- •1. Виды диэлектрической поляризации.
- •2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
- •3. Релаксационные виды поляризации Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов (температуры и частоты).
- •4. Атомная поляризуемость и поляризуемость смещения. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
- •5. Электропроводность твердых диэлектриков. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости.
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
- •7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
- •1) Потери на электропроводность;
- •2) Релаксационные потери;
- •3) Ионизационные потери;
- •9. Виды диэлектрических потерь. Диэлектрические потери в газообразных и твердых диэлектриках.
- •13. Сегнетоэлектрики. Температура Кюри.
- •14. Зависимость поляризованности р и диэлектрической проницаемости ε от напряженности электрического поля е сегнетоэлектриков. Петля диэлектрического гистерезиса.
- •15. Применение диэлектрических материалов в микросхемах в качестве пассивных элементов в составе моп транзисторов.
- •Глава 4. Униполярные транзисторы
- •16. Керамические диэлектрические материалы. Конденсаторная, установочная керамика и керамика для подложек микросхем. Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике.
- •17. Основы керамической технологии материалов электронной техники.
- •18. Пробой газообразных диэлектриков. Закон Пашена. Пробой газов в неоднородном электрическом поле.
- •19. Электрический и тепловой пробой.
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •20. Пленочные резистивные материалы. Резисторы. Параметры резисторов. Система обозначений и маркировка резисторов.
- •21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
- •22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
- •24. Эффект Холла и Пельтье. Эффект Холла.
- •25. Медь и ее сплавы. Алюминий и его сплавы.
- •26. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Области их применения
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •28. Магнитные потери. Потери на вихревые токи. Потери в катушках индуктивности.
- •29 . Ферриты. Магнитные подрешетки в структурах шпинели, перовскита и граната.
- •30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
- •31. Требования, предъявляемые к свойствам магнитомягких материалов. Магнитные материалы на основе железа.
- •32. Магнитооптические тонкопленочные эффекты. Эффект Фарадея. Феррит-гранаты Поляризация света
- •Феррит-гранаты
- •33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
- •Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •35. Междолинные переходы. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Принцип генерирования свч-колебаний, основанный на использовании эффекта Ганна.
- •36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
- •37. Выскотемпературные сверхпроводящие материалы. Эффект Джозеффсона. Текстурированная втсп керамика.
- •§ 6.1. Стационарный эффект Джозефсона
- •38. Классификация диэлектрических материалов.
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •Конденсаторная керамика
- •39. Коррозионная устойчивость металлов. Применение уравнения изотермы Вант-Гоффа для оценки окисляемости металлов.
1. Виды диэлектрической поляризации.
В зависимости от строения диэлектрика различают следующие основные виды поляризации: электронную, ионную, ионно-релаксационную, дипольно-релаксационную, миграционную, электронно-релаксационную, самопроизвольную (спонтанную), резонансную. Наиболее часто встречаются первые пять видов поляризации.
Вид поляризации в первую очередь зависит от того, какие частицы диэлектрика, смещаясь, вызывают поляризацию, а также на какие расстояния они смещаются. Все частицы диэлектрика, способные смещаться (заряженные частицы) или ориентироваться (диполи) под действием внешнего электрического поля, вызывая при этом поляризацию, можно объединить в две группы: упруго (сильно) связанные и слабо связанные.
Упруго связанные частицы (заряды) имеют одно положение равновесия, около которого они совершают тепловые колебания, и под действием приложенного поля они смещаются на небольшие расстояния: электроны смещаются в пределах атома (иона), атомы — в пределах молекулы, ионы — в пределах элементарной ячейки и т.д.
Слабо связанные частицы (например, ионы в неплотно упакованной кристаллической решетке, в аморфном теле или на дефектах, а также диполи) имеют несколько положений равновесия, в которых они в отсутствие электрического поля могут находиться равновероятно. Переход слабо связанных частиц из одного равновесного положения в другое осуществляется под действием флуктуации теплового движения. Слабо связанная частица какое-то время колеблется около положения равновесия, затем под действием флуктуации скачком меняет это положение равновесия на другое. Время нахождения частицы в определенном положении равновесия зависит от высоты потенциального барьера между данными положениями равновесия. Электрическое поле придает направленный характер этим переходам: положительно заряженные частицы смещаются по полю, а отрицательно заряженные — против поля. Смещение слабо связанных частиц происходит на гораздо большие расстояния, чем смещение упруго связанных частиц (зарядов).
Все виды поляризации подразделяются на упругие (деформационные) — обусловленные упруго связанными частицами (зарядами), и релаксационные — обусловленные слабо связанными частицами (зарядами).
