленки на угол θ от оси легкого намагничивания, определяется выражением WA = Asin2Q, где А — константа анизотропии. При малой толщине пленок направление легкого намагничивания обычно расположено в плоскости пленок, и образуются так называемые плоские домены, условно изображенные на рис. 2.15, а; ширина доменов изменяется от долей до единиц микрон.
У некоторых ферритов наблюдается только одна ось легкого намагничивания. Если поверхность монокристаллической пленки из такого материала перпендикулярна оси легкого намагничивания, то образуются домены другого вида — лабиринтного (см. рис. 2.15, б) с направлением спонтанной намагниченности, перпендикулярным поверхности пленки. Магнитное поле, нормальное к пленке, изменяет доменную структуру. Вначале уменьшается площадь доменов с вектором намагниченности, противоположным приложенному полю (см. рис. 2.15, в), и при некоторой величине поля они превращаются в цилиндры (см. рис. 2.15, г). Образуются устойчивые цилиндрические магнитные домены (ЦМД) или «магнитные пузырьки». При дальнейшем росте внешнего магнитного поля диаметр ЦМД уменьшается, и, наконец, цилиндрические домены исчезают и вся пленка намагничивается однородно.
Если в плоскости пленки создать неоднородное магнитное поле, то ЦМД будут перемещаться под его действием. Цилиндрические магнитные домены, существующие в определенных магнитных полях и управляемые внешним полем, представляют особый интерес для создания логических и запоминающих функциональных устройств.
Все рассмотренные выше материалы, способные намагничиваться в магнитном поле, так называемые магнетики, можно разделить на две группы: магнитомягкие и магнитотвердые.
К первым относятся магнитные материалы с малой коэрцитивной силой (Hс < 800 А/м) и высокой магнитной проницаемостью. Они достигают насыщения в слабых магнитных полях, имеют узкую петлю гистерезиса и, следовательно, малые потери на перемагничивание.
К магнитотвердым материалам относятся материалы с большой коэрцитивной силой (Hс > 4 кА/м). Предельные значения величин коэрцитивной силы для материалов первой группы составляют менее 1 А/м, а для материалов второй группы, магнитотвердых, коэрцитивная сила может превышать 500 кА/м.
В качестве магнитомягких материалов наиболее широко используются никель-цинковые и марганец-цинковые ферриты, которые кристаллизуются в структуре шпинели и представляют собой твердые растворы замещения NiO-Fe2O3-ZnO-Fe2O3 и MnO-Fe2O3-ZnO-Fe2O3. Характеристики некоторых марок ферритов представлены в табл. 2.2.