- •1. Виды диэлектрической поляризации.
- •2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
- •3. Релаксационные виды поляризации Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов (температуры и частоты).
- •4. Атомная поляризуемость и поляризуемость смещения. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
- •5. Электропроводность твердых диэлектриков. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости.
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
- •7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
- •1) Потери на электропроводность;
- •2) Релаксационные потери;
- •3) Ионизационные потери;
- •9. Виды диэлектрических потерь. Диэлектрические потери в газообразных и твердых диэлектриках.
- •13. Сегнетоэлектрики. Температура Кюри.
- •14. Зависимость поляризованности р и диэлектрической проницаемости ε от напряженности электрического поля е сегнетоэлектриков. Петля диэлектрического гистерезиса.
- •15. Применение диэлектрических материалов в микросхемах в качестве пассивных элементов в составе моп транзисторов.
- •Глава 4. Униполярные транзисторы
- •16. Керамические диэлектрические материалы. Конденсаторная, установочная керамика и керамика для подложек микросхем. Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике.
- •17. Основы керамической технологии материалов электронной техники.
- •18. Пробой газообразных диэлектриков. Закон Пашена. Пробой газов в неоднородном электрическом поле.
- •19. Электрический и тепловой пробой.
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •20. Пленочные резистивные материалы. Резисторы. Параметры резисторов. Система обозначений и маркировка резисторов.
- •21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
- •22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
- •24. Эффект Холла и Пельтье. Эффект Холла.
- •25. Медь и ее сплавы. Алюминий и его сплавы.
- •26. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Области их применения
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •28. Магнитные потери. Потери на вихревые токи. Потери в катушках индуктивности.
- •29 . Ферриты. Магнитные подрешетки в структурах шпинели, перовскита и граната.
- •30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
- •31. Требования, предъявляемые к свойствам магнитомягких материалов. Магнитные материалы на основе железа.
- •32. Магнитооптические тонкопленочные эффекты. Эффект Фарадея. Феррит-гранаты Поляризация света
- •Феррит-гранаты
- •33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
- •Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •35. Междолинные переходы. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Принцип генерирования свч-колебаний, основанный на использовании эффекта Ганна.
- •36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
- •37. Выскотемпературные сверхпроводящие материалы. Эффект Джозеффсона. Текстурированная втсп керамика.
- •§ 6.1. Стационарный эффект Джозефсона
- •38. Классификация диэлектрических материалов.
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •Конденсаторная керамика
- •39. Коррозионная устойчивость металлов. Применение уравнения изотермы Вант-Гоффа для оценки окисляемости металлов.
27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
Магнитострикция
Явление намагничивания ферромагнитных материалов, сопровождающееся изменением их линейных размеров, называют магнито-стрикцией. Количественно магнитострикцию характеризуют величиной λs, называемой константой магнитострикции, которая фактически является относительным удлинением образца ( λs = ∆l/l) при намагниченности до состояния технического насыщения. Численное значение λs,, невелико (10─4—10─6), и к тому же λs не является постоянной величиной данного материала. С изменением напряженности магнитного поля Н λs, изменяется и даже может измениться ее знак Например, для α-Fe в слабых магнитных полях (Н < 32 кА/м) λs > 0, в сильных (Н > 32 кА/м) λs < 0, а при Н ≈ 32 кА/м λs = 0. При намагничивании, как правило, положительная продольная магнитострикция образца соответствует его отрицательной поперечной магнитострикции, при этом объем материала почти не изменяется. Поэтому магнитострикцию характеризуют не объемным изменением, а линейным (∆l/l). В монокристаллах ферромагнетика проявляется анизотропия магнитострикции. Магнитострикция наблюдается и в поликристаллических материалах, причем наибольшая — у никеля (λs = — 3,7•10─5), у сплава никоси (сплав Ni—Co—Si) λs = 2,5•10─5) и у ферритов (А.5= 2,6-10~5). Необычайно высокая магнитострикция у редкоземельных элементов (Tb, Dy, Но, Er, Tm) и их соединений. Например, у поликристаллического тербия А λs = 3 •10─3, а у монокристаллического — λs = 2•10─2.
Эффект магнитострикции обратим: механическая деформация материала вызывает изменение состояния его намагниченности. Прямой и обратный магнитострикционные эффекты широко применяют в приборостроении (реле, вибраторы, фильтры, преобразователи и др.).
14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
Выше отмечалось, что ферромагнетики в ненамагниченном состоянии самопроизвольно (спонтанно) разбиваются на множество доменов, намагниченных до насыщения. Магнитные моменты этих доменов дезориентированы друг относительно друга, поэтому суммарная (результирующая) намагниченность М образца равна или близка нулю. Спонтанное деление объема ферромагнетика на множество доменов объясняется тем, что многодоменная структура ферромагнетика наиболее устойчива и ей соответствует минимум полной свободной энергии системы, которая, в свою очередь, состоит из следующих основных видов: магнитостатической, обменной, магнитной анизотропии, магнитострикции. В образовании многодоменной структуры особенно важны первые два вида энергии.
При намагничивании ферромагнетика (например, монокристалла) до насыщения он будет представлять собой постоянный магнит, состоящий из одного домена и создающим внешнее магнитное поле (рис. 14.6, а; стрелкой обозначен магнитный момент домена). Такой образец обладает максимальной магнитостатической энергией. Если этот же монокристалл будет состоять из двух доменов с противоположной ориентацией спиновых магнитных моментов (см. рис. 14.6, б), то магнитостатическая энергия уменьшится в два раза, так как
Рис. 14.6. Уменьшение магнитостатическрй энергии, обусловленное разделением .монокристалла ферромагнетика на магнитные домены
часть магнитного потока, выходящего из одной области, замкнется на другую. При возникновении в монокристалле четырех доменов (см. рис. 14.6, в) магнитостатическая энергия уменьшится в четыре раза и т.д. Еще более энергетически выгодной будет доменная структура, изображенная на рис. 14.6, г. В результате образования граничных доменов в виде трехгранных призм, называемых замыкающими доменами, магнитостатическая энергия становится равной нулю.
Процесс деления монокристалла на домены имеет определенный предел. При увеличении числа доменов возрастает протяженность границы между доменами и соответственно возрастает обменная энергия, необходимая для их образования. Поэтому на каком-то этапе деление доменов становится энергетически невыгодным и прекратится в силу того, что энергия, необходимая для образования доменных границ, станет больше того выигрыша в энергии, который происходит за счет уменьшения магнитостатической энергии в результате деления доменов.