- •1. Виды диэлектрической поляризации.
- •2. Уравнения диэлектрической поляризации. Уравнение Клаузиуса—Мосотти.
- •3. Релаксационные виды поляризации Зависимость диэлектрической проницаемости от различных факторов (температуры и частоты).
- •4. Атомная поляризуемость и поляризуемость смещения. Зависимость диэлектрической проницаемости от частоты для двухатомного ионного кристалла.
- •5. Электропроводность твердых диэлектриков. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости.
- •3.1.2. Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости
- •6. Зависимость электропроводности диэлектриков от температуры, концентрации носителей зарядов и их подвижности. ТКρ диэлектриков.
- •7. Потери в диэлектриках. Угол диэлектрических потерь δ. Эквивалентные схемы диэлектрика с потерями. Требования, предъявляемые к изоляционным материалам.
- •4.2. Эквивалентные схемы замещения диэлектрика с потерями
- •8.Виды диэлектрических потерь. Механизм релаксационных потерь в диэлектриках.
- •1) Потери на электропроводность;
- •2) Релаксационные потери;
- •3) Ионизационные потери;
- •9. Виды диэлектрических потерь. Диэлектрические потери в газообразных и твердых диэлектриках.
- •13. Сегнетоэлектрики. Температура Кюри.
- •14. Зависимость поляризованности р и диэлектрической проницаемости ε от напряженности электрического поля е сегнетоэлектриков. Петля диэлектрического гистерезиса.
- •15. Применение диэлектрических материалов в микросхемах в качестве пассивных элементов в составе моп транзисторов.
- •Глава 4. Униполярные транзисторы
- •16. Керамические диэлектрические материалы. Конденсаторная, установочная керамика и керамика для подложек микросхем. Требования, предъявляемые к конденсаторной керамике.
- •17. Основы керамической технологии материалов электронной техники.
- •18. Пробой газообразных диэлектриков. Закон Пашена. Пробой газов в неоднородном электрическом поле.
- •19. Электрический и тепловой пробой.
- •5.4.1. Электрический пробой
- •5.4.2. Электротепловой пробой
- •20. Пленочные резистивные материалы. Резисторы. Параметры резисторов. Система обозначений и маркировка резисторов.
- •21. Высокоомные сплавы и их свойства. Удельное сопротивление металлических сплавов.
- •22. Влияние примеси на удельное сопротивление. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление. (Пленочные проводники в микросхемах).
- •24. Эффект Холла и Пельтье. Эффект Холла.
- •25. Медь и ее сплавы. Алюминий и его сплавы.
- •26. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы. Области их применения
- •15.1.1. Низкочастотные магнитомягкие материалы
- •27. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис. Основная кривая намагничивания.
- •14.2.4. Причины, приводящие к образованию доменов
- •14.2.5. Механизм технического намагничивания и магнитный гистерезис
- •28. Магнитные потери. Потери на вихревые токи. Потери в катушках индуктивности.
- •29 . Ферриты. Магнитные подрешетки в структурах шпинели, перовскита и граната.
- •30. Магнитных свойств тонких ферритовых пленок. Доменная структура.
- •31. Требования, предъявляемые к свойствам магнитомягких материалов. Магнитные материалы на основе железа.
- •32. Магнитооптические тонкопленочные эффекты. Эффект Фарадея. Феррит-гранаты Поляризация света
- •Феррит-гранаты
- •33. Магнитные свойства и классификация магнитных материалов.
- •Ферромагнетики
- •14.1.4. Антиферромагнетики
- •14.1.5. Ферримагнетики
- •34. Природа ферромагнетизма. Обменное взаимодействие. Магнитная анизотропия.
- •14.2.2. Магнитная анизотропия
- •35. Междолинные переходы. Отрицательное дифференциальное сопротивление. Принцип генерирования свч-колебаний, основанный на использовании эффекта Ганна.
- •36. Основы сверхпроводимости. Лондоновская глубина проникновения, длина когерентности, куперовские пары.
- •37. Выскотемпературные сверхпроводящие материалы. Эффект Джозеффсона. Текстурированная втсп керамика.
- •§ 6.1. Стационарный эффект Джозефсона
- •38. Классификация диэлектрических материалов.