К деформационным видам поляризации относятся электронная и ионная. Они устанавливаются упруго, практически мгновенно и без рассеяния энергии приложенного электрического поля — без диэлектрических потерь (см. гл. 4.1).
Электронная поляризация заключается в упругом смещении (деформации) электронных оболочек атомов (ионов) относительно ядра (рис. 2.5) и имеет место во всех диэлектриках. Время установления этой поляризации чрезвычайно мало (τ = 10-14—10-15 с), поэтому она наблюдается на всех частотах, включая оптические (τ = 1012 —1015 Гц). Электронная поляризуемость αэ не зависит от температуры диэлектрика и частоты приложенного напряжения ( αэ ≠ φ(T,f)), а с увеличением размера атома (иона) возрастает; αэ = г3, где r — радиус атома (иона).
Ионная поляризация наблюдается в кристаллических и аморфных телах ионного строения (в кварце, слюде, асбесте, стекле и т.п.) и заключается в смещении упруго связанных ионов под действием приложенного поля на расстояния, меньшие постоянной решетки, т.е. в упругой деформации решетки (у аморфных веществ — апериодической сетки). На рис. 2.6 схематически показана ионная поляризация NaCl, имеющего кубическую решетку. Время установления ионной поляризации порядка 10-12— 10-13 c , поэтому она имеет место на всех частотах до оптических включительно. Ионная поляризуемость αи не зависит от частоты приложенного напряжения,
Рис2-5. Схематическое изображение Рис. 2.6. Механизм ионной поляриза-
электронной поляризации ции на примере NaCl (схематически)
Рис.2.7. Зависимость ионной Рис. 2.8. Схематическое изображение
αи (2) и ионно-релаксационной ионно-релаксационной поляризации на
αиp ( 1 ) поляризуемости от примере CsCl:
тем-ературы (схематически) 1 — подрешетка ионов цезия Cs+
2 — подрешетка ионов хлора Сl-
но с повышением температуры линейно возрастает (рис. 2.7, 2), так как происходит ослабление упругой связи между ионами; αи = 2q/kсв , где q — заряд иона; kсв — коэффициент упругой связи между ионами. Чем слабее связь между ионами и чем выше их заряд (валентность), тем больше αэ.
Ионную поляризацию можно рассматривать как частный случай атомной поляризации. Наиболее часто молекула диэлектрика состоит из атомов различных химических элементов, имеющих соответственно различную электроотрицательность. Образующиеся ковалентные связи между этими атомами имеют различную полярность, а сами атомы фактически несут на себе положительный или отрицательный заряд той или иной величины (см. гл. 1.4). Поэтому под действием внешнего электрического поля все атомы молекулы смещаются из своих равновесных положений в пределах молекулы, обусловливая атомную поляризацию.
Релаксационными видами поляризации являются: ионно-релаксационная, дипольно-релаксационная, миграционная, электронно-релаксационная, самопроизвольная (спонтанная) и резонансная. Они протекают замедленно и с поглощением энергии приложенного поля, обусловливая тем самым диэлектрические потери (см. гл. 4.1).
Ионно-релаксационная поляризация имеет место в неорганических стеклах и в ионных кристаллах с неплотной упаковкой решетки ионами (в электротехнической керамике, асбесте, мраморе и т.п.). Этот вид поляризации заключается в некотором упорядочении, вносимом электрическим полем в хаотический тепловой переброс слабо связанных ионов. Слабо связанными ионами являются собственные ионы диэлектрика, находящиеся в узлах решетки вблизи вакансий, ионы примеси и т.п. На рис. 2.8 схематически изображена ионно-релаксационная поляризация на примере CsCl, имеющего неплотно упакованную решетку ионами. Одним из видов теплового движения слабо связанных ионов является их переброс из узлов решетки в вакансии.
В отсутствие электрического поля слабо связанные ионы, совершая тепловые колебания, временами перескакивают из одного равновесного положения в другое. При этом число ионов, переместившихся в одном направлении, будет равно числу ионов, переместившихся в обратном направлении. Если к диэлектрику приложить электрическое поле, то переброс слабо связанных ионов приобретет направленный характер: положительные ионы начнут перемещаться по полю, а отрицательные — против поля. Ионы, перемещаясь на расстояния, превышающие постоянную решетки, не становятся свободными и, следовательно, не обусловливают электропроводности. Закрепляясь на некотором расстоянии друг от друга, они образуют в диэлектрике положительный и отрицательный пространственные заряды, которые обусловливают ионно-релаксационную поляризацию. Поляризуемость аир, присущая этому виду поляризации, в первом приближении равна
αир = q2 ∆2 / 12kT , где q — заряд иона; ∆ — расстояние, на которое в среднем перемещаются ионы. После снятия электрического поля ионы постепенно возвращаются к центрам равновесия (обычно к новым).
Ионно-релаксационная поляризация проявляется в диапазоне частот от постоянного напряжения до 106 —1010 Гц. С увеличением температуры ионно-релаксационная поляризуемость αир нелинейно возрастает (см. рис. 2.7, 1) в результате ослабления связи между ионами и, главным образом, увеличения числа ионов, участвующих в этом виде поляризации.
Дипольно-релаксационная поляризация наблюдается только в диэлектриках молекулярного строения (газообразных, жидких и твердых) полярных, т.е. в таких диэлектриках, молекулы которых в отсутствие внешнего поля имеют постоянный дипольный момент μ (например, в полихлордифениле, канифоли, ПВХ и т.п.). Соответствующая поляризуемость α др описывается формулой α др = μ2 / 3kT).
Дипольно-релаксационная поляризация заключается в том, что под действием внешнего электрического поля становится более упорядоченным положение полярных молекул (диполей), непрерывно совершающих хаотическое тепловое движение (рис. 2.9). Этот вид поляризации зависит от температуры и частоты приложенного напряжения. С повышением температуры в результате ослабления молекулярных связей увеличивается ориентация диполей в нанавлении электрического поля, поэтому дипольно-релаксационная поляризуемость α др возрастает (рис. 2.10, участок 1-2). Однако с повышением температуры возрастает и энергия хаотического теплового движения диполей, и выше некоторой температуры Тм дезориентирующее действие теплового движения начинает преобладать над ориентирующим действием электрического поля. Поэтому при дальнейшем нагревании (при Т> Тм) дипольно-релаксационная поляризуемость αдр уменьшается (участок 2-3). Таким образом, при нагревании αдр возрастает, проходит через температурный максимум и далее понижается.
Рис. 2.9. Схематическое изображение Рис. 2.10. Зависимость дипольно-релак-дипольно-релаксационной поляризации сационной поляризуемости αдр от тем
пературы Т
Положение температурного максимума дипольно-релаксационной поляризуемости α др с увеличением частоты напряжения смещается в область более высоких температур (возрастает Тм).
Дипольно-релаксационная поляризация имеет место в полярных диэлектриках, находящихся в газообразном, жидком или твердом аморфном состоянии. В кристаллических диэлектриках αдр может наблюдаться только при температурах выше температуры плавления. При Т<Тпл в кристаллах диполи настолько прочно закреплены на своих местах, что ориентация их в электрическом поле затруднена и поэтому адр не наблюдается в обычном виде. В кристаллических телах с неплотной упаковкой молекул (например, у льда — лед плавает в воде) αдр наблюдается. Дипольно-релаксационная поляризация существует также в кристаллизующихся полимерах за счет релаксации сегментов в аморфных областях и полярных групп.
Продолжительность установления дипольно-релаксационной поляризации называется временем релаксации т диэлектрика и определяется из формулы
τ = τо exp(Wp / kT) (2.28)
где τо — период теплового колебания молекулы; Wp — энергия активации процесса релаксации.
Если τ больше, чем время полупериода приложенного переменного напряжения, то диполи не успевают ориентироваться вслед за изменяющимся полем, и дипольно-релаксационная поляризация соответственно не наблюдается (подробно см. гл. 4.3.2.). Так как τo полярных диэлектриков обычно имеет значение 10-6—10-10 с, то дипольно-релаксационная поляризация проявляется только на частотах ниже 106 — 1010 Гц. При более строгом определении под τ следует понимать время, в течение которого после внезапного снятия внешнего поля электрический момент единицы объема диэлектрика уменьшается в е (~2,7) раз.
В полимерах в результате особенностей их строения и поведения в электрическом поле дипольно-релаксационная поляризация может проявляться в виде двух основных разновидностей: дипольно-сегментальной и дипольно-групповой.
Дипольно-сегментальная поляризация обусловлена подвижностью сегментов — отрезков молекулярных цепей, состоящих из десятков и даже сотен и тысяч химических звеньев, и заключается в создании электрическим полем некоторой упорядоченности в положении сегментов, непрерывно совершающих хаотическое тепловое движение. Этот вид поляризации наблюдается при температурах выше температуры стеклования Тс в полимерах как полярных, так и неполярных; у последних — в результате наличия дефектов в молекулярных цепях (карбонильных групп, ответвлений цепей и т.п.)- Дипольно-сегментальная поляризация имеет место в аморфных полимерах, а у кристаллизующихся — в аморфных областях, в результате сегментального движения в длинных петлях, свободных концах и проходных макромолекулах (см. рис. 1.12, 2).
Дипольно-групповая поляризация наблюдается в полярных полимерах и обусловлена ориентацией полярных групп и боковых ответвлений молекулярных цепей под действием приложенного напряжения. Под полярными группами понимают атомы или группы атомов: — С1, - F, -ОН, >СО, -СОН, -СООН, -NH2 , -NO2, -О-О- и т.п., -имеющие неуравновешенную ковалентную полярную связь и вызывающие возникновение дипольного момента в макромолекулах полимеров. Боковые ответвления участвуют в поляризации, так как имеющиеся концевые метальные группы —СН3 обладают дипольным моментом (см. табл. 1.2). Время релаксации т полярных групп и боковых ответвлений меньше т сегментов, поэтому они сохраняют подвижность при температурах, ниже температуры стеклования Tс, когда сегментальное движение отсутствует. В результате меньшего значения т дипольно-групповая поляризация проявляется при более высоких частотах, чем дипольно-сегментальная, поэтому эти виды поляризации иногда называют соответственно высокочастотной и низкочастотной. Характер зависимости поляризуемостей дипольно-сегментальной (αдс) и дипольно-групповой (αдг) от температуры и частоты приложенного напряжения такой же, как и у дипольно-релаксационной поляризуемости α др разновидностью которой они являются.
С увеличением частоты напряжения максимум α дг более интенно смещается в сторону высоких температур, чем максимум α дс. тому в области высоких температур (сверхвысоких частот) максимумы α дг и α дс сближаются вплотную, и на кривых ε(Т), ε(f) будет проявляться один релаксационный максимум.
Маграционная поляризация наблюдается в твердых диэлектриках с макроскопически неоднородной структурой (например, в слоистых материалах), а также в диэлектриках, содержащих проводящие и полупроводящие включения (например, поры, заполненные влагой). При внесении в электрическое поле диэлектрика, имеющего слоистое строение (например, гетинакс, текстолит), в результате разной электропроводности различных слоев, на границе их раздела и в приэлектродных объемах, начнут накапливаться заряды медленно движущихся ионов, и возникнет межслойная поляризация. Аналогич-
Рис. 2.11. Модель миграционной поляризации
ная картина имеет место в поликристаллических телах, когда на границах кристаллитов (зерен) образуются пространственные заряды (рис. 2.11). Перемещение электронов и ионов в пределах каждого проводящего и полупроводящего включения под действием приложенного поля образует большие поляризационные области. Межслойная поляризация и образовавшиеся поляризационные области и обусловливают миграционную поляризацию.
У миграционной поляризуемости α м время релаксации τ довольно большое, поэтому соответствующая ей поляризация проявляется на весьма низких частотах (до 0,5 кГц) и вызывает у материала увеличение диэлектрической проницаемости и особенно диэлектрических потерь tgδ. С уменьшением частоты напряжения, а также с увеличением температуры αм возрастает. Увлажнение диэлектрика приводит к существенному возрастанию его емкости на низких частотах (например, 2 Гц) в результате возникновения и роста миграционной поляризации. Путем измерения значений емкости электроизоляционных конструкций на различных частотах (или при различных температурах) можно определить степень их увлажнения.
Электронно-релаксационная поляризация возникает за счет возбужденных тепловой энергией избыточных электронов или дырок, расположенных на дефектах. В некоторых диэлектриках электроны способны перемещаться вблизи дефектов (с которыми они связаны) на расстояния, равные одному или нескольким межатомным расстояниям. Этот вид поляризации обычно наблюдается в диэлектриках с большим внутренним полем и электронной проводимостью (например, у многих видов титаносодержащей керамики). У диэлектриков
Электронно-релаксационной поляризуемостью αэр и соответствующим видом поляризации диэлектрическая проницаемость обычно имеет высокое значение, которое уменьшается с увеличением частоты напряжения. На температурной зависимости проявляется максимум.
Самопроизвольная (спонтанная) поляризация существует только в нелинейных диэлектриках — сегнетоэлектриках и рассматривается в гл. 7.15.1.
Резонансная поляризация наблюдается в диэлектриках в области СВЧ и оптических частот, когда частота приложенного поля совпадает с одной из частот собственных колебаний молекул, атомов, образующих молекулы, их валентных электронов. При резонансе сильно возрастает поглощение энергии, распространяемой электромагнитной волной. Резонансная поляризация имеет большое значение для теории и практики распространения радиоволн в диапазоне СВЧ и оптических частот. В результате резонансной поляризации молекул кислорода и водяных паров на некоторых дискретных частотах в области от 1010 до 1015 Гц наблюдается сильное затухание распространяющейся радиоволны вследствие поглощения ее энергии