- •7.11. Керамические диэлектрики
- •Конденсаторная керамика
- •39. Коррозионная устойчивость металлов. Применение уравнения изотермы Вант-Гоффа для оценки окисляемости металлов.
5.4.2. Электротепловой пробой
Электротепловой пробой твердых диэлектриков на практике встречается чаще, чем другие формы пробоя. Возникает он вследствие нарушения в диэлектрике теплового равновесия между процессами тепловыделения и теплоотдачи и проявляется в тепловом разрушении материала (расплавлении, прожиге и т.п.) в месте наибольших диэлектрических потерь.
Под действием диэлектрических потерь, обусловленных релаксационными видами поляризации и током сквозной проводимости, протекает процесс тепловыделения; материал диэлектрической конструкции нагревается. Повышение температуры сопровождается возрастанием диэлектрических потерь и, следовательно, дальнейшим увеличением количества выделяемого тепла. Образующееся тепло в результате высокой теплопроводности металла токопроводящих частей электроустановки, а также конвекции воздуха (или жидкого диэлектрика) отводится от диэлектрика в окружающую среду — идет процесс теплоотдачи. Если при этом тепловыделение превысит теплоотдачу, то разогрев диэлектрика приведет в конечном счете к тепловому разрушению материала и потере электрической прочности.
Обычно тепловое разрушение происходит в виде проплавления или прожигания узкого канала в месте наибольшей структурной неоднородности — наибольшей дефектности материала (например, в микротрещине или поре, заполненной влагой). В этом месте возникают наибольшие релаксационные потери и наибольшая плотность тока и, следовательно, наибольшее количество выделяемого тепла.
Упрощенным расчетом пробивного напряжения при электротепловом пробое диэлектрической конструкции является графоаналитический метод. Этот метод позволяет оценить значения Unp и Uраб и, главное, наглядно демонстрирует причины, приводящие к электротепловому пробою.
Процесс тепловыделения характеризуется мощностью, рассеиваемой в диэлектрике, и выражается уравнением диэлектрических потерь
P=U2ωCtgδ. (5.18)
Процесс теплоотдачи характеризуется мощностью, отводимой от диэлектрика, и выражается с помощью формулы Ньютона
P = σS(T-To), (5.19)
где σ — коэффициент теплоотдачи, Вт/(м2 • К); S — площадь поверхности диэлектрика, м2; Т— температура поверхности диэлектрика, К (считается, что температура по всему объему диэлектрика и на его поверхности одинаковая и равна T); Тo — температура окружающей среды, К.
Рис. 5.19. Температурные зависимости мощности тепловыделения Р (1 и 2) и мощности теплоотдачи Pт с поверхности детали (3)
В случае теплового равновесия (Р = Рт) имеем
U2ωCtgδ.= σS(T-To) (5.20)
Для наглядности дальнейших рассуждений воспользуемся графическим построением зависимости Р и Рт от температуры (рис. 5.19).
На диэлектрическую конструкцию подадим напряжение U1. В диэлектрике возникнут процессы тепловыделения (кривая 1) и теплоотдачи (прямая 3). Кривая 1 пересекает прямую 3 в двух точках, соответствующих T1раб и T1кр. За счет тепла, выделяемого в результате диэлектрических потерь, материал конструкции нагреется до некоторой температуры, равной T1раб, при которой наступит состояние устойчивого теплового равновесия между тепловыделением и теплоотдачей (Р = Рт). Однако под действием кратковременных перенапряжений, потерь в магнитопроводах и проводниках, посторонних случайных источников тепла диэлектрик может нагреться до температуры, превышающей Т1раб.
Если эта температура станет равной или большей Т1кр, то выделяемая мощность превысит мощность отводимого тепла; наступит тепловое разрушение
— электротепловой пробой. Следовательно, максимально допустимая температура нагрева диэлектрика за счет посторонних источников тепла должна быть ниже Г1кр. В данных условиях напряжение £/, будет не опасным для нормальной работы диэлектрической конструкции.
Повысим напряжение до значения U2. Мощность тепловыделения в данном случае будет характеризоваться кривой 2, а значение Т2Раб в результате сильно возросших диэлектрических потерь станет равным Т2кр. В этом случае никакого теплового равновесия между Р И Рт не произойдет, поэтому температура диэлектрика начнет безгранично возрастать вплоть до температуры его теплового разрушения. Наступит электротепловой пробой